Сравнительные характеристики оборудования для резки

полупроводниковых пластин на кристаллы (дисковая резка)

 

 

Технико-эксплуатационные данные	Оборудование
04ПП100	ЭМ-225
Скорость вращения шпин­деля (х103), об. / мин		40-45
Глубина реза, мкм	160- 180	180-200
Ширина реза, мкм	50- 100	50 - 100
Тип диска	АСМ-14	ДАР2А-2В
Управление циклом работы	Авто м ати ч еское	Автоматическое

 

Качество при надрезании полупроводниковых пластин определяет­ся необходимостью обеспечения: требуемой глубины резки, минималь­ной величины сколов (сколы не должны выходить за пределы полосы скрайбирования), расположения реза в пределах скрайбирования по осевой линии.

В ТП первая контрольная операция имеет место только после опе­рации ломки пластины на кристаллы, оценивается суммарный процент выхода годных после всех проведенных перед этим операций. С точки зрения сокращения потерь перспективна сквозная резка с использовани­ем транспортных систем в виде адгезионных пленочных носителей, позволяющих транспортировать прорезанную насквозь пластину. При этом выход годных за счет ликвидации операции ломки увеличивается с 93 до 96 %.

Присоединение выводов методом ультразвуковой (УЗ) сварки про­водится в специально подобранном оптимальном режиме. После сварки контролируют внешний вид соединений, проверяют соответствие раз­варенных проводников чертежу, выполнение требований по дефектам топологии кристалла, в том числе в части расположения металлизиро­ванных дорожек, отсутствие отслоения выводов от КП кристалла.

Измерение статических и динамических параметров ИМС, провер­ку функционирования, электротермотренировку проводят с помощью специальной системы функционального и параметрического контроля на установках "Викинг-256", "Визир-Г и на динамическом стенде ВЧ контроля функционирования с помощью автоматизированных испыта­тельных систем "Визир-1", "Элекон-Ф-ЗУМ". Контролируют время задержки по выбранным выходам по испытательным программам, индивидуальным для каждого типа ИМС (БИС). Структура испытатель­ных программ строится в соответствии с требованиями, заложенными в ТУ на ИМС, и, как правило, включает:

а) программу проверки контактирования - обрывов и замыканий
периферийных входов и выходов;

б) контроль статических параметров (I _вх , I _nбp, U_вых и др.);

в) контроль функционирования (логики);

г) контроль времени задержки, быстродействия.

 

Технология сборки и монтажа бескорпусных ИМС

С объемными выводами

 

Метод формирования контактных, выступов на пластине отли­чается простотой и легкостью автоматизации. Он основан на УЗ присоединении предварительно изготовленных золотых выступов к КП кристаллов. Золотые выступы формируются плавлением золо­той проволоки диаметром 30 мкм, после присоединения выступа к контактной площадке кристалла проволока отрезается. Разработа­ны два типа специализированного автоматизированного оборудо­вания для реализации метода: ОЗУС-10000 и УЗС.ПСП. Обозначе­ние ОЗУС-10000 означает "объемных выводов из золота ультразвуковая сварка", далее указан номер разработки завода-изготовителя; УЗС.ПСП - "ультразвуковая сварка, полуавтомати­ческая сварка пауков". Кроме того, для тех же целей используются ручные и полуавтоматические установки для проволочной стыко­вой микросварки, например ЭМ-4006. Установка ЭМ-4006-1 реали­зует ремонтные операции и разварку объемных выводов на кри­сталлах в случае малой эффективности автоматов (маловыводные кристаллы, малое число годных кристаллов на пластине).

Принцип работы автоматов ОЗУС-10000 и УЗС.ПСП состоит в том, что основной объем информации, обеспечивающей их функ­ционирование, заносится в память микроЭВМ "Электроника-60" с помощью перфолент. Оперативная информация заносится в память ЭВМ путем организованных команд пульта коррекции, блока маг­нитного зрения и блока управления.

С помощью проектора или монитора и пульта коррекции про­изводится обход реперных точек кристаллов на пластине и тополо­гии КП кристалла перемещением координатного стола, величина перемещения фиксируется в памяти ЭВМ, после чего ЭВМ выпол­няет перерасчет траектории его движения.

Запуск автоматов осуществляется с помощью клавиш пульта коррекции и блока управления ЭВМ, которая в соответствии с за­данной программой вырабатывает сигналы, поступающие на ис­полнительные механизмы микросварки, приводы координатных столов и т.д.

Выборочная обработка кристаллов на пластине - разварка только годных кристаллов - для УЗС. ПСП осуществляется в резуль­тате обмена информацией блока машинного зрения с видиконом и ЭВМ через блок управления, т.е. происходит поиск и обработка годных, не помеченных эмалью кристаллов. Сравнительные характеристики установок приведены в табл.5.

ТП сборки и монтажа ИМС с объемными выводами на полиимидных носителях имеет общие технологические операции с ТП сборки и монтажа с помощью А1-ПН: резка пластин, измерение статических параметров и функционально-динамический контроль ИМС (установки «Визир-1», «Элекон-Ф-ЗУМ»).

Таблица 5