Организация адресного пространства

· Реальная или физическая память (англ. real (physical) memory) — память, способ адресации которой соответствует физическому расположению её данных;

· Виртуальная память (англ. virtual memory) — память, способ адресации которой не отражает физического расположения её данных;

· Оверлейная память (англ. overlayable storage) — память, в которой присутствует несколько областей с одинаковыми адресами, из которых в каждый момент доступна только одна.

Удалённость и доступность для процессора

· Первичная память (сверхоперативная, СОЗУ) — доступна процессору без какого-либо обращения к внешним устройствам. Данная память отличается крайне малым временем доступа и тем, что неадресуема для программиста.

o регистры процессора (процессорная или регистровая память) — регистры, расположенные непосредственно в АЛУ;

o кэш процессора — кэш, используемый процессором для уменьшения среднего времени доступа к компьютерной памяти. Разделяется на несколько уровней, различающихся скоростью и объёмом (например, L1, L2, L3).

· Вторичная память — доступна процессору путём прямой адресацией через шину адреса (адресуемая память). Таким образом доступна основная память (память, предназначенная для хранения текущих данных и выполняемых программ) и порты ввода-вывода (специальные адреса, через обращение к которым реализовано взаимодействие с прочей аппаратурой).

· Третичная память — доступна только путём нетривиальной последовательности действий. Сюда входят все виды внешней памяти — доступной через устройства ввода-вывода. Взаимодействие с третичной памятью ведётся по определённым правилам (протоколам) и требует присутствия в памяти соответствующих программ. Программы, обеспечивающие минимально необходимое взаимодействие, помещаются в ПЗУ, входящее во вторичную память (у PC-совместимых ПК — это ПЗУ BIOS).

 

Положение структур данных, расположенных в основной памяти, в этой классификации неоднозначно. Как правило, их вообще в неё не включают, выполняя классификацию с привязкой к традиционно используемым видам ЗУ.

Управление процессором

· Непосредственно управляемая (оперативно доступная) память (англ. on-line storage) — память, непосредственно доступная в данный момент времени центральному процессору.[источник не указан 1031 день]

· Автономная память — память, реализованная, например при помощи службы внешних носителей в Windows 2000, предусматривающей оперативное управление библиотеками носителей и устройствами с автоматической подачей дисков, облегчающей использование съёмных носителей типа магнитных лент и съёмных дисков, магнитных или оптических.

 

Организация хранения данных и алгоритмы доступа к ним

 

Повторяет классификацию структур данных:

· Адресуемая память — адресация осуществляется по местоположению данных.

· Ассоциативная память (англ. associative memory, content-addressable memory, CAM) — адресация осуществляется по содержанию данных, а не по их местоположению.

· Магазинная (стековая) память (англ. pushdown storage) — реализация стека.

· Матричная память (англ. matrix storage) — ячейки памяти расположены так, что доступ к ним осуществляется по двум или более координатам.

· Объектная память (англ. object storage) — память, система управления которой ориентирована на хранение объектов. При этом каждый объект характеризуется типом и размером записи.

· Семантическая память (англ. semantic storage) — данные размещаются и списываются в соответствии с некоторой структурой понятийных признаков.

 

Физические принципы

 

Эта классификация поторяет соответствующую классификацию ЗУ.

Вид Среда, хранящая информацию Принцип чтения/записи Примеры
Полупроводниковая память (англ. semiconductor storage) сформированные в полупроводнике элементы, имеющие 2 устойчивых состояния с различными электрическими параметрами включение в электрическую цепь SRAM, DRAM, EEPROM, Flash-память
Магнитная память (англ. magnetic storage) Намагниченность участков ферромагнитного материала (доменов) Магнитная запись Магнитная лента, магнитный диск, магнитная карта
Оптическая память (англ. optical storage, laser storage) последовательность участков (питов), отражающих или рассеивающих свет чтение: отражение либо рассеяние лазерного луча от питов; запись: точечный нагрев, изменяющий свойства отражающего слоя CD, DVD, Blu-ray, HD DVD
Магнитооптическая память (англ. magnetooptics storage) последовательность участков (питов), отражающих или рассеивающих свет чтение: преломление и отражение луча лазера запись: точечный нагрев и электромагнитный импульс CD-MO, Fujitsu DynaMO
Магниторезистивная память с произвольным доступом (англ. Spin Torque Transfer Random Access Memory, STT-RAM) магнитные домены В STT-RAM электрическое поле воздействует на микромагниты, заставляя их менять направление магнитного поля (спин). В свою очередь направление магнитного поля (справа — налево или сверху — вниз) вызывает изменение в сопротивлении (логические 0 и 1). MRAM
Память с изменением фазового состояния (англ. phase change memory, PCM) молекулы халькогенида (chalcogenide)   использует изменение фазового состояния халькогенида — вещества, способного под воздействием нагрева и электрических полей переходить из непроводящего аморфного состояния (1) в проводящее кристаллическое (0). В ней применены диоды вертикального типа и трехмерная кристаллическая структура. Не требует предварительного удаления старых данных перед записью новых, не требует электропитания для сохранения своего состояния. PRAM
Ёмкостная память (англ. capacitor storage)   конденсаторы подача электрического напряжения на обкладки DRAM