Г. Сопротивление базы можно определить через крутизну входной или проходной характеристик.

(2.9)

(2.9а)

В справочнике не всегда приводится входная характеристика, изредка имеется проходная характеристика i_K = f(U_БЭ), тогда S_Б определяется по формуле:

(2.10)

где S – крутизна проходной характеристики, касательная в рабочей точке I_Kmax;

– коэффициент усиления по току на рабочей частоте ф.(1.13).

Модуль входного сопротивления рассчитывается по одной из формул (2.2,2.4,2.4а), где из ф.(2.9) и (2.9а).

Д. Если указанные характеристики не имеются в справочнике, то используется постоянная времени цепи обратной связи τ_к,а r_Б можно определить /5/ по формуле:

Проведем расчет на примере КТ922В.

(2.11)

где r'_Б – сопротивление материала базы, ф. (2.12а)

r_P – сопротивление рекомбинации, ф. (2.15а)

r_Э – сопротивление стабилизации, сопротивление эмиттера, ф. (2.19а).

из ф.(1.13)

Слагаемые ф. (2.11) можно определить по следующим формулам /5,6/: (2.12)

(2.12а)

где τ_К – постоянная времени цепи обратной связи из справочника.

С_К_А – активная (внутренняя) часть емкости коллекторного перехода из справочника, если этот параметр не приведен, то определяем по формуле:

(2.13) (2.13а)

где С_К = С_К_А + С_К_П,

С_К – емкость коллекторного перехода приводится в справочнике.

С_К[пФ]=130 (2.14)

С_К_П – пассивная ( внешняя ) часть емкости коллекторного перехода,

ζ – зависит от технологии изготовления транзистора, данные приведены в табл.3.

Таблица 3.

транзистор сплавной сплавно-диффузионный меза планарный меза-планарный, эпитаксиально-планарный

ζ 3…4

Сопротивление рекомбинации:

, (2.15)

(2.15а)

h_21э из ф.(1.13) .

S_П – крутизна по эмиттерному переходу /5/:

2Т950А:

(2.16)

(2.16а)

I_K₁ – ток первой гармоники коллекторного тока

(2.17)

α₁(θ) – коэффициент разложения импульсов коллекторного тока в зависимости от угла отсечки θ, обычно для ГВВ задают режим θ_НЧ ~ ( )

Таблица 4.

θ 70^◦ 75^◦ 80^◦ 85^◦ 90^◦ 95^◦ 100^◦ 105^◦ 110^◦ 115^◦ 120^◦ 125^◦ 130^◦

α₀ 0,253 0,269 0,286 0,302 0,319 0,334 0,35 0,364 0,379 0,392 0,406 0,419 0,431

α₁ 0,436 0,455 0,472 0,487 0,5 0,51 0,52 0,526 0,531 0,534 0,536 0,536 0,534

γ₀ 0,166 0,199 0,236 0,276 0,319 0,363 0,411 0,458 0,509 0,558 0,609 0,659 0,708

γ₁ 0,288 0,337 0,39 0,445 0,5 0,554 0,611 0,662 0,713 0,76 0,805 0,843 0,878

I_Kmax – высота импульса коллекторного тока, выбирается в зависимости от требуемой мощности, из пункта п.Б.,ф.(2.5).

t_П – температура перехода [^◦С] (см. справочник, предельные эксплуатационные данные) для выбранного транзистора t_П=160⁰С , если в справочнике не указана , то можно задаться ее величиной в зависимости от материала транзистора .

Таблица 5.

Транзистор Кремниевый Si Германиевый Ge

t_П

2.3.2. Сопротивление эмиттера r_э рассчитывается по формуле:

(2.18)

r_э[Ом] = 0.15 (2.18а)

из справочника, приложения П.1

(2.19)

(2.19а)

Модуль входного сопротивления рассчитывается по одной из формул (2.2,2.4,2.4а), где из ф.(2.11).

2.3.3. Емкость эмиттерного перехода С_Э определяется:

Из справочника, П.1: С_Э=1100пФ. (2.20)

где f_α=m ∙ f_Т;

m=1,6 для ВЧ VT;

m=1,2 для НЧ VT

f_Т– из ф.(1.10а)

2.3.4.L – индуктивность выводов, если нет данного параметра в справочнике, то

L ~ (1…1,5) [ ] ∙ l [мм], (2.21)

где l – длина вывода, определяется из чертежа выбранного транзистора.

Из справочника известно:

2Т950А: КТ922В:

L_Б=1.3 нГн L_Б=2.4нГн

L_Э=2.1нГн L_Э=0.9нГн

Входная мощность

Все параметры сведем в таблицу.

I_kmax_НЧ, А E_к, В К_Р P_вых, Вт P_вх, Вт

7,67 1.884 53,148 28,21

Итак, все параметры ОК каскада определены и отвечают требованиям устойчивой работы каскада, требуемой мощности, высокого КПД.

Итак, все параметры ОК каскада определены и отвечают требованиям устойчивой работы каскада, требуемой мощности, высокого КПД.

Далее переходим к расчету параметров Пред ОК, для этого рассчитаем его исходные данные.

⇐ Назад
1
234
Далее ⇒