E) коллектор, база, эмиттер
1617Транзистордаы p-n ауысуларды саны:
A) екі
B) ш
C) бір
D) трт
E) бес
1618Диодты мына материалдардан жасайды:
A) индий, кремний
B) германий, кремний, галлиа арсениді
C) мыс, кремний
D) полоний, германий, кремний
E) орасын, германий, кремний
1619Стабилизаторды ызметі:
A) кіші ток облысында стабилитронны вольтамперлі сипаттамасын тратандыру
B) стабилитронда блінген максималды уатты тратандыру
C) кернеуді тратандыру
D) жылылы тесу облысына стабилитронны ауысуын кшейту
E) кіші ток облысында стабилитронны вольтамперлы сипаттамысын кшейту
1620Ток бойынша кшейту коэффициенті:
A) K1 =U1/I1
B) K1 = U2xx/I2кз
C) K1 = U2m/U1m
D) K1=I2m/I1m
E) K1 = P2/P1
Блог
1701Тесілуді айтымсыз трі:
A) температуралы
B) айтымды
C) жылдам
D) сезімталды
E) жылулы
1702Кернеуді жне токты жоары шамаларына арналан диод?
A) тзеткіш
B) токты кшейтуге арналан диодтар
C) токты трлендіргіштер
D) кернеуді инвенторлары
E) кернеуді тратандыруа арналан p-n асудаы негізгі рал
1703Электр тізбегі шін Киргхофты екінші заы:
A) R1+I=E
B) Ri+uc=E
C) R2+I=E
D) R3+I=E
E) R4+I=E
1704Екі p-n ауысуы бар жартылай ткізгіш рал:
A) эмиттер
B) коллектор
C) биполярлы транзистор
D) база
E) дрыс жауап жо
1705Транзисторды неше трі бар?
A) 3
B) 4
C) 5
D) 2
E) 6
1706Биполяры транзистор дегеніміз
A) ткізгіштігіні типі екі трлі кезектесетін трт айматан тратын уатты кшейтуге арналан жартылай ткізгіштік аспап
B) ткізгіштігіні типі екі трлі кезектесетін екі айматан тратын уатты кшейтуге арналан жартылай ткізгіштік аспап
C) ткізгіш екі трден тратын аспап
D) ткізгіш ш трден тратын аспап
E) ткізгіштігі кезектесетін р текті ш айматардан тратын жартылай ткізгіштік аспап
1707Биполяр транзисторды бітеу режимін жзеге асыру:
A) коллектор тізбегіне тура, эмиттер тізбегіне кері кернеу беру
B) кшті кшейту шін, р титпті ткізгіштік штен айталанатын облысынан ралатын шала ткізгіштік рал дайындау
C) бір тзететін асуы жне 2 сырты шыулары бар шала ткізгіштік рал
D) р типті ткізгіштік 4 айталанатын облысынан ралатын шала ткізгіштік рал дайындау
E) индикация элементтеріне атысты нр шашатын шала ткізгіштік рал дайындау
1708Биполяр транзисторда эмиттер тогы IЭ=10 мА, коллектор тогы IК=9,5 мА. База тогы IБ:
A) IБ=0,4 Ма
B) IБ=0,5 Ма
C) IБ=0,3 мА
D) IБ=0,2 мА
E) IБ=0,1 мА
1709h21 параметріні физикалы маынасы:
A) транзисторды кіріс кедергісі
B) транзисторды шыыс кедергісі
C) ток бойынша кшейту коэффциентi
D) ток бойынша кшейткіш коэффициенті
E) транзистордаы кернеу бойынша ішкі кері байланыс коэффициенті
1710Кернеу бойынша кшею кзі:
A) ернеу кзі энергиясы есебінен
B) ернеу кзінен
C) электр энергиясы есебінен
D) уат кзі энергиясы есебінен
E) электр энергиясынан
1711Ток бойынша кшею коэффициенті 11, кернеу бойынша кшею коэффициенті 10 болса, уат бойынша кшею коэффициенті:
A) Кр=105
B) Кр=100
C) Кр=101
D) Кр=102
E) Кр=110
1712Сигналды кшейтетін кшейткіштер тізбегіні жеке сатысы
A) каскад
B) буын
C) кезе
D) дегей
E) адым
1713Кшейткіште ай элемент негізгі жне басарылатын болып табылады:
A) буын
B) транзистор
C) кезе
D) дегей
E) диод
1714Кшейткіштегі теріс кері байланысты ызметі:
A) сигналды растырушыларыны айнымалысын тратандыру
B) сигналды растырушыларыны тратылыын сатау
C) кшею коэффициенті мен жмыс режимін тратандыру
D) кежолаты сигналдарды тарату
E) жіішке жолаты сигналдарды тарату
1715Теріс кері байланысты о кері байланыстан айырмашылыы:
A) теріс кері байланысты кернеуі сигнал кзі кернеуіне туелсіз болады
B) теріс кері байланысты кернеуі сигнал кзі кернеуіне туелді болады
C) сигнал кзі кернеуіне туелді болады
D) теріс кері байланысты кернеуі сигнал кзі кереуіне арсы фазада болады
E) сигнал кзі кернеуіне туелсіз болады
1716Сигнал айнымалы немесе периодты, егер:
A) уаыт бойынша периоды айталанбаса
B) здіксіз сигнал болса
C) здіксіз сигнал болмаса
D) здіксіз сигнал болып периоды айталанбаса
E) уаыт бойынша периоды айталанса
1717Тадамалы кшейткіш:
A) жиілікті жіішке диапазонындаы сигналды кшейткіш
B) резонансты кшейткіш
C) жоары жиілікті кшейткіш
D) траты токты кшейткіші
E) синусоидальды тербелістік генератор
1718Стабилизатор ...амтамасыз етеді
A) кернеуді тратылыын
B) электр желісіндегі кернеуді тратылыын
C) кедергідегіні тратылыын
D) куатты тратылыын
E) электр энергиясыны тратылыын
1719Параметрлік стабилизаторда мына асиет олданылады:
A) ткізгіш элементтердегі ток згергенде ондаы кернеуді тратылыы
B) кейбір жартылай ткізгіштік элементтердегі ток згергенде ондаы кернеуді траcыздыы
C) кейбір жартылай ткізгіштік элементтердегі ток згергенде ондаы кернеуді тратылыы
D) ток згергенде ондаы кернеуді траcыздыы
E) ткізгіштік элементтердегі ток згергенде ондаы кернеуді траcыздыы
1720Стабилизатордаы тратанатын токты е кіші мні:
A) стабилизаторды ВАС-ыны аз ток аймаындаы сызыты бастапы нктесімен аныталады
B) стабилизаторды ВАС-ыны аз ток аймаындаы сызыты орта нктесімен аныталады
C) стабилизаторды ВАС-ыны аз ток аймаындаы сызыты соы нктелерімен аныталады
D) ток аймаындаы сызы нктесімен аныталады
E) стабилизаторды ВАС-ыны аз ток аймаындаы сызыты сыну нктесімен аныталады
Блог
1801Транзисторды осуды неше трі бар:
A) 3
B) 1
C) 2
D) 4
E) 5
1802Транзисторды дифференциалды кіріс сипаттамасы:
A) h12э
B) h11э
C) h13э
D) h14э
E) h15э
1803Iб=const боланда, шыыс дифференциалды ткізгіштік алай аныталады
A) h5э=Iк/Uкэ
B) h2э=Iк/Uкэ
C) h22э=Iк/Uкэ
D) h3э=Iк/Uкэ
E) h4э=Iк/Uкэ
1804Uкэ=const боланда база тогыны коэффициенті Uкэ=const алай аныталады?
A) h21=Iк1/Iк2
B) h20=Iк1/Iк2
C) h22=Iк1/Iк2
D) h21=Iк/Iб
E) h23=Iк1/Iк2
1805Горизонталь осьті коллектор мен эмиттер арасындаы Uкэ кернеуді Ек мніндегі Iк мні неге те?
A) 1
B) 2
C) 3
D) 4
E) 0
1806Компенсациялы стабилизаторларда зу кшейткіштері ретінде мынаны пайдаланады
A) траты ток кшейткіші
B) кернеу кшейткіші
C) пульсация коэффициенті
D) пульсация коэффициентіні жоарылыына
E) электрондар мен кемтіктерге
1807Тзеткіш схемасындаы трансформаторды ызметі:
A) кернеуді тзеу
B) тзетуге ажет айнымалы кернеу мен уат кзі кернеуін сйкестендіру жне ток кзі мен арадаы гальваникалы байланысты зу
C) кернеуді тмендету
D) кернеудін пульстыын тегістеу
E) кернеуді тратандыру
1808Бір жарты периодты тзету схемасыны кемшілігі:
A) кернеуді кшейту коэффициенті биік болуы
B) токтын кшейту коэффициенті биік болуы
C) пульсация коэффициентіні жоарылыы
D) аздаан кіріс кедергілері болуы
E) шала ткізгіштер бетінде те аз аудан алуы
1809Тзеткішті кпір схемасыны артышылытары:
A) токтын кшейту коэффициенті биік болуы
B) аздаан кіріс кедергілері болуы
C) шала ткізгіштер бетінде те аз аудан алуы
D) бір ана екінші обмотка, трансформаторды тмен уаты, тмен пульсация коэффициенті
E) уаттылыты кшейту коэффициенті лкен болуы
1810L- жне С- элементтерін негізіндегі жаймалау фильтріні жмыс принципі:
A) токтын кшейту коэффициенті биік болуы
B) аздаан кіріс кедергілері болуы
C) шала ткізгіштер бетінде те аз аудан алуы
D) уаттылыты кшейту коэффициенті лкен болуы
E) тзетілген кернеу мні жктемедегі кернеуден жоары болан кезде L- жне С- элементтеріні энергияны з бойына жинатап, оны баса кезде шыаруы
1811Жартылай ткізгіштердегі заряд тасымалдаушылар:
A) электрондар мен кемтіктер
B) электрондар
C) кемтіктер
D) диодтар
E) транзисторлар
1812Рекомбинация
A) токтын кшейту коэффициенті биік болуы
B) электрон мен кемтікті бірігіп бейтараптануы
C) аздаан кіріс кедергілері болуы
D) шала ткізгіштер бетінде те аз аудан алуы
E) уаттылыты кшейту коэффициенті лкен болуы
1813n-типті жартылай ткізгіштегі негізгі заряд тасымалдаушылар:
A) иондар
B) кемтіктер
C) электрондар
D) диодтар
E) транзисторлар
1814р-типті жартылай ткізгіштерде негізгі заряд тасымалдаушылар
A) электрондар
B) иондар
C) диодтар
D) кемтіктер
E) транзисторлар
1815Кремний диодтарындаы ашылу кернеуіні жуы мні
A) 0,5 В
B) 0,4 В
C) 0,3 В
D) 0,2 В
E) 0,6 В
1816Диодты сипаттамасы:
A) токты бір ана баытта жасы ткізетін электр тізбегіні екі электродты элементі
B) згергіш тоты траты тоа згерту
C) траты тоты згергіш тоа згерту
D) бір полярлы тоты екі полярды тоа згерту
E) екі полярлы тоты бір полярды тоа згерту
1817Бейберекет немесе реттелген озалыс нтижесінде электрон мен кемтікті кездесіп бейтараптану рдісі
A) жаару
B) рекомбинация
C) алмасу
D) ткізгіштік
E) жартылай ткізгіштік
1818Температураны серінен жартылай ткізгіштегі заряд тасымалдаушыларды пайда болу рдісі
A) жаару
B) алмасу
C) термогенерация
D) ткізгіштік
E) жартылай ткізгіштік
1819p-n ауысудаы тура токты тудыратын заряд тасымалдаушылар
A) екі p-n аысу
B) ш p-n аысу
C) бір p-n аысу
D) негізгі
E) трт p-n аысу
1820Диодты кедергісі:
A) сызыты
B) жартылай ткізгіштік
C) кернеу ткізгіштік
D) сызыты жартылай ткізгіштік
E) бейсызы
Блог
1901осылуды тсілін ата:
A) орта базамен
B) иондану
C) кемтіктеу
D) ауыту
E) жаару
1902Коллектор тогын табуды формуласын крсет:
A) Iк= f(Uкэ, Ik)
B) Iк=(Eк–Uк)/Rк
C) Uкэ= f(Uкэ, Iб)
D) Uкэ= f(Uкэ, Ik)
E) Uкэ= f(Uбэ, Iб)
1903рістік транзистор нені трінде жасалады?
A) Сте
B) жа пластинка
C) тмен легирленген n типті жа пластинка, стержень
D) алы пластинка
E) пластинка
1904Арнаны жасалу тсіліне арай МДЖ транзисторлар неше трлі болады
A) 3
B) 4
C) 5
D) 2
E) 6
1905Бірінші реттік сигналдарды (кшейтілген кіріс сигналдарды) кзі алай аталады?
A) транзистор
B) диод
C) стержень
D) жа пластинка
E) датчик
1906Кремний жне германий диодтарыны кері токтары арасындаы атынас:
A) Iкері кр>Iкері г
B) Iкері г>Iкері кр
C) Iкері кр<Iкері г
D) Iкері <Iкері кр
E) Iкері <Iкері г
1907 Кремний диодыны германий диодынан артышылыы:
A) германий диодын араанда кері ток шамасы жоары
B) германий диодына араанда кері ток шамасы тмен
C) германий диоды жоары
D) ток шамасы жоары
E) ток шамасы германий диодынан жоары
1908Германий диодыны кремний диодымен салыстырандаы кемшілігі:
A) германий диодына араанда кері ток шамасы жоары
B) германий диоды жоары
C) кремний диодтымен салыстаранда кері токты мні жоары
D) ток шамасы жоары
E) ток шамасы германий диодынан жоары
1909Германий диодыны кремний диодымен салыстырандаы артышылыы:
A) германий диодына араанда кері ток шамасы жоары
B) германий диоды жоары
C) ток шамасы жоары
D) германий диодына салыстыранда ашылу кернеуі тмен
E) ток шамасы германий диодынан жоары
1910Кремний диодыны германий диодымен салыстырандаы кемшілігі:
A) германий диодына араанда кері ток шамасы жоары
B) германий диоды жоары
C) ток шамасы жоары
D) ток шамасы германий диодынан жоары
E) германий диодындаымен салыстыранда ашылу кернеуі жоары
1911Стабилизаторды негізгі параметрі
A) тратандыру кернеуі
B) кернеу мен уат
C) кернеу
D) кедергі
E) ток кші
1912Индикациялау элементіне жататын суле шыаратын жартылай ткізгіштік аспап
A) транзистор
B) светодиод
C) ток кші
D) стержень
E) жа пластинка
1913Температура серінен жартылай ткізгіште болатын заряд тасымалдаушыларды туу рдісі
A) жаару
B) алмасу
C) термогенерация
D) ткізгіштік
E) жартылай ткізгіштік
1914Реттелген немесе бейберекет озалыс нтижесінде заряд тасымалдаушыларды бір-біріне осылуы:
A) жаару
B) алмасу
C) ткізгіштік
D) рекомбинация
E) жартылай ткізгіштік
1915 n-типті жартылай ткізгіште негізгі емес заряд тасымалдаушылар:
A) транзистор
B) диод
C) стержень
D) жа пластинка
E) кемтіктер
1916p-типті жартылай ткізгіште негізгі емес заряд тасымалдаушылар:
A) электрондар
B) транзистор
C) диод
D) стержень
E) жа пластинка
1917ткізгіштігі р текті екі жартылай ткізгіштерді тйіскен аймаы:
A) n-p-n ауысу
B) p-n ауысу
C) p-p-n ауысу
D) p-n-p ауысу
E) p-n-n ауысу
1918Екі шыысы бар, тзеткіш жартылай ткізгіштік аспап
A) транзистор
B) жартылай ткізгіш
C) диод
D) стержень
E) жа пластинка
1919Айнымалы токты тзетуге арналан жартылай ткізгіштік аспап
A) транзистор
B) фотодиод
C) стержень
D) диод
E) жа пластинка
1920Жары серінен ткізгіштігі згеретін жартылай ткізгіштік аспап:
A) транзистор
B) жартылай ткізгіш
C) стержень
D) жа пластинка
E) фотодиод
Блог
2001Бірінші реттік сигналдарды (кшейтілген кіріс сигналдарды) кзі алай аталады?
A) датчик
B) транзистор
C) диод
D) стержень
E) жа пластинка
2002Физикалы тегі р трлі лшенетін параметрлерді электр сигналдарына айналдыратын не?
A) транзистор
B) датчик
C) диод
D) стержень
E) жа пластинка
2003Кшейткіштер кшейтілген сигналдарды тегіне арай нешеге блінеді?
A) 3
B) 4
C) 2
D) 5
E) 6
2004Кшейткіштер кшейтілген сигналдарды жиілігіне арай нешеге блінеді?
A) 4
B) 5
C) 6
D) 3
E) 2
2005те жіішке жолаты кшейту шін андай кшейткіштер олданылады?
A) оперативті
B) оперативсіз
C) жартылай
D) жоары кернеулі
E) селективті
2006Биполяры транзисторды олдану аясы:
A) уатты кшейту
B) кернеу шамасын азайту
C) ернеуді кшйту
D) стержень аясы
E) жа пластинка аясы
2007Биполяры транзистордаы р-n аусыларыны арасындаы айма:
A) транзистор
B) база
C) диод
D) стержень
E) жа пластинка
2008Биполяры транзисторды база аймыынан ткен зарядтарды абылдайтын сырты аймаы:
A) транзистор
B) диод
C) эмиттер
D) стержень
E) жа пластинка
2009Биполяры транзисторды осуда орта электродты айсысы екеніне арай, осуды мынадай тсілдері болады:
A) орта базамен
B) орта эмиттермен, орта коллектормен
C) орта коллектормен
D) орта базамен, орта эмиттермен, орта коллектормен
E) орта базамен, орта коллектормен
2010Транзисторды екі p-n ауысуларыны ортасындаы айма:
A) транзистор
B) диод
C) стержень
D) жа пластинка
E) база
2011Биполярлы транзистор:
A) ткізгіштігіні типі екі трлі кезектесетін ш айматан тратын уатты кшейтуге арналан жартылай ткізгіштік аспап
B) ткізгіштігіні типі екі трлі кезектесетін трт айматан тратын уатты кшейтуге арналан жартылай ткізгіштік аспап
C) ткізгіштігіні типі екі трлі кезектесетін екі айматан тратын уатты кшейтуге арналан жартылай ткізгіштік аспап
D) ткізгіш екі трден тратын аспап
E) ткізгіш ш трден тратын аспап
2012Транзисторды активті жмыс істеу режимі кезіндегі кернеу тмендегідей:
A) эмиттерлік ауысуда кері, коллекторлы ауысуда тура
B) эмиттерлік ауысуда тура, коллекторлы ауысуда кері
C) эмиттерлік ауысуда да, коллекторлы ауысуда кері
D) эмиттерлік ауысуда тура
E) коллекторлы ауысуда кері
2013Биполяры транзистор
A) ткізгіштігіні типі екі трлі кезектесетін трт айматан тратын уатты кшейтуге арналан жартылай ткізгіштік аспап
B) ткізгіштігіні типі екі трлі кезектесетін екі айматан тратын уатты кшейтуге арналан жартылай ткізгіштік аспап
C) кізгіштік типі кезектесіп ауысатын ш айматан трады
D) ткізгіш екі трден тратын аспап
E) ткізгіш ш трден тратын аспап
2014Биполяр транзистор немен басарылады
A) кернеумен
B) куатпен
C) олмен
D) токпен
E) автоматты трде
2015База дегеніміз:
A) екі n-p-n ауысуларыны арасындаы айма
B) екі p-p-n ауысуларыны арасындаы айма
C) екі p-n-n ауысуларыны арасындаы айма
D) екі p-n-p ауысуларыны арасындаы айма
E) екі p-n ауысуларыны арасындаы айма
2016f()=x1*x2 логикалы функциясыны шынайы мнді абылдау шарты тмендегідей
A) аргументті барлыы аиат мн абылдаса
B) егер бр длелдер жалан маынаны абылдайды
C) егер бір длел болсын 1 тен болса
D) бр жадайда
E) дрыс жауап жо
2017Операциялы кшейткішті сипаты:
A) кіріс кедергісі жоары, кшейту коэффициенті тмен
B) кіріс кедергісі жоары, кшейту коэффициенті жоары
C) кіріс кедергісі тмен, кшейту коэффициенті жоары
D) кіріс кедергісі де, кшейту коэффициенті тмен
E) кіріс кедергісі тмен
2018Эмиттерлік айталаышты ызметі:
A) ішкі кедергісі жоары схеманы сйкестендіру
B) ішкі кедергісі тмен схеманы сйкестендіру
C) ішкі кедергісі жоары сигнал кзі мен кіріс кедергісі тмен схеманы сйкестендіру
D) кіріс кедергісі тмен схеманы сйкестендіру
E) кіріс кедергісі жоары схеманы сйкестендіру
2019Электрон мен кемтікті кездесуі нтижесінде еркін зарядтарды жоалуы:
A) жаару
B) алмасу
C) ткізгіштік
D) рекомбинация
E) жартылай ткізгіштік
2020Жартылай ткізгіште жары серінен заряд тасымалдаушыларды пайдаболу процессі
A) жаару
B) алмасу
C) ткізгіштік
D) жартылай ткізгіштік
E) фотогернерация