МОП - транзисторы с индуцированным каналом
Принципиальной особенностью транзистора с индуцированным каналом является отсутствие последнего без внешних электрических воздействий. Структура транзистора такого типа приведена на рисунке 3.5.
Рисунок 3.5 - . Структура МОП – транзистора с индуцированным каналом
Исток и сток изолированы друг от друга «диодной развязкой». При любой полярности напряжения между стоком и истоком один из 
- переходов будет находиться в непроводящем состоянии, под обратным напряжением.
Для того, чтобы создать канал, необходимо к затвору относительно подложки приложить положительное напряжение, тогда под действием поперечного поля электроны из подложки будут перемещаться в направлении затвора и скапливаться в подзатворной области. В результате образуется тонкий слой инверсной проводимости. В данном случае слой 
- типа, который и будет являться индуцированным каналом. При увеличении напряжения концентрация носителей заряда в канале увеличивается, что приводит к увеличению проводимости. Эта зависимость легко прослеживается при анализе семейства статических выходных и характеристики управления транзистора с индуцированным каналом (рисунок 3.6).
Рисунок 3.6 - . Статические характеристики МОП – транзистора
с индуцированным каналом
( a – семейство выходных характеристик; b – характеристика управления)
Из характеристик видно, что МОП – транзистор с индуцированным каналом может работать только в режиме обогащения 
. Для создания заметного тока 
, это напряжение необходимо для того, чтобы в подложке 
- типа, за счет энергии поля появились дополнительные неосновные носители, которые создают индуцированный канал.
Все рассмотренные выше полевые транзисторы были - канальными, их условные графические отображения показаны на рисунке 3.7.
Рисунок 3.7 - Условные графические отображения - канальных
полевых транзисторов
(а – с управляющим - переходом, b – cо встроенным каналом,
с – с индуцированным каналом)
Существуют, хотя и в меньшей степени распространены - канальные транзисторы, действие которых связано с движением дырок в канале. Они имеют аналогичные характеристики, отличаются полярностью приложенных напряжений, а также имеют несколько худшие частотные характеристики, т.к. подвижность дырок меньше подвижности электронов. Их условные графические отображения показаны на рисунке 3.8.
Рисунок 3.8 - Условные графические отображения - канальных
полевых транзисторов
(а – с управляющим - переходом, b – cо встроенным каналом,
с – с индуцированным каналом)