сследование передаточной характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом

орядок выполнения работы

3.2.1 Исследование выходной характеристики полевого транзистора сс управляющим p n переходом

 

Собрать схему, которая приведена на рис.4.7. Параметры функционального генератора (форма импульсов – треугольные): Frequency – 100 Hz, Duty cycle – 50%, Amplitude – 10 В, Offset – “+9В” для транзистора с каналом n-типа или “-9В” для транзистора с каналом p-типа .

Настройки осциллографа: развертка - 0.50 мс/д (Y/T), X position=0.00, Чувствительность по каналу А – 10 В/д (Y position=0.00), режим DC. Чувствительность по каналу В – 10мв/д (Y position=0.00), режим DC. Синхронизироваться в режиме AUTO, передним фронтом импульса.

 

Рисунок. 3.1 – Схема для снятия выходной ВАХ транзистора для

n-канальных транзисторов

 

Открыть осциллограф и включить схему. После появления двух осциллограмм IС(t) и UСИ(t) остановить процесс моделирования. Изображения осциллографа рекомендуется развернуть на весь экран. С помощью визирных линий осциллографа, составить таблицу соответствия тока стока IС напряжению сток-исток UСИ при фиксированных значениях напряжения затвор-исток (табл. 3.1). По полученным данным построить семейство выходных характеристик IС=f(UСИ) при UЗИ=const .

Таблица 3.1 Соответствие тока стока IС напряжению UСИ при фиксированном значении напряжения затвор-исток UЗИ для транзистора с каналом n-типа

 

UЗИ , В UСИ, В 0,5
IС, мА 7,79 14,35 22,28 24,04 27,05 30,2 32,95 34,38
-0,5 IС, мА 6,07 10,72 14,27 15,22 17,18 19,05 20,94 21,89
-1 IС, мА 4,54 7,08 7,81 8,34 9,42 10,44 11,53 12,04
-1,5 IС, мА 2,47 3,14 3,25 3,5 3,93 4,34 4,82 5,05

 

                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       

 

Рисунок 3.2 - Семейство выходных характеристик IС=f(UСИ) при UЗИ=const

 

сследование передаточной характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом

Собрать схему, которая приведена на рис. 3.3

Параметры функционального генератора (форма импульсов – треугольные): Frequency – 100 Hz, Duty cycle – 50%, Amplitude – 2 В, Offset – “-1В” для транзистора с каналом n-типа или “+1В” для транзистора с каналом p-типа .

Настройки осциллографа: развертка – 0.50 мс/д (Y/T), X position=0.00, Чувствительность по каналу А – 2 В/д (Y position=0.00), режим DC. Чувствительность по каналу В – 50мв/д (Y position=0.00), режим DC. Сихронизироваться в режиме AUTO, передним фронтом импульса.

 

Рисунок. 3.3 – Схема для снятия передаточной характеристики транзистора

для n-канальных транзисторов

 

Открыть осциллограф и включить схему. После появления двух осциллограмл IС(t) и UЗИ(t) остановить процесс моделирования. С помощью визирных линий осциллографа, составить таблицу соответствия тока стока IС напряжению затвор-исток UЗИ (до UЗИ.ОТС) при фиксированных значениях напряжения сток-исток (табл. 3.2).

По полученным данным построить семейство передаточных характеристик полевого транзистора с n-p-переходом IС=f(UЗИ) при UСИ=const .

 

 

Таблица 3.2 Соответствие тока стока IС напряжению затвор-исток UЗИ при фиксированном значении напряжения сток-исток UСИ для транзистора с каналом n-типа (пример)

 

UСИ , В UЗИ, В -0,5 -1 -1,5 -2 -2,5 -3
IС, мА 17,82 9,16 4,07 740,12* 903,37* 1104*
IС, мА 22,47 12,1 5,16 941,84* 840,28* 850,32*

 

 

                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       

 

Рисунок 3.4 - Семейство передаточных характеристик полевого транзистора IС=f(UЗИ) при UСИ=const