КОММЕРЦИЯЛЫ ЕМЕС АКЦИОНЕРЛІК ОАМ

«АЛМАТЫ ЭНЕРГЕТИКА ЖНЕ БАЙЛАНЫС УНИВЕРСИТЕТІ»

«Радиотехника жне байланыс» факультеті

«Электроника» кафедрасы

КЕЛІСІЛДІ

РТжБФ деканы

________ У.И.Медеуов

«___» __________ 2016

ЕМТИХАН ТЕСТ СРАТАРЫ

«ЭЛЕКТРОНДЫ ЖНЕ ЛШЕУ ТЕХНИКАСЫНЫ НЕГІЗДЕРІ»

пнінен тестік тапсырмалар

Кафедра мегерушісі: Копесбаева А.А.

растырушы: Абдрешова С.Б.

Алматы 2016

<question> Егер элементті кедергісі токтан немесе келтірілген кернеуге байланысты болса, онда мндай элементті аталуы:

<variant> сызыты

<variant> сызыты емес

<variant> пассивті

<variant> активті

<variant> трлендіргіш

<question> электрондарды дрейфті тогыны тыыздыы:

<question> n-p ауысуыны КЗО-ы (кеістіктік заряд облысы) клемді зарядты рісіні алыптасуы:

<variant> донор жне акцептор оспаларыны теестірілмеген зарядтарымен

<variant> жартылай ткізгішті кристалды тор атомдарыны жылулы тербелісі бар фазаа арама-арсыда тербелетін фонондармен

<variant> зарядты бос тасымалдаушыларымен

<variant> позитрондармен

<variant> атомдармен іске асады

<question> температураны суімен жартылай ткізгіштегі оспа диффузиясы процесіні ту жылдамдыы:

<variant> седі

<variant> азаяды

<variant> згермейді

<variant> динамикалы трде згереді

<variant> секірісті трде згереді

<question> кремнилік аспапты рылымындаы сапфирлі кремний ышылыны (SiO2) олданысы:

<variant> диэлектрик ретінде

<variant> p-n рамында

<variant> тйісу алаыны материалы ретінде

<variant> ажетті слбалы элементтерді зара осу шін

<variant> ткізетін жол ретінде

<question> диодты вольт-амперлік сипаттамасы (Шокли тедеуі):

<question> рнектелмеген р-жартылай ткізгішті Ферми дегейі мына жерде орналасады:

<variant> тыйым салынан аймата, валенттік айматы жоары блігіне жаын

<variant> тыйым салынан айматы ортасында

<variant> тыйым салынан аймата, ткізгіштік айматы тменгі блігінде

<variant> ткізгішті аймаыны ішінде

<variant> валенттік айматы ішінде

<question> Сыйымдылы ретінде олданылатын диод:

<variant> варикап

<variant> тзеткіштік

<variant> Шоттки

<variant> стабилитрон

<variant> туннельдік

<question> p-n ауысуыны ВАС суреттеуі, бл:

<variant> здіксіздік тедеуі

<variant> диффузия коэффициентіні формуласы

<question> жартылай ткізгіштерді тыйым салынан аймаыны ені:

<variant> 3 эВ-тен аз, тыйым салынан айматы ені ~ 0.3 эВ-те аз жартылай ткізгіштер тар айматы жартылай ткізгіштер деп аталады

<variant> 3-тен 20 эВ-а дейін

<variant> жартылай ткізгіште ол болмайды, йткені валенттік айма ткізгіштік аймаа ттасады

<variant> оршаан ортаны температурасына, электрлік пен магниттік рістерді болуына жне сырты сулеленуге байланысты болады

<variant> тыйым салынан айматы лшеу ммкін емес

<question> Жартылай ткізгіштердегі заряд тасымалдаушыларды баытталан озалысыны негізгі ммкін болатын трлері:

<variant> диффузиялы жне дрейфтік

<variant> электрлік жне магниттік

<variant> бос жне мжбрлі

<variant> электронды жне кемтіктік

<variant> жй жне тез

<question> Диффузиялы зынды:

<variant> диффузиялы озалыс кезіндегі бос жрісті зындыы

<variant> заряд тасымалдаушыларды концентрациясы диффузиялы озалыс кезінде 10 есеге азаятын ара ашыты

<variant> p-n ауысуы мен диод тйісуіні ара ашытыы

<variant> p-n ауысуды ені

<variant> белгісіз ашыты

<question> p-n ауысуды кері кернеуіні суі (модуль бойынша) кезінде тосауылды сыйымдылыты згерісі:

<variant> сызыты за бойынша азаяды

<variant> экспоненциалды за бойынша седі

<variant> квадратты за бойынша седі

<variant> згермейді

<variant> сыйымдылыты баса трлеріне трленеді

<question> аз айнымалы сигнал кезінде p-n ауысуды эквиваленттік слбасы:

<question> туннельдік диодты вольтамперлік сипаттамасы:

<question> биполярлы транзисторды активті жмыс істеу режимінде p-n ауысуды дифференциалды кедергілері келесі трде сипатталады:

<variant> эмиттерлік ауысуды кедергісі аз, ал коллекторлы ауысудікі кп

<variant> эмиттерлік ауысуды кедергісі кп, ал коллекторлы ауысудікі аз

<variant> екі ауысуды да кедергілері кп

<variant> екі ауысуды да кедергілері аз

<variant> оларды шамаларынан туелсіз эмиттерлік ауысуды кедергісі, коллекторлы ауысуды кедергісінен рашан кп

<question> Жартылай ткізгіш аспапты 1 шыпасыны атауы:

<variant> эмиттер

<variant> коллектор

<variant> база

<variant> йма

<variant> бастау

<variant> тиек

<question> токты беру коэффициенті болып табылатын, h-параметр:

<variant> h₂₁

<variant> h₁₂

<variant> h₁₁

<variant> h₂₂

<variant> h₀₁

<question> ОБ немесе ОЭ осылу слбаларында, токты тура беру коэффициенті жиілікке атты туелді:

<variant> ОЭ осылу слбасында

<variant> ОБ осылу слбасында

<variant> екі слбада да бірдей

<variant> бл температураа байланысты

<variant> бл жасалу материалына байланысты

<question> h₁₁ крсеткішіні анытамасы:

<question> ОБ слбасымен осылан транзисторды h₂₁ токты беру коэффициентіні анытамасы:

<question> те жасы жоары жиілікті асиеттері бар, дрейфті немесе дрейфсіз транзисторлар:

<variant> дрейфті

<variant> дрейфсіз

<variant> екеуі бірдей

<variant> бл базаны алыдыына байланысты

<variant> бл жасалу материалына байланысты

<variant> базада электрлік ішкі рісі болмайтын транзистор

<question> коллекторлы кернеумен базаны алыдыын модуляциялау дегеніміз, бл -

<variant> коллекторлы ауысуды еніні згеру салдарынан коллекторлы кернеу згерген кезде базаны алыдыыны згерісі

<variant> база шыпасыны аймаында коллекторлы кернеуді базаны алыдыына сер етуі

<variant> коллекторлы кернеуді эмиттерлік ауысуды еніне сер етуіне байланысты базаны алыдыыны згерісі

<variant> коллекторлы кернеуді базадаы жылжымалы заряд тасушыларды шоырына сер етуіне байланысты базаны алыдыыны згерісі

<variant> температураны сер етуіне байланысты базаны алыдыыны згерісі

<question> Биполярлы транзисторды осылу слбалары:

<variant> ОЭ, ОБ, ОК

<variant> орта бастаумен

<variant> орта тиекпен

<variant> орта ймамен

<variant> эмиттерлік айталаыш

<question> ОЭ слбасы бойынша осылан транзисторды h₂₁ ток беру коэффициентіні анытамасы:

<question> ОЭ слбасымен осылан n-p-n текті транзисторды активті режимдегі ауысуларыны ыысуы:

<question> коллекторлы кернеу мен базаны алыдыын модуляциялау деп:

<variant> коллекторлы ауысуды еніні згеру салдарынан коллекторлы кернеуді згеруі кезінде базаны алыдыыны згерісі

<variant> база шыпасыны аймаында коллекторлы кернеуді эмиттер алыдыына сері

<variant> эмиттерлік ауысуды еніне коллекторлы кернеуді серінен базаны алыдыыны згерісі

<variant> базадаы озалмалы заряд тасымалдаушыларды шоырына коллекторлы кернеуді серінен базаны алыдыыны згерісі

<variant> Эберса-Молл эффекті

<question> эмиттер дегеніміз -

<variant> базаа негізгі заряд тасымалдаушыларды инжекциясы болатын транзистор аймаы

<variant> ашы p-n ауысу жаындаы транзисторды аймаы

<variant> базадан негізгі емес заряд тасымалдаушыларды экстракциясы болатын транзистор аймаы

<variant> базаа негізгі емес заряд тасымалдаушыларды инжекциясы болатын транзистор аймаы

<variant> базаа негізгі заряд тасымалдаушыларды экстракциясы болатын транзистор аймаы

<variant> сигналды кшейуі болатын айма

<question> биполярлы транзисторды коллектор тогы пайда болатын заряд тасымалдаушылар:

<variant> база аймаында жне коллектор аймаындаы бар негізгі емес заряд тасымалдаушылар

<variant> база аймаындаы негізгі заряд тасымалдаушылар

<variant> коллектор аймаындаы негізгі заряд тасымалдаушылар

<variant> эмиттер аймаындаы негізгі емес заряд тасымалдаушылар

о иондар

<variant> транзисторда негізгі емес заряд тасымалдаушылар, электрондар, кемтіктер, иондар, позитрондар

<question> кіріс кедергі болып табылатын h – параметр:

<variant> h₁₁

<variant> h₁₂

<variant> h₂₁

<variant> h₂₂

<variant> h₀₂

<question> салынан аспапты рылымы бл:

<variant> биполярлы транзистор

<variant> рістік транзистор

<variant> бл екі туннельдік диод

<variant> шыыс аймаында лкен уат шашырайтын екі жоары жиілікті диод

<variant> диффузия жне рекомбинация жретін бл екі тиристор

<question> рістік транзисторды кернеуді кшейтуге арналан жне асиеттерін сипаттайтын крсеткіштері:

<variant> йма тиектік сипаттаманы тіктігі S (рістік транзисторды сипаттамасыны тіктігі):

<variant> инжекция коэффициенті

<variant> кбейту коэффициенті M = IК/IКp

<variant> токты беру коэффициенті = K_iэ = /(1 - )

<variant> тарату коэффициенті

<variant> диффузия жне рекомбинация коэффициенті

<question> ш электродты жартылай ткізгіш, рылымы екі электронды-кемтіктік ауысудан тратын аспап бл -

<variant> биполярлы транзистор

<variant> рістік транзистор

<variant> басарылатын тиристор

<variant> диод

<variant> стабилитрон

<variant> варикап

<question> транзисторды заряд тасымалдаушылармен амтамасыз ететін электрод, ол:

<variant> эмиттер

<variant> коллектор

<variant> йма

<variant> бастау

<variant> катод

<variant> тиек

<question> орта эмиттермен осылан биполярлы транзисторды осылу слбасында, сипаттаманы тсіру крсетілген.

<variant> шыыс сипаттаманы

<variant> кіріс сипаттаманы

<variant> ймалы сипаттаманы

<variant> бастау сипаттамасын

<variant> беріліс сипаттамасын

<question> орта эмиттермен осылан биполярлы транзисторды осылу слбасында сипаттаманы тсіру крсетілген:

<variant> кіріс сипаттаманы

<variant> шыыс сипаттаманы

<variant> ймалы сипаттаманы

<variant> бастау сипаттамасын

<variant> беріліс сипаттамасын

<question> коллекторлы ауысуды енін эмиттерлік ауысуды еніне араанда лкен етіп жасайды, себебі:

<variant> эмиттерден келген барлы тасымалдаушыларды жинау шін

<variant> кп иондарды алу шін

<variant> лкен сипаттамалар алу шін

<variant> беріліс сипаттамасыны жасы аралыын крсету шін

<variant> АЖС алу шін

<question> биполярлы транзисторды статикалы сипаттамалары:

<variant> кіріс

<variant> ймалы

<variant> йма тиектік

<variant> беріліс

<variant> АЖС

<question> биполярлы транзисторды орта эмиттермен осылан слбасы шін h₂₁ крсеткіші келесі трде аныталады:

<variant> h₂₁= dI_К/dI_Б, U_КЭ = const боланда

<variant> h₂₁= dI₁/dU₁, I₂= const боланда

<variant> h₂₁= dU₁/dI₁, I₁= const боланда

<variant> h₂₁= dI₂/dU₁, I₂= const боланда

<variant> кіріс кедергісі

<question> Биполярлы транзисторды базасыны енін тар етіп жасайды, себебі:

<variant> минимал база тогын алу шін

<variant> кп иондарды алу шін

<variant> лкен сипаттамалар алу шін

<variant> беріліс сипаттамасыны жасы аралыын крсету шін

<variant> АЖС алу шін

<question> йма мен бастауды n+ облысын алыптастыру шін олданылатын оспалар:

<variant> V топты элементтері

<variant> фосфор, бор

<variant> бор, индий

<variant> срме, мышьяк

<variant> алтын, платина

<question> Арнаны зындыы:

<variant> n-текті немесе p-текті бастау жне йма облыстарыны ара ашытыы

<variant> эмиттер зындыы

<variant> йма облысыны зындыы

<variant> орек шинасыны ара ашытыы

<variant> тиекті зындыы

<question> Табалдырыты кернеу:

<variant> Si-SiO2 жазыыны асындаы электрондар концентрациясы тсемдегі кемтіктер концентрациясынан 2 есеге кп кезіндегі кернеу

<variant> Si-SiO2 жазыыны асындаы электрондар концентрациясы тсемдегі кемтіктер концентрациясына те кезіндегі кернеу

<variant> Si-SiO2 жазыыны асындаы электрондар концентрациясы тсемдегі кемтіктер концентрациясынан аз кезіндегі кернеу

<variant> айрышаланан тиек тогы крінетін тиек кернеуі

<variant> бл ондырылан арналы ошауланан тиекті транзистор шін тиек-бастау кернеуі, онда йма тогы берілген мнге жетеді

<question> Кедейленген абат алыдыыны лкеюі ... болады:

<variant> тиек пен тсем, йма мен бастау арасында туындайтын екі электрлік рістерді бір-біріне серінен

<variant> тиектегі кернеуді азаюынан

<variant> тиек пен бастау арасында пайда болатын электрлік рісті зара серінен

<variant> тиектегі кернеуді суінен

<variant> const болып алатын тиектегі кернеуінен

<question> Бастаудан ймаа дейін арнасы болатын аспапты жмыс параметріні облысы:

<variant> ішкі тиектік облыс

<variant> сызыты облыс

<variant> аныу облысы

<variant> басару облысы

<variant> токсыз облыс

<question> Шартты белгіленулер: индукцияланан n-арналы жне бір ауысулы транзистор

<question> рістік транзисторды тіктігіні анытамасы:

<question> Суретте крсетілген транзистор ... деп аталады

<variant> p-n-ауысуымен басарылатын жне n-арналы рістік транзистор

<variant> индукцияланан n-арналы МДЖ-транзистор

<variant> ондырылан n-арналы МДЖ-транзистор

<variant> p-n-ауысуымен басарылатын жне p-арналы рістік транзистор

<variant> индукцияланан р -арналы МДЖ-транзистор

<question> суретте крсетілген транзисторды дрыс жауабы:

<variant> индукцияланан n-арналы МДЖ-транзистор

<variant> p-n-ауысуымен басарылатын жне n-арналы рістік транзистор

<variant> ондырылан n-арналы МДЖ-транзистор

<variant> p-n-ауысуымен басарылатын жне p-арналы рістік транзистор

<variant> индукцияланан р -арналы МДЖ-транзистор

<question> суретте крсетілген транзистор ... деп аталады

<variant> ондырылан p-арналы МДЖ-транзистор

<variant> p-n-ауысуымен басарылатын жне n-арналы рістік транзистор

<variant> индукцияланан n-арналы МДЖ-транзистор

<variant> p-n-ауысуымен басарылатын жне p-арналы рістік транзистор

<variant> индукцияланан р -арналы МДЖ-транзистор

<question> тринисторды ауыстырып осу мезетін басару іске асады -

<variant> базалы айматара тасымалдаушыларды енгізу арылы

<variant> эмиттерлердегі кернеуді сатай отырып, коллектордаы кернеуді згерту арылы

<variant>трт абатты рылымны шеткі айматарына токты енгізу арылы

<variant>эмиттерде токты згерту арылы

<variant>осылу кернеуіні мніне дейін жктемедегі кернеуді жоарлату арылы

<question> тиристорды ауысып осылуын басаруды амтамасыз ететін, слба:

<variant> бл р – текті басару электродына кернеу тсіре отырып, ауыстырып осу кернеуін реттеуге болатын слба

<variant>бл теріс кернеу полюсі тсірілетін слба

<question> тиристорды жабы кйге басару тогы арылы жеткізуге болады ма:

<variant>болады, егер басару электродына теріс импульс берсе

<variant>болады, егер басару тогын нлдік мнге дейін тмендетсе

<variant>жо, болмайды

<variant>болады, егер басару электродына о импульс берсе

<variant>болады, егер базаны жерге осса

<question> Тиристор мен симмисторды вольт-амперлік сипаттамасы:

<question>Динисторды рылымыны ортаы ауысуы жабы, ал шеткі ауысулары ашы болатын кезде, сипаттамадаы аралы:

<variant>ОА

<variant>АВ

<variant>ВС

<variant>ОД

<variant>АС

<question> Динисторды сипаттамасынан теріс дифференциалды кедергісі бар аралы:

<variant>АВ

<variant>ОА

<variant>ВС

<variant>ОД

<variant>АС

<question> ш немесе оданда кп р-n-ауысуы бар, вольт-амперлік сипаттамасында теріс дифференциалды кедергісі бар жартылай ткізгіш аспап бл -

<variant>тиристор

<variant>рістік транзистор

<variant>бір ауысулы транзистор

<variant>биполярлы транзистор

<variant>стабилитрон

<question> Бл аспап екі траты кйде бола алады – жабы немесе ашы, жабы кйінде оны кедергісі лкен болып, ол аз ана ток ткізеді, ал ашы кйінде оны кедергісі аз, ал одан аатын ток лкен болады, бл –

<variant>тиристор

<variant>рістік транзистор

<variant>бір ауысулы транзистор

<variant>биполярлы транзистор

<variant>стабилитрон

<question> Аспапта ауыстырып осу нктесінен кейін кернеуді тмендеткен кезде токты суі, dI/dU те теріс кбейтіндісіні пайда болу себебі:

<variant>теріс дифференциалды кедергі

<variant>балама индуктивтілік

<variant>паразиттік сыйымдылы

<variant>балама кедергі

<variant>паразиттік индуктивтілік

<question> Атауы грек тілінен (thyra – есік жне резистор) алынан, монокристалдаы трт абатты рылымды, екі траты кйі бар, ш немесе одан да кп тзеткіш электронды-кемтіктік ауысуы бар, бір кйден екіншісіне басару импульсі арылы ауысып осыла алатын жартылай ткізгіш аспапты:

<variant>тиристор

<variant>стабилитрон

<variant>транзистор

<variant>варактор

<variant>диод

<question> Аспапта вольтамперлік сипаттамасыны кері тармаы бар жне ол тура тармаына шаылысан симметриялы, айландыру жиілігін реттеу шін олданылады...

<variant>симмистор

<variant>триодты симметриялы жабылмайтын тиристор

<variant>транзистор

<variant>диод

<variant>варикап

<question> Сигналды тізбектерді немесе коммутацияны аз тогы бар тізбектерді гальваникалы аытылуы шін олданылатын аспаптар:

<variant>оптрондар

<variant>диодтар

<variant>резисторлар

<variant>конденсаторлар

<variant>транзисторлар

<question> Суретте крсетілген оптожп:

<variant>диодты оптрон

<variant>суле шыарыштаы диод электрлік сигналды энергиясын жары энергиясына трлендіреді

<variant>резистор

<variant>конденсатор

<variant>рамында суле шыарыш мен фотоабылдаыш бар аспап

<question> Фототкізгіштік сері, яни жары кезінде жартылай ткізгішті кедергісіні згеруінде олданылатын оптожп:

<variant>резисторлы оптрон

<variant>диодты оптрон

<variant>тиристорлы оптрон

<variant>Дарлингтон оптрон

<variant>транзисторлы оптрон

<question> баылау оптроны бар кернеу тратандырышы слбасында ... орындалады.

<variant>светодиодпен ндірілетін сулелену уаты

<variant>тзету сапасы

<variant>клбеу брышыны лшенуі

<variant>суле шыарышты трленуі

<variant>фотоабылдаышты айта ою

<question> талшыты жары ткізгіш, бл –

<variant>оптикалы млдір шыныдан жасалан жіішке жіп.

<variant>мыс сымдардан жасалан жіптер.

<variant>арнайы шыныдан жасалан жіішке жіп.

<variant>металдан жасалан жіішке жіптерді жиынтыы.

<variant>ткізгіш материалдардан жасалан жіішке жіптерді жиынтыы.

<question> Суле шыарыш диодты рекеті ... негізделген.

<variant>ижекциялы электролюминисенция былысына

<variant>телефон желілеріне микроэлектронды рылыларды осуа

<variant>катодолюминисенция былысына

<variant>анодолюминисенция былысына

<variant>фотобейнелеу былысына

<question> Светодиод оректену кзіне шектеуіш кедергі арылы ... шін осылады.

<variant>жмыс токты шектеу шін

<variant>кернеуді шектеу шін

<variant>жмыс сипаттамасын тегістеу шін

<variant>тізбек элементтерін айта оюды жасау шін

<variant>гальваникалы аытылуды болдырмау шін

<question> Светодиодты жарыты сипаттамасы:

<question> Кері ыысуды жарыты аыны болмаан кезінде фотодиод арылы токты жруі:

<variant>жары аыны болмаан кезде фотодиод арылы ток жрмейді

<variant>фотодиод арылы аз кері ток жреді

<variant>лкен ток жреді, йткені фотодиод кері баытта осылан

<variant>оптикалы арна бойынша лшеуіш аспаптардаы жерлендіру жне оректендіру тізбектері бойынша сер ететін бгеуілдерді серін азайтады

<variant>тізбек элементтеріні орнын ауыстырады

<question> Диодты оптронны шартты белгіленуі:

<question> Резисторлы оптронны шартты белгіленуі:

<question> Тиристорлы оптожптарды ... олданан дрысыра.

<variant>лкен уатты жоары вольтты тізбектерден басаруды логикалы тізбектеріні гальваникалы аытылуын сатау шін

<variant>ыса тйыталудан орау шін

<variant>кедергіні азайту шін

<variant>екінші ретті оректену кздерін орау шін

<variant>кедергілерді басару шін

<question> Оптожпты абылдаышы ретінде ... олданан дрыс.

<variant>фоторезисторды

<variant>жерлендіру жне оректендіру тізбектерін

<variant>уатты тиристорды

<variant>азайтушы кедергілерді

<variant>басарушы кедергіні

<question> Ішкі фотоэффект кезінде болатын жадайлар:

<variant> зат электрондарыны озуы

<variant> кедергі коэффициентіні згерісі

<variant> индуктивтілікті згерісі

<variant> фотокернеуді згерісі

<variant> меншікті кедергіні згерісі

<question> Суретте бейнеленген, электрлік сигналдарды кшейтуге арналан рылы:

<variant> екі p-n ауысуы бар, токты, кернеуді, уатты кшейтуге арналан аспап

<variant>рістік транзистор

<variant>диод

<variant>стабилитрон

<variant>тиристор

<question> Кшейткіштерді жіктелуі:

<variant> кшейтілген сигналдарды тегі бойынша

<variant>сигналды баыты бойынша

<variant>тратандыру бойынша жне ыса тйыталу бойынша

<variant>генераторды кернеуін реттеу бойынша

<variant>олмен жне ашытан реттеу бойынша

<question> Суретте бейнеленген сипаттама:

<variant> АЖС

<variant>ФЖС

<variant>вольт-амперлік сипаттама

<variant>беріліс сипаттамасы

<variant>вольт-фарадты сипаттама

<question> Кері байланыс (КБ) тізбегі орындайтын функция:

<variant> шыыс кернеуді бір блігі кшейткішті кірісіне айта оралады

<variant>оректендіру кзіне серін тигізеді

<variant>кптеген баса аспаптарды осуа ммкіншілік береді

<variant>шулар мен бгеттерді лкейтеді

<variant>шулар мен бгеттерді азайтады

<question> Слбада салынан ток кшейткіші:

<variant> орта эмиттермен осылан арапайым кшейткіш каскад

<variant>эмитерлік айталаыш

<variant>катодты айталаыш

<variant>траты ток кшейткіші

<variant>дифференциалды кшейткіш

<question> ТЖК жоары жиіліктердегі амплитудалы-жиіліктік сипаттамасындаы лауды тсіндірмесі:

<variant> слбаны тмен кіріс кедергісімен

<variant>транзисторды тосауылды сыйымдылыыны серінен

<variant>транзисторды сипаттамасыны сызысыздыынан

<variant>температураны серінен

<variant>кшейткішті меншікті шуларымен

<question> Бейнеленген кшейткіш:

<variant> орта бастаумен осылан кшейткіш каскад

<variant>операциялы кшейткіш негізіндегі кшейткіш каскад

<variant>биполярлы транзистор негізіндегі кшейткіш каскад

<variant>бір ауысулы транзистор негізіндегі кшейткіш каскад

<variant>тиристор негізіндегі кшейткіш каскад

<question> Егер ТЖК алшататыш сыйымдылыты лкейтетін болса, амплитудалы жиіліктік сипаттаманы згерісі:

<question> рылыны сипаттайтын крсеткіштер:

<variant> Кернеу бойынша кшейту коэффициенті

<variant>Токты уата трлендіретін коэффициент

<variant>уат бойынша кшейту коэффициенті

<variant>Дифференциалды кіріс кедергісі

<variant>Кернеуді тока трлендіретін коэффициент

<question> Кшейткіштерден тратын, автоматты басару жйесін талдау жне синтездеу шін олданылатын формулаларды атаулары:

<variant> ток бойынша кшейту коэффициентіні логарифмдік трде жазылуы

<variant>кшейту коэффициенттеріні модуль бойынша жазылуы

<variant>кшейту коэффициенттеріні логарифмдік емес трде жазылуы

<variant>кшейту коэффициенттеріні тригонометриялы трде жазылуы

<variant>кшейту коэффициенттеріні аралы трде жазылуы

<question> Слбада бейнеленген кшейткішті атауы:

<variant> бастау тізбегінде ыысу кзі бар кшейткіш каскад

<variant>йма тізбегінде ыысу кзі бар кшейткіш каскад

<variant>база тізбегінде ыысу кзі бар кшейткіш каскад

<variant>тиек тізбегінде ыысу кзі бар кшейткіш каскад

<variant>эмиттер тізбегінде ыысу кзі бар кшейткіш каскад

<question> ТКБ бар кшейткішті кіріс кернеуі мен кері байланыс кернеуіні арасындаы фазалы ыысу:

<variant> 180°

<variant>100°

<variant>0°

<variant>270°

<variant>360°

<question> Суретте бейнеленген слба:

<variant> эмиттерлік айталаыш

<variant>орта эмиттермен осылан кшейткіш

<variant>орта базамен осылан слба

<variant>ЭС слбасы

<variant>коллекторлы термотратандырышы бар кшейткіш

<question> Егер ЖЖК алшататыш сыйымдылыты лкейтетін болса, амплитудалы жиіліктік сипаттаманы згерісі:

<question> Суретте бейнеленген слба:

<variant> екі тактілі уат кшейткіші

<variant>фазоинверстік каскад

<variant>дифференциалды кшейткіші

<variant>кернеу дегейін ыыстыру слбасы

<variant>екі каскадты кернеу кшейткіші

<question> Слбада диодтарды олданылуы:

<variant> транзисторларды жмыс нктесін ыыстыруды тудыру шін

<variant>блгіштер ретінде

<variant>ауысып осылуды тездету шін

<variant>иып тастаыштар ретінде

<variant>блоктаыштар ретінде

<question> уат кшейткішіні слбасындаы С₀ сыйымдылыыны атауы:

<variant> алшататыш

<variant>авто ыысуды блоктаыш

<variant>деткіш

<variant>интегралдауыш

<variant>дифференциалдауыш

<question> R_к резисторын тйытап ойанда, кшейткішті кшейту коэффициентіні згеруі:

<variant> кшейткішті кшейту коэффициенті нлге те болады

<variant>кшейткішті кшейту коэффициенті лаяды

<variant>ешандай крсеткіштері згермейді

<variant>жиілік аумаы лкейеді

<variant>жиілік аумаы азаяды

<question> Суретте бейнеленген слба:

<variant> екі каскадты реостатты кернеу кшейткіші

<variant>екі тактілі кернеу кшейткіші

<variant>дифференциалды кшейткіш

<variant>RC - генератор

<variant>фазоинверстік каскад

<question> С_а1 жне С_а2 сыйымдылытарын азайтса, кшейткішті кшейту коэффициентіні згеруі:

<variant> тменгі жиілік айматарында азаяды

<variant>жоары жиілік айматарында лкейеді

<variant>барлы жиілік айматарында згермейді

<variant>тменгі жиілік айматарында лкейеді

<variant>жиілікті барлы згеріс аумаында лкейеді

<question> С_э конденсаторын жне R_э резисторын тйытаан кезде, кшейткішті кшейту коэффициентіні згерісін суреттеіз:

<variant> кшейткішті кшейту коэффициенті лкейеді

<variant>кшейткішті кшейту коэффициенті азаяды

<variant>крсеткіштер згермейді

<variant>жиіліктік аумаы лкейеді

<variant>жиіліктік аумаы азаяды

<question> R₁ шамасын лкейткенде, слбадаы згеріс:

<variant> транзисторды жмыс нктесіні ыысуы азаяды

<variant>кшейткішті кшейту коэффициенті лкейеді

<variant>крсеткіштер згермейді

<variant>транзисторды жмыс нктесіні ыысуы лкейеді

<variant>кшейткішті кшейту коэффициенті азаяды

<question> R_к шамасын лкейткенде, кшейткішті кшейту коэффициентіні згерісі:

<variant> лкейеді

<variant>шексіздікке те болады

<variant>згермейді

<variant>нлге те болады

<variant>азаяды

<question> Кшейткішті негізгі крсеткіштері:

<variant> кшейту коэффициенті

<variant>шыыс жарыты

<variant>шыыс сыйымдылы

<variant>шыыс индуктивтілік

<variant>кіріс жарыты

<question> Дифференциалды кшейткіштегі синфазалы кернеу

<variant> кшеймейді

<variant>кшеймейді, йткені транзисторларды біреуі токсыз, екіншісі аныу режимінде

<variant>кшейеді, йткені екі транзистор да аныу режимінде

<variant>кшейеді

<variant>аз кшейеді

<question> Дифференциалды кшейткішті жоары кіріс кедергісі бар элементтік базасы:

<variant> ондырылан арналы МДЖ – транзисторлары

<variant>p-n ауысуымен басарылатын рістік транзистор

<variant>n-p-n текті биполярлы транзистор

<variant>p-n-p-текті биполярлы транзистор

<variant>туннельдік диодтар

<question> орек кернеуі E мндеріні синфазалы кернеуді максималды жіберілетін мндеріне сері:

<variant> сер етпейді

<variant>лкен E кезінде лкен синфазалы кернеулер жіберіледі

<variant>аз E кезінде аз синфазалы кернеулер жіберіледі

<variant>лкен E кезінде аз синфазалы кернеулер жіберіледі

<variant>аз E кезінде лкен синфазалы кернеулер жіберіледі

<question> Суретте крсетілген слба, бл -

<variant> дифференциалды кшейткіш

<variant>тменгі жиіліктегі реостатты кшейткіш

<variant>операциялы кшейткіш

<variant>RC - генератор

<variant>фазотерістеуіш каскад

<question> ОК-гі ыысуды шыыс кернеуі:

<variant> U_кір=0 кезінде ОК шыысындаы кернеу

<variant>коллектор жне базалы кернеу фазаларыны айырымы

<variant>ОК кірісіндегі кернеулер фазасыны айырымы

<variant>кіріске арама-арсы фазадаы шыыс кернеуі

<variant>шыыс жне кіріс кернеулер фазаларыны айырымы

<question> ОК тегерімсіздігіні себептері:

<variant> ОК каскадтарындаы транзистор параметрлеріні бірдей еместігі

<variant>уатты транзисторларды олдану

<variant>ыысу каскадыны симметриялы еместігі

<variant>кіріс транзисторларыны температуралы трасыздыы

<variant>диодтарды ызып кетуі

<question> Теріс кері кернеу ... ммкіндік береді.

<variant> тура сызыты кесінділі апроксимацияланан исыты жасауа

<variant>берілген функциялармен слбаны жасауа

<variant>слба элементтеріні вольтамперлік сипаттамаларын алуа

<variant>светодиод жануы сипаттамасыны максимумына жетуге

<variant>бульдік функция минимизациясыны диаграммасын алуа

<question> ОК кірісіндегі диодтарды ондыру ... керек.

<variant> ОК-ті кірістегі тесілуден сатау шін

<variant>кірістегі кернеуді тіркеу шін

<variant>ОК жмысын басару шін

<variant>кіріс сигналын дифференциалдау шін

<variant>жиілік сипаттаманы тзету шін

<question> ОК аналогты слбалардаы теріс кері байланысты (ТКБ) пайдалануды себептері:

<variant> кшейтуді динамикалы диапазонын арттыру

<variant>кшейту коэффициентін арттыру

<variant>шыыс сигналыны уатын арттыру

<variant>слбаны орек кернеуін азайту

<variant>синусоидалды тербеліс генераторын ру

<question> ОК синфазалы сигналыны лсіреу коэффициентіні туелділігі болады.

<variant> эмиттерлік токты тратылыынан

<variant>ОК кшейту коэффициентінен

<variant>ылалдылытан

<variant>кшейту тратылыынан