РЕФЕРАТ 7. Электронные приборы на наноструктурах

ТЕМЫ РЕФЕРАТОВ

Требования:

1. Объем реферата – 15 стр через 2 интервала 14 кегль

Представляется в распечатанном виде формат А4, в папке и

И на подписанном диске (тема, ФИО, группой, год) CDдиске

4. Оформление по ГОСТУ:

Все разделы имеют нумерацию,

Формулы имеют сквозную нумерацию,

Рисунки и таблицы имеют название и сквозную нумерацию,

ссылки на литературу в квадратных скобках, например [5]

5. Срок представления – 24 декабря

Пропустившие все лекции и практические сдают все рефераты, Далее по пропорции

Первый реферат соответствует начальным занятиям.

Всего 32 занятия 1 реферат на 4 занятия

РЕФЕРАТ 1

Основные тенденции развития нано-и оптоэлектроники.

1.1. Характеристические длины в мезоскопичееких системах

1.2. Квантово-механическая когерентность

1.3. Квантовые ямы, проволоки и точки

1.4. Плотность состояний и размерность системы

1.7. Полупроводниковые гетероструктуры

1.8.Квантовые процессы переноса

Список литературы

Реферат 2. Физика полупроводниковс пониженной размерностью

2.1. Введение

2.2. Основные характеристики двумерныхполупроводниковых наноструктур

2.3. Прямоугольная потенциальная яма конечной глубины

2.4. Параболическая и треугольная квантовые ямы

2.4.1. Параболическая потенциальная яма

2.4.2. Треугольная потенциальная яма

2.5. Квантовые проволоки

2.6. Квантовые точки

2.7. Напряженные слои

2.8. Влияние напряжений на валентную зону

2.9. Зонная структура в квантовых ямах

2.10. Экситонные эффекты в квантовых ямах

Список литературы

РЕФЕРАТ 3. Полупроводниковыеквантовые наноструктуры и сверхрешетки

3.1. Введение

3.2. Структуры полевых МОП-транзисторов (MOSFET)

3.3. Гетеропереходы

3.3.1. Гетеропереходы с модулированным легированием

3.3.2. Напряженныегетероструктурына основе SiGe

3.4.Квантовые ямы

3.4.1.Модулнрованно-легированные квантовые ямы

3.4.2.Множественные квантовые ямы (MQW)

3.5.Сверхрешетки

3.5.1. Концепция сверхрешеток

3.5.2. Модель сверхрешеткиКронига — Пенни. Расщепление зон

3.5.3. Приближение сильной связи в теории сверхрешеток

3.5.4.Сверхрешетки типа nipi

Список литературы

РЕФЕРАТ 4 Процессы переноса в наноструктурах в электрических полях

4.1. Введение

4.2.Продольный перенос

4.2.1. Механизмы рассеяния электронов

4.2.1.Экспериментальные данные по продольному переносу

4.2.3. Продольный перенос горячих электронов

4.3. Поперечный перенос

4.3.1. Резонансное туннелирование

4.3.2. Влияние поперечных электрических полей на свойства сверхрешеток

4.4.Квантовый перенос в наноструктурах

4.4.1.Квантовая проводимость. Формула Ландауэра

4.4.2.Формула Ландауэра — Бюттикерадля квантового переносав многозондовых структурах

4.4.3.Кулоновская блокада

Список литературы

РЕФЕРАТ 5. Перенос в магнитных полях и квантовый эффект Холла

5.1. Введение

5.2. Воздействие магнитного поля на кристаллы

5.3. Поведение систем пониженной размерности в магнитных полях

5.4.Плотность состояний двумерных систем в магнитных полях

5.5. Эффект Аронова — Бома

5.6. Эффект Шубникова - леГааза

5.7. Квантовый эффект Холла

5.7.1. Экспериментальные данные и элементарная теория целочисленного квантового эффекта Холла (IQHE)

5.7.2. Краевые состояния и IQHE

5.7.3. Протяженные и локализованные состояния

5.7.4. Использование квантового эффекта Холла (IQHE) в метрологии

5.7.5. Дробный квантовый эффект Холла (FQHE)

Список литературы

РЕФЕРАТ 6. Оптические и электрооптические процессы в квантовых гетероструктурах

6.1. Введение

6.2. Оптические свойства квантовых ям и сверхрешеток

6.3.Оптические характеристики квантовых точеки нанокристаллов

6.3.1. Методы вырашивания кристаллов. Самоорганизация квантовых точек

6.3.2. Оптические свойства

6.4. Электрооптические эффекты в квантовых точках. Эффект квантово-размерный Штарка

6.5. Электрооптические эффекты в сверхрешетках. Лестницы Штарка и осцилляции Блоха

Список литературы

 

РЕФЕРАТ 7. Электронные приборы на наноструктурах

7.1. Введение

7.2. Модуляционно-легированные полевые транзисторы (MODFET)

7.3. Биполярные транзисторы на гетеропереходах

7.4. Резонансный туннельный эффект

7.5. Транзисторы на горячих электронах

7.6. Транзисторы с резонанснымтуннелированием

7.7. Одноэлектронные транзисторы

Список литературы