жірибе 1 – ОБ схемасы шін басарушы р-п ткелі бар рістік транзисторды статикалы шыыс сипаттамасын растыру.
лматы 2006
УДК. 621.38(076)
лектроника жне нерксіптік электроника» курсы бойынша зертханалы жмыс жргізуге дістемелік нсау (кндізгі блім студентері шін мамандытары 350140- Электронды жйелер мен технологиялар, 050716-аспапжасау, 050702-автоматизация жне басару, 050718 - электроэнергетика) – Алматы: КазТУ, 2006, 1-30 б.
дістемелік нсау маманны баалау сипаттамасына, Мемлекеттік стандарта, педогогико-психологиялы йымдастыру негіздеріне жне зертханалы жмысты жргізу талабына сйкес рылан.
дістемелік нсау «ЭЛЕКТРОНИКА ЖНЕ нерксіптік электроника»пні бойынша электроника аспаптары мен рылылары сипаттамаларына арналан блімдерін з бетімен оуа ммкіндік туызу ажет.
дістемелік нсау кндізгі блім студентері шін мамандытары 350140- Электронды жйелер мен технологиялар, 050716-аспапжасау, 050702-автоматизация жне басару, 050718 – электроэнергетика арналан.
дебиеттер тізімі.- 7 атау.
азастан Республикасы Білім жне ылым министрлігіні 2006 жылы жоспары бойынша басылады.
© азТУ , 2006 ж.
КІРІСПЕ
«Электроника жне нерксіптік электроника» пні электронды техника негіздері бойынша аспап жасау мен автоматизация жне басару мамандытарына базалы дайындыты амтамасыз ету, арнайы пндерді ойдаыдай оып білу шін ажетті, жобалы жне зерттеулік мселелерді арастыру керек.
Осы нсауда электронды аспаптар мен рылыларды жмыс істеуін жне сипаттамаларын зерттеу шін жеті лабораториялы жмыс берілген.
Бірінші лабораториялы жмыс жартылай ткізгіш диодтарды статикалы сипаттамаларын алу мен зерттеуге арналан. Бл жмыста германийлы жне кремнийлік тзеткіш диодтарды сипаттамалары алынып, олар бойынша диодтарды крсеткіштері табылады.
Екінші лабораториялы жмыста биполярлы транзисторды орта базамен жне орта эмиттермен тізбекке осыландаы сипаттамалары алынып, олардан транзисторлы схеманы крсеткіштері табылады.
шінші лабораториялык жмыс транзистордан тменгі жиілікті кшейткішті зерттеуге арналган. Кері байланыстары бар тменгі жиілікті кшейткішті зерттеу тртінші лабораториялы жмыста берілген. Осы екі жмыста да амплитудалы-жиіліктік сипаттамасы тсірліп алынып, кшейту коэффиценті есептелініп шыарылады.
Бесінші лабораториялы жмыста RС - генератор зерттелгсн. Белгілі жиліктегі тербелістер алай туатыны осциллографпен баыланып жне оны крсеткіштері аныталады.
Соы жмыстар ( №6, №7 ) операциялы кшейткіш негізіндегі триггерді жмыс іетеу принциптерін зерттеуге арналган.
Берілген жмыстар негізінде студенттер электроника, микроэлектроника аспаптарыны рылысымен, крсеткіштерімен танысып, электронды схемаларды талдап, есептеуді йренеді.
Зертханалы жмыс № 1
Жмысты масаты: жартылай ткізгішті диодтын крсеткішін жне вольтамперлік сипаттамасынын рылуын зерттеу
Аспаптар мен элементтер
| Аталуы | Графикалы бейнесі |
| Функционалды генератор | 
|
| Мультиметр | 
|
| Осциллограф | 
|
| Траты кернеу кзі | 
|
| Диод 1N4001 | 
|
| Резисторлар | 
|
| Амперметр | 
|
| Вольтметр | 
|
Iтура= (E – Uтура)/R,
мнда Iтура - тура баыттаы диодтын тогы,
Е – орек кзіні кернеуі ,
Uтура – тура баыттаы диодтын кернеуі.
Iкері= (E – Uкері)/R,
мнда Iкері – кері баыттаы диодтын тогы ток,
Uкері – кері баыттаы диодтын кернеуі.
1-сурет.
2-сурет.
1.1 Тжірбиелерді ткізу тртібі
Тжірибе 1 – Диод арылы кернеу мен токты лшеу
1-суретпен сйкес схеманы жинастырамыз. орек кзін осан кезде, вольтметрде диодтын тура ыысандаы кернеуін Uтура крсетеді. Амперметр диодтын тура ыысандаы тогын Iтура крсетеді. Диодты теріс айналдырып ойып, схеманы айтадан осамыз. Енді вольметр диодтын кері ыысандаы кернеуін Uкері крсетеді, ал амперметр кері ыысандаы тогын Iкері крсетеді. Формулаа сйкес диодтын тура жне кері ыысандаы тогын есептеп шыарындар.
Тжірибе 2 – Диодтын статикалы кедергісін лшеу
Омметр режимінде мультиметрді олдана отырып, диодты тура жне кері осан кездегі кедергісін лшендер. Кедергіні кіші мндері тура осылуа сйкес келеді, омметрді баса шкалалары шін олар ртрлі.
Тжірибе 3 – Диодтын вольтамперлік сипаттамасын алу
1) ВАС тура тармаы. 1-суретпен сйкес схеманы жинастырындар. Схеманы осындар. ЭК орек кздері мндерін тізбектей 5В, 4В, 3В, 2В, 1В, 0.5В, ОВ те деп орналастырып, диодтын ток Iтура пен кернеу Uтура мндерін жазып алындар.
2) ВАС кері тармаы. Диодты аударып ойындар. Е орек кздері мндерін тізбектей 0В, 5В, 10В, 15В те деп орналастырып, диодтын ток Iкері пен кернеу Uкері мндерін жазып алындар.
3) Алынан мндерден графиктер растырамыз Iтура (Uтура) жне Iкер (Uкері).
4) Iтура= 4 мА кезінде ВАС тура тармаына жанама сызы салындар жне жанама сызытын екейуі бойынша диодтын дифференциалды кедергісін бааландар. Iтура= 0.4 мА мен Iтура= 0.2 мА шін де осы прцедураны жасандар.
5) Траты токта диодтын кедергісін RСТ= Uпр / Iпр мына формула бойынша есептеп шыарындар.
Тжірибе 4 - Осциллографтын экранында ВАС алу
2-суретпен сйкес схеманы жинастырындар. Схеманы осындар. Осциллографтын экранында шыан ВАС-да, горизонталь ось бойынша диодтын кернеуі милливольт ( А каналы) бойынша есептелінеді, ал вертикаль бойынша ток миллиампермен есептелінеді (В каналы, 1 мВ сйкес 1 мА-ге).
1.2 Тжірбиелерді нтижесі
Тжірибе 1 – Диод арылы ток пен кернеуді лшендер
| Тура ыысудаы кернеу, Кері ыысудаы кернеу, Тура ыысудаы ток, Кері ыысудаы ток, Есептелген токтар: Тура ыысудаы ток, Кері ыысудаы ток, | Uтура = ______ Uкері = ______ Iтура = ______ Iкері= ______ Iтура= ______ Iкері = ______ |
Тжірибе 2 – Диотын статикалы кедергісін лшеу
Тура ыысу кезіндегі диодтын кедергісі Rтура = ______
Кері ыысу кезіндегі диодтын кедергісі Rкері = ______
Тжірибе 3 – Диодтын ВАС алу
Ток пен кернеуді есептеп жазып алындар.
1) ВАС тура тармаы. 2) ВАС кері тармаы .
1-кесте
| E, B | Uтура, мВ | Iтура, мА |
| 0.5 | ||
| E, B | Uкері, мВ | Iкері, мА |
3) ВАС графигін растыру.
4) ВАС алынан, тура ыысу кезінде диодтын дифферециалды кедергісі.
Iтура = 4мА кезінде Rдиф = ______
Iтура = 0.4мА кезінде Rдиф = ______
Iтура = 0.2мА кезіндеRдиф = ______
5) Iтура = 4мА кезінде RСТ есептеп шыарындар RСТ = ______
Тжірибе 4 - Осциллографтын экранында ВАС алу
аылау сратары.
1. Донорлы жне акцепторлы оспалармен легирленген жартылай ткізгіштір мен таза ткізгіш шін айматы диаграмма сызындар.
2. Электронды-кемтіктік жптарды термогенерациясы дегеніміз ?
3. Жартылай ткізгіштер немен жне андай масатпен легирленеді ?
4. Жартылай ткізгіште рсат етілетін жне рсат етілмейтін айма алай алыптасады ?
5. Жартылай ткізгішті рылымдарда Ферми дегей деген не ?
6. Жартылай ткізгіште дрейфтік жне диффузиялы ток алай пайда болады?
7. Электрлік бейтараптылыты жадайы деген не?
8. ріс эффектісі деген не ?
9. ртрлі типті электрткізгіштігі бар жартылай ткізгіштерді идеалды байланыс кезінде р-п ткел алай пайда болады ?
10. Сырты кернеу жо болан кезде р-п ткел арылы тасмалдаушыларды озалысы бола ма ?
11. Шама тртібі бойынша тура жне кері ыысу кезінде диодтаы кедергіні салыстырындар. Неге олар ртрлі ?
12. Диодтын аныу тогы деген не ?
13. Омметр режимінде мультиметрмен лшеген кезде диодтын кері жне тура кедергісі немен ерекшелінеді ? Осы лшеулер арылы диодтын бзыландыы туралы білуге бола ма ?
14. Траты жне айнымалы токта диод кедергілеріні шамаларында айырмашылы бола ма ?
Зертханалы жмыс № 2
Стабилитронды зерттеу
Жмысты масаты: Стабилитроннын крсеткіші мен сипаттамасын зерттеу.
Аспаптар мен элементтер
| Аталуы | Графикалы бейнесі |
| Функционалды генератор |
|
| Мультиметр |
|
| Осциллограф |
|
| Траты кернеу кзі |
|
| Стабилитрон 1N4733 | 
|
| Резисторлар |
|
ICT=(E-UCT)/R.
РСТ= ICT *UCT.
1-сурет.
2.1 Тжірибені ткізу тртібі
лшеулер мен есептеулер нтижелерін « лшеулер нтижесі» деген блімге кіргізіндер.
Тжірибе 1 – Стабилитрон арылы токты есептеп жне кернеуді лшеу
1) 1- суретке сйкес схеманы жинастырамыз. Стабилитронда орек кзіні ЭК мндері 0, 4, 6, 10, 15, 20, 25, 30, 35 В кезінде UCT кернеу мндерн лшендер.
2) UCT рбір кернеу мндеріне стабилиторнны тогын ICT есептеп шыарындар.
3) Кестені млеметтері бойынша стабилиторнны вольтамперлік сипаттамасын растырындар.
4) Стабилиторнны вольтамперлік сипаттамасы арылы кернеу стабилизациясын бааландар.
5) Е = 20 В кернеу кезінде стабилитронда шашыратылатын уатты РСТ есептеп шыарындар.
6) Стабилизация ауданында стабилитронны дифференциалды кедергісін бааландар.
Тжірибе 2 – Параметрлік стабилизаторды жктемелік сипаттамасын алу
1) Резистор R2 =75 Ом стабилитрона параллелді осындар. ЭК орек кзіні мндерін 20В те деп орнатындар. Схеманы осындар. Стабилитрондаы кернеу UCT мндерін жазып алындар.
2) Пункты айталандар а) ысаша тйыталу кезінде жне резисторлар кедергісі кезінде R2 75 Ом, 100 Ом, 200 Ом, 300 Ом, 600 Ом, 1 кОм.
3) орек кзімен тізбектей осылан, R1 резистор арылы I1 тогын, R2 резистор арылы I2 тогын жне де рбір R2 мндері шін ICT стабилитрон тогын есептеп шыарындар.
Тжірибе 3 – Осциллограф экранында стабилитронны ВАС алу
2- суретпен сйкес схеманы жинастырамыз. Схеманы осамыз. Осциллографты экранында графиктен алынан стабилизация кернеуін жазып алындар..
2-сурет.
2.2 Тжірбиелер нтижесі
Тжірибе 1 - Стабилитрон арылы токты есептеп жне кернеуді лшеу
1) Стабилитронны ВАС растыру шін млеметтер.
1-кесте.
| Е, В | UCT, В | ICT, мА |
2) Стабилитронны ВАС растыру
3) Стабилизация кернеуі, UCTАБ =______
4) Е=20 В кернеу кездегі стабилитронны шашырату уатты, РСТ =_____
5) Жмысты ауданда график екейуі арылы аныталан, стабилитронны дифферециалды кедергісі, RДИФ =_________
Тжірибе 2 - Параметрлік стабилизаторды жктемелік сипаттамасын алу
Е=20 В кездегі токтар мндері мен стабилитрон кернеуі.
2-кесте.
| R2, Ом | UCT, В | I1, мА | I2, мА | ICT, мА |
| 1 К | ||||
| к.з. |
Тжірибе 3 - Осциллограф экранында стабилитронны ВАС алу
Осциллограф кмегімен вольтамперлік сипаттама алынан, кернеу стабилизациясы UСТАБ =__________ .
Баылау сратары
1. Жартылай ткізгішті стабилитрондар неге кремнийден жасап шыарады ?
2. Стабилитронды осу схемасында балансты кедергі не шін керек ?
3. Кернеуді температуралы коэффициентті деген не ?
4. Кремнийлік стабилитрондарды негізгі крсеткіштеріні физикалы маынасын тсіндіріндер ?
5. Ойылу жне ойылуды трлері деген не ?
6. Кремнийлік стабилитрондар жылулы ойылу режимінде жмыс істей ала ма?
7. Жктеме кедергісі мні стабилизаторды шыыс кернеу стабилизация дегейіне сер ете ме ?
8. Стабилитронны тогы 20 мА тмен болса, UСТ стабилитронны кернеуі алай згереді ?
9. 15В кіріс кернеу кезінде, ICT стабилитрон тогынын мні андай ?
10. R1=200 Ом кедергі мні кезінде, ICT стабилитрон тогынын мні андай ?
11. R1 кедергісі азайан кезде, стабилизатор шыысында кернеу алай згереді ?
Зертханалы жмыс № 3
БИПОЛЯРЛЫ ТРАНЗИСТОРДЫ ЗЕРТТЕУ
Жмысты масаты: биполярлы транзисторды статикалы сипаттамасын зерттеу.
Зертханалы жмыста олданылатын, аспаптар мен элементтер
| Аталуы | Графикалы бейнесі |
| Биполярлы транзистор 2N3904 | 
|
| Траты кернеу кзі |
|
| Айнымалы ЭК орек кзі | 
|
| Токпен басарылатын, кернеу орек кзі | 
|
| Кернеумен басарылатын, кернеу орек кзі | 
|
| Осциллограф |
|
.
-токты беруді статикалы коэффициентті ,
.
.
1-сурет.
,
мнда 
- жартылай ткізгішті базалы аудандаы кедергіні орналастыру,
- база-эмиттер ткеліндегі дифференциалды кедергі, мынадан аныталан :
, мнда 
- эмиттерді миллиамперде траты тогы.
.
.
.
.
3.1 Тжірбиелерді ткізу тртібі
Барлы лшемдер мен осциллограф нтижелерін арнайы блімге кіргізу керек.
Тжірибе 1 – Транзисторды токты беру статикалы коэффициенттімен анытау
1) 1- суретке сйкес схеманы жинастырамыз. Схеманы осамыз. База мен коллектор токтары жне коллектор-эмиттер кернеулеріні лшенген нтижелерін жазып алу керек, транзисторды статикалы токты беру коэффициентті есептейміз.
2) 2,68В дейін 
ЭК орек кзіні номиналын згертеміз. Схеманы осамыз. База мен коллектор токтары жне коллектор-эмиттер кернеулеріні лшенген нтижелерін жазып алу керек. Алынан нтижелері бойынша коэффициентті есептейміз.
3) 5В дейін орек кзіні ЭК номиналын згертеміз. Схеманы осамыз.
База мен коллектор токтары жне коллектор-эмиттер кернеулеріні лшенген нтижелерін жазып аламыз. Алынан нтижелері бойынша транзисторды статикалы беру коэффициентті есептейміз.
Тжірибе 2 – Коллекторды кері тогын лшеу
1-суреттегі схемада 0 В –а дейін Еб орек кзіні ЭК номиналын згертеміз. Схеманы осамыз. База мен коллектор токтары жне коллектор-эмиттер кернеулеріні лшенген нтижелерін жазып аламыз.
Тжірибе 3 – ОЭ схемасында транзисторды шыыс сипаттамасын алу
а) Схемада (1-сурет) Ек жне Еб рбір мндері шін 
коллетор тогын лшейміз. 1-кестені толтырамыз. Кесте млеметтері бойынша Еб рбір мндері шін Ек –ден отбасылы туелділігін рамыз.
б) 2- суретте схеманы жинастырамыз. Схеманы осамыз. Масштабты сатай отырып, осциллографтын шыыс сипаттамасын саламыз. 1-кестеден Еб рбір мні шін лшемді айталаймыз. Базаны ртрлі токтары шін осциллограмманы шыыс сипаттамсын бір графикке саламыз.
в) 
, 10мкА –ден 30 мкА-ге дейін базалы токты згеруі кезінде, шыыс сипаттамасы бойынша 
токты беру коэффициентті табамыз
2-сурет.
Тжірибе 4 – ОЭ схемасында транзисторды кіріс сипаттамасын алу
1) 1-суретпен жиналан схемаа айтып келеміз. 2-кестемен сйкес орек кзі кернеуні ртрлі мндері шін эмиттер мен коллектор токтарын, база-эмиттер кернеулерін, база тогы лшемін жргізу жне Ек = 10В кернеу орек кзіні мнні орналастыру. Коллекторлы ток эмиттер тізбегіндегі тока те екендігіне кіл бліндер.
2) 2-кесте млеметтері бойынша база-эмиттер кернеуінен база тогынын туелділік графигін саламыз.
3) 3-сурет бойынша схеманы жинастырамыз. Схеманы осамыз. Масштабты сатай отырып, транзисторды кіріс сипаттамасын саламыз.
4) 10 мкА ден 30 мкА дейін база тогынын згеруі кезінде, кіріс сипаттамасы бойынша 
кедергіні табамыз.
3-сурет.
Тжірибе 5 – Орта база схемасында транзисторды кіріс сипаттамасын алу
1) 2- кесте млеметтері бойынша 2-кесте млеметтері бойынша база-змиттер кернеуінен эмиттер тогынын туелділік графигін саламыз.
2) 4-сурет бойынша схеманы жинастырамыз. Схеманы осамыз. Алынан сипаттамадан осциллограмманы салу керек.
3) 5 мА ден 10 мА-ге дейін эмиттерлік токты згерткен кезде, алынан сипаттамадан кедергіні табамыз.
4) 
кезде, 2-кестеден 
мнін олданып, 
формула бойынша эмиттер кедергісін табамыз.
4-сурет.
3.2 Тжірбиелер нтижесі
Тжірибе 1 - Транзисторды токты беру статикалы коэффициенттімен анытау
1) Еб - 5.7 В ЭК кзіні кернеуі
Транзисторды база тогы Iб= _________
Транзисторды коллектор тогы Iк= _________
Коллектор-эмиттер кернеуі Uкэ= _________
Токты беру статикалы коэффициенті bDC =__________
2) Еб – 2.68 В ЭК кзіні кернеуі
Транзисторды база тогы Iб= _________
Транзисторды коллектор тогы Iк= _________
Коллектор-эмиттер кернеуі Uкэ= _________
Токты беру статикалы коэффициенті bDC =__________
3) Ек – 5 В ЭК кзіні кернеуі
Транзисторды база тогы Iб= _________
Транзисторды коллектор тогы Iк= _________
Коллектор-эмиттер кернеуі Uкэ= _________
Токты беру статикалы коэффициенті bDC =__________
Тжірибе 2 - Коллекторды кері тогын лшеу
Коллекторды кері тогы Iко= ___________
Транзисторды база тогы Iб= ___________
Коллектор – эмиттер кернеуі Uкэ= ___________
Тжірибе 3 - – ОЭ схемасында транзисторды шыыс сипаттамасын алу
3-кесте
| Еб, В | Iб, мкА | Еб, В | |||||
| 0.1 | 0.5 | ||||||
| Iк, мА | |||||||
| 1.66 | |||||||
| 2.68 | |||||||
| 3.68 | |||||||
| 4.68 | |||||||
| 5.7 |
Токты беру коэффициенті bАС ___________
Тжірибе 4 - ОЭ схемасында транзисторды кіріс сипаттамасын алу
Таблица 4
| Еб,, В | Iб, мкА | Uбэ, мВ | Iк, мА | Iэ, мА |
| 1.66 | ||||
| 2.68 | ||||
| 3.68 | ||||
| 4.68 | ||||
| 5.7 |
шеуді нтижесінде rкірь кедергісі есептелген
Тжірибе 5 - Орта база схемасында транзисторды кіріс сипаттамасын алу
Кедергі rэ
шеуді нтижесі бойынша есептеу _______
Формула бойынша есептеу _________
Баылау сратары
1. Транзисторды коллектор тогы неге туелді?
2. bDC коэффициенті коллектор тогына туелді ме? Егер я болса, онда андай дрежеде ? Жауапты длелде.
3. Коллектор – эмиттер кернеуі жне база тогына коллектор тогы туелді екені шыыс сипаттамадан не айтуа болады ?
4. Кіріс сипаттамасынын андай да болсын нктесінде rкір мндері бірдей ме?
5. Эмиттер тогынын андай да болсын мнінде rэ мндері бірдей ме?
6. Есептеу жне тжірибелік млеметтер айырмашылыы андай ?
7. Токты беруді статикалы коэффициентіні згергенде жмысты нктені орны згереді ме?
8. иылу режиміне транзисторды ткізу шін , андай жадайлар жасау керек?
Зертханалы жмыс № 4
Жалпы бастауы бар осу слбасы шін басарушы р-п ткелі бар рістік транзисторды шыыс сипаттамасын зерттеу
Жмысты масаты : Жалпы бастауы бар осу слбасы шін басарушы р-п ткелі бар рістік транзисторды статикалы шыыс сипаттамасын зерттеу.
Аспаптар мен элементтер
| Аталуы | Графикаклы бейнесі |
| рістік транзистор 2N5484 | 
|
| Токпен басарылатын, кернеу кзі |
|
| Кернеумен басарылатын, кернеу кзі |
|
4.1 Теориялы блімі
Басарушы р-п ткелі бар рістік транзисторды негізгі тасмалдаушыларды тек ана бір типі олданылады (кемтіктер мен электрондар), тасмалдаушыларды негізгі озалу дісі электрлік рістегі дрейф болып келеді. Екі электрод арасындаы бастау (исток) жне йма (сток) аталатындар, п-типті жартылай ткізгіштен п-каналда (арна) орналасан. рістік транзисторды бастау тогы жаппадаы (затвор) кернеу мен бастаудаы кернеуге туелді: 
. Сондытан олар екі отбасылы (семейство) статикалы ВАС сипатталады:
,
.
Осы тедеулерді біріншісі йма-жаппалы немесе тпелік отбасылыы рістік транзисторды статикалы сипаттамасын, екіншісі – ймалы немесе шыыстыты жазбалайды. Басарушы р-п ткелі жне п-типті арнасы бар рістік транзисторды отбасылы шыыс ВАС 1- суретте крсетілген. исытарды (кривые) жоарысы жаппанын кернеуіне сйкес келеді, ол 0-ге те, ал келесі- жаппадаы кері кернеу, абсолюттік мннен кп болан сайын, исы тмен орналысады. Жаппадаы кернеу кесілу кернеуімен те болан сайын, бастайты ток кші ймада андай да кернеу кезде 0-ге те болып келеді. арастырылып отыран отбасынын рбір исыына ш сипатты аудан блуге болады. Бастапы аймата (а) 
туелділігі сызыты сияты, оны екейуі жаппадаы 
берілген кернеу кездегі арна ткізгіштігімен аныталады.
1-сурет.
ймадаы кернеу 
аыу кернеуімен лайанда, 
йманы тогы 
туелді емес болып келеді: (1- суреттегі в аудан). 
кезде аныу кернеуі максималды жне кесілу 
кернеуіне санды трде те. Uз шамасы бойынша лкейген сайын, аныу кернеуі азаяды. рістік транзисторды ймадаы максималды жеткілікті кернеу р-п ткелді ойылумен (пробой) шектелген. Бл крініс ойылу кернеуін асыратын йма мен жаппа арасындаы потенциалдар айырмасы пайда болан кезде жне йманы ток кшін ая астынан суіне алып келеді. 
кернеуін арты сіру жаппа мен йма арасынан лавиндік ойылу туызады.
кезінде 
, 
кезінде 
ішкі арна кедергісімен жне 
кшейтуді статикалы коэффициентімен рістік транзисторлар статикалы крсеткіштерімен сипатталады.
рістік транзисторлар О (орта йма), ОБ (орта бастау) мен ОЖ (орта жаппа) схемасымен осылу ммкін. Біра екі соы осылу схемасы жиі олданылады.
4.2 Тжірбиелерді жргізу тртібі
Барлы лшемдер мен осциллограф нтижелерін арнайы блімге кіргізу керек.
жірибе 1 – ОБ схемасы шін басарушы р-п ткелі бар рістік транзисторды статикалы шыыс сипаттамасын растыру.
1) Схеманы жинап осу керек жне йманы тогын 1-кесте млеметтерімен лшем жргізу керек. Алынан млеметтерден басарушы р-п ткелі бар рістік транзисторды статикалы шыыс сипаттамасынын отбасылыымен ру керек.
2) 
, 
кезінде рістік транзистор арнасынын 
ішкі кедергі мні анытау керек.
3) Алынан млеметтерден кезінде тпелі сипаттаманы ру керек.
4) тпелі сипаттаманын 
кезінде S тіктікті мні анытау керек.
5) рістік транзисторды 
кшейтуді статикалы коэффициентті анытау керек.
2-сурет.
Тжірибе 2 – ОБ схемасы шін басарушы р-п ткелімен рістік транзисторды шыыс динамикалы сипаттамасын растыру
3- сурет бойынша схеманы жинастырамыз. Осциллографты жмыс режимін 4-суретке сйкес беру керек. 
: 10 Ом, 100 Ом, 1 кОм, 10 кОм кедергілер мндері кезінде рістік транзисторды ОБ схемасынын шыыс сипаттамасынын осциллограммасын салу керек.
3-сурет.
4-сурет.
4.3 Тжірбиелер нтижесі