орядок выполнения второго контрольного задания

 

Изобразить полную принципиальную схему анализируемого каскада из таблицы 3.1, подключив к ней источник сигнала и нагрузку.

Источник сигнала представляет источник переменной ЭДС с амплитудой EГ = 1мВ, частотой f =10кГц и внутренним сопротивлением RГ = 1кОм. Нагрузка состоит из параллельно включенных резистора RН = 1кОм и конденсатора СН = 100 пФ. Нагрузка подключается к выходу усилителя через разделительный конденсатор СР = 10 мкФ. Указать на схеме позиционные обозначения всех элементов и их номинальные значения, например , .

 

Таблица 3.1 – Принципиальные схемы усилителей

 

Продолжение таблицы 3.1

 

 

Таблица 3.2 – Типы используемых транзисторов

 

Номер варианта
Транзистор n-p-n КТ315А КТ315В КТ3102А КТ316А КТ355А
Транзистор p-n-p КТ361A КТ361B КТ3107А КТ363А КТ363Б

 

 

Продолжение таблицы 3.2

 

Номер варианта
Транзистор n-p-n КТ316Б КТ325Б КТ3108А КТ3127А КТ3102А
Транзистор p-n-p КТ363Б КТ363В КТ3107В КТ3126А КТ3126А

 

Расчет схемы по постоянному току проводится в следующем порядке.

Рассчитать ток делителя в базовых цепях транзисторов:

. (3.1)

Здесь – сумма сопротивлений последовательно включенных резисторов в базовой цепи.

Определить потенциалы баз транзисторов по формуле

, (3.2)

где – суммарное сопротивление резисторов, включенных между базой и общим проводом.

Найти потенциалы эмиттеров транзисторов по формуле

. (3.3)

Напряжение выбирается в интервале 0,5…0,7 В для кремниевых транзисторов и 0,3…0,4 В для германиевых транзисторов.

Рассчитать ток в резисторе , подключенном к эмиттеру транзистора:

, (3.4)

где – сопротивление в цепи эмиттера.

Рассчитать ток коллектора в рабочей точке:

. (3.5)

Определить напряжение на коллекторе в рабочей точке

. (3.6)

Если в схеме имеются обратные связи по постоянному току, то составляются системы уравнений, связывающие базовые (или коллекторные) токи входного и оконечного каскадов. Решив систему уравнений, находят значения этих токов. По значениям токов рассчитываются потенциалы электродов транзисторов.

По результатам расчета статического режима определяются параметры моделей первого и второго транзисторов по формулам (2.1) – (2.9).

Используя соотношения, приведенные в таблицах 3.3 – 3.5, определяют коэффициент передачи по напряжению, входное и выходное сопротивление оконечного каскада.

По тем же соотношениям определяют коэффициент передачи по напряжению, сквозной коэффициент передачи по напряжению, входное и выходное сопротивления входного каскада. При этом необходимо учитывать, что нагрузкой входного каскада является входное сопротивление оконечного каскада.

Коэффициент передачи по напряжению всего усилителя определяется по формуле

, (3.7)

где и – коэффициенты передачи по напряжению входного и оконечного каскада соответственно.

Сквозной коэффициент передачи по напряжению всего усилителя определяется аналогично:

, (3.8)

где – сквозной коэффициент передачи по напряжению входного каскада;

–коэффициент передачи по напряжению оконечного каскада.

Входное сопротивление усилителя определяется входным сопротивлениием входного каскада, а выходное – выходным сопротивлением оконечного каскада.

Нижняя и верхняя граничные частоты определяются по формулам, приведенным в таблицах 3.6 и 3.7.

 

Таблица 3.3 – Расчетные соотношения для схемы с общим эмиттером

 

Параметр Расчетное соотношение
Входное сопротивление транзистора
Входное сопротивление каскада   , где – сопротивление делителя в цепи базы
Выходное сопротивление каскада
Сопротивление нагрузки каскада по переменному току
Коэффициент передачи каскада по напряжению

 

Продолжение таблицы 3.3

 

Параметр Расчетное соотношение
Сквозной коэффициент передачи по напряжению

 

Таблица 3.4 – Расчетные соотношения для схемы с общей базой

 

Параметр Расчетное соотношение
Входное сопротивление транзистора
Входное сопротивление каскада
Выходное сопротивление каскада
Сопротивление нагрузки каскада по переменному току
Коэффициент передачи каскада по напряжению
Сквозной коэффициент передачи по напряжению

 

Таблица 3.5 – Расчетные соотношения для схемы с общим коллектором

 

Параметр Расчетное соотношение
Входное сопротивление транзистора
Входное сопротивление каскада  
Выходное сопротивление каскада , где – эквивалентное сопротивление генератора
Сопротивление нагрузки каскада по переменному току
Коэффициент передачи каскада по напряжению
Сквозной коэффициент передачи по напряжению

 

Таблица 3.6 – Расчетные соотношения для определения нижней и верхней частоты среза каскада

 

Параметр Расчетное соотношение
Нижняя частота среза   , где – эквивалентная постоянная времени каскада в области нижних частот
Эквивалентная постоянная времени каскада в области нижних частот где и – эквивалентные постоянные времени каскада в области нижних частот связанные с i-м разделительным и j-м блокировочным и конденсаторами соответственно
Постоянная времени, связанная с i-м разделительным конденсатором   , где – значение емкости i-го разделительного конденсатора, – внутреннее сопротивление цепи, являющейся источником сигнала, – сопротивление цепи, являющейся приемником сигнала
Постоянная времени, связанная с j-м блокировочным конденсатором   , где i – значение емкости j-го блокировочного конденсатора, – эквивалентное сопротивление цепи, включенной параллельно j-му блокировочному конденсатору
Верхняя частота среза   ,
Эквивалентная постоянная времени каскада в области верхних частот , где – постоянная времени в области верхних частот i-й цепи каскада

 

 

Продолжение таблицы 3.6

 

Параметр Расчетное соотношение
Постоянная времени в области верхних частот i-й цепи каскада , где – емкость i-го узла относительно общего провода, – эквивалентное сопротивление i-го узла относительно общего провода

 

Таблица 3.7 – Расчетные соотношения для определения емкостей усилительных каскадов

 

Параметр Расчетное соотношение
Входная емкость транзистора в схеме с общей базой , где – предельная частота усиления транзистора по току в схеме с ОЭ
Входная емкость транзистора в схеме с общим эмиттером
Входная емкость транзистора в схеме с общим коллектором

 

В качестве примера приведем расчет двухкаскадного усилителя, представленного на рисунке 3.1.

 

Для сокращения объема таблица со справочными параметрами транзисторов в примере не приводится, а в контрольном задании такая таблица должна быть обязательно.

Коэффициент передачи по току транзистора КТ315А равен

.

В данном усилителе имеется отрицательная обратная связь по постоянному току, поэтому статический режим схемы определим из системы уравнений:

(3.9)

Здесь UK , UБ, UЭ – потенциалы коллектора, базы и эмиттера относительно общего провода соответственно, UБЭ – напряжение база–эмиттер, IК , IБ – ток коллектора и базы, причем индекс 1 относится к входному транзистору VT1, а индекс 2 – к выходному транзистору VT2.

В современных транзисторах выполняется соотношение IK>>IБ , поэтому систему (3.9) можно упростить без существенной потери в точности:

(3.10)

Здесь принято UБЭ2 =UБ1= 0,6 В – напряжение на открытых переходах кремниевых транзисторов.

Подставив значение тока IБ1 в первое уравнение системы (3.10) получаем

. (3.11)

Подставив все значения в уравнение (3.11), находим величину базового тока второго транзистора IБ2 = 64 мкА.

Из второго уравнения системы (3.10) определяем значение базового тока первого транзистора IБ1 = 45 мкА.

Токи коллекторов транзисторов:

мА,

мА.

Потенциалы коллекторов транзисторов:

В,

В.

Напряжения коллектор–эмиттер транзисторов:

В, В.

Для обоих транзисторов выполняется условие , следовательно, транзисторы работают в активном режиме.

Находим параметры моделей транзисторов.

Выходные проводимости определяются как

, .

Здесь =100 В – принятое значение напряжения Эрли .

Определяем граничную частоту :

.

Предельная частота усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером равна

.

Объемное сопротивление области базы определяем из постоянной времени коллекторного перехода транзистора:

. Здесь =7 пФ – емкость коллектора транзистора при измерении .

Дифференциальное сопротивление эмиттеров найдем по формулам

, .

Дифференциальное сопротивление эмиттерных переходов определим по формулам

,

.

Входные сопротивления транзисторов равны

, .

 

Емкости эмиттерных переходов находим по формулам

, .

Выходные сопротивления каскадов находим по формулам

, .

Их входные сопротивления равны

, .

Эквивалентные сопротивления нагрузки по переменному току:

, .

Коэффициенты передачи по напряжению:

, .

Сквозной коэффициент передачи по напряжению первого каскада и всего усилителя в целом:

, .

Постоянные времени в области нижних частот , связанные с разделительными конденсаторами С1, С2 и С4, определяются по формулам

,

,

.

Эквивалентное сопротивление второго транзистора по цепи эмиттера:

Постоянная времени в области нижних частот, связанная с блокировочным конденсатором С3, определяется по формуле

.

Эквивалентная постоянная времени в области нижних частот равна

.

Нижняя частота среза определяется по формуле

.

В усилителе имеются три постоянных времени в области верхних частот, связанные с входными цепями входного и оконечного транзисторов и емкостью нагрузки:

, ,

,

.

Эквивалентная постоянная времени в области нижних частот равна

Верхняя частота среза определяется по формуле

.

 

Литература

1 Войшвилло, Г. В. Усилительные устройства / Г. В. Войшвилло. – М. : Радио и связь, 1983.

2 Титце, У. Полупроводниковая схемотехника. / У. Титце, К. Шенк. – М. : Мир, 1982.

3 Галкин, В. И. Полупроводниковые приборы : справочник / В. И. Галкин, А. Л. Булычев, В. А. Прохоров. – 2-е изд. – Минск : Беларусь, 1987.

 

Содержание

 

1 Методические рекомендации по выполнению контрольных

заданий…………………………………………………………………………….3

2 Порядок выполнения первого контрольного задания………………..4

3 Порядок выполнения второго контрольного задания……………….11

Литература…………………………………………………………………21

 
 

 


 


Св. план 2008 , поз. 92

 

 

Учебное издание

 

ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ

 

Методические указания и контрольные задания

для студентов специальности I- 45 01 03 «Сети телекоммуникаций»

заочной формы обучения

 

 

Составитель

ШатилоНиколай Иванович

 

Редактор М. В. Тезина

Корректор Е. Н. Батурчик

 


Подписано в печать 30.05.2008. Формат 60×84 1/16. Бумага офсетная.

Гарнитура «Таймс». Печать ризографическая. Усл. печ. л. 1,51.

Уч.-изд. л. 1,2. Тираж 75 экз. Заказ 40.


Издатель и полиграфическое исполнение: Учреждение образования

«Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники»

ЛИ №02330/0056964 от 01.04.2004. ЛП №02330/0131666 от 30.04.2004.

220013, Минск, П. Бровки, 6