Интегральные схемы микроэлектроники
Физические основы работы
Полупроводниковых приборов
В полупроводниковых электронных приборах наиболее широко используются контактные явления, возникающие на границе
разделов «металл — полупроводник», «полупроводник с электрон-
ной проводимостью — полупроводник с дырочной проводимостью».
Согласно постулату де Бройля с каждой движущейся массой
вещества связан особый волновой процесс, а длина волны определяется соотношением:
= h / mv,
где h — постоянная Планка;
m — масса;
v — скорость движения.
Волны де Бройля существенно ограничивают подвижность
электронов в атомах. Установлено, что электрон может двигаться
только по такой орбите, вдоль которой укладывается целое число
его волн. Остальные орбиты для электрона запрещены.
В изолированном атоме с одним электроном скорость движе ния электрона по разрешенной орбитеустанавливается такой, при
которой центробежная сила уравновешивает силу притяжения
отрицательно заряженного электрона к положительно заряженному ядру. Каждой разрешенной орбите соответствует своя скорость и, следовательно, своя кинетическая энергия электрона.
Установлено, что, двигаясь по разрешенной орбите, электрон
не расходует (не излучает) энергию. В противном случае, излучая
энергию, электрон по спирали упал бы на ядро. Отсутствие излучения
на разрешенных орбитах — особенность микромира, не
имеющая аналогов и не объяснимая на основании известных законов макромира.
Под действием внешних факторов или спонтанно (самопроизвольно) электрон может переходить с одной разрешенной орбиты
на другую. Чтобы перейти с низкой орбиты на более высокую,
электрон должен получить порцию (квант) энергии, строго равную разности его энергий для двух разрешенных орбит. Такая энергия доставляется атомам ,главным образом, световыми , ультрафиоле- товыми или рентгеновскими лучами, а также при тепловых столкновениях атомов.
Атом, поглотивший один или несколько квантов лучистой
энергии, называется возбужденным. Иногда поглощенная энергия столь велика, что электрон переходит на очень удаленную орбиту и практически отрывается от атома. Такой атом называется
Ионизированным.
Энергетические уровни и зоны.Полная энергия электрона, равная сумме его кинетической (энергии движения по орбите) и потенциальной (притяжения к ядру) энергий, называется энергетическим состоянием атома. Каждой разрешенной орбите соответствует свое энергетическое состояние, которое на диаграмме представляют в виде энергетического уровня. Так как орбиты и их энергии делятся на разрешенные и запрещенные, то и энергетические уровни также могут быть разрешенными и запрещенными. Разрешенные уровни изолированного атома водорода могут иметь следующие значения энергий: при n = 1 Е1 = –13,53 эВ, при n = 2 Е2 = –3,38 эВ,при n =3 Е3 = –1,5 эВ и т. д. Здесь n — порядковый номер разрешенной орбиты, начиная от ближайшей к ядру. Величину n называют главным квантовым числоми используют для описания дискретных свойств микромира.
Рис. 1. Расщепление энергетических уровней атомов, связанных
в кристаллической решетке.
Разрешенный энергетический уровень, характеризуемый главным квантовым числом n, расщепляется на ряд близко расположенных подуровней. Еще сложнее энергетическая картина многоэлектронного атома, входящего в состав молекулы или расположенного в узле кристаллической решетки.
Взаимодействие атомов в решетке приводит к тому, что их энергии расщепляются на большое количество почти сливающихся
подуровней (рис.1), образующих энергетические зоны.
Энергетическая зона, заполненная подуровнями, тем шире,
чем ближе расположены атомы и чем выше энергетический уро-
Вень.
Таким образом, существуют разрешенные и запрещенныеэнергетические зоны.
Всегда существует некоторая, не равная нулю, вероятность того,
что энергия электрона совпадает с подуровнем одной из разре-
шенных энергетических зон.
Вероятность пребывания электрона в запрещенной зоне равна
нулю.
Разрешенные энергетические зоны кристаллов состоят из
большого количества близких друг к другу подуровней. Верхнюю
из заполненных энергетических зон называют валентной, так как
ее электроны способны взаимодействовать с соседними атомами,
обеспечивая молекулярные связи.
Разрешенные энергетические зоны, располагающиеся ниже
валентной, всегда заполнены электронами полностью. Валентная
зона может быть заполнена полностью или частично.
Разрешенная энергетическая зона, расположенная непосред-
ственно над валентной зоной, называется зоной проводимости.
Проводящие свойства кристалла зависят от ширины запрещенной зоны, разделяющей валентную зону и зону проводимости.
Средним значениям ширины запрещенной зоны соответствуют
полупроводниковыекристаллы.
Так как валентная зона и зона проводимости у кристаллических проводников не разделены, электроны свободно переходят
с одного разрешенного подуровня на другой, приобретая упорядоченную скорость под действием приложенного напряжения
(рис.2).
Рис.2. Зонные энергетические диаграммы различных кристаллов:
а- проводник; б- полупроводник; в- изолятор; 1- зона проводимости; 2-валентная зона; 3- запрещённая зона.
У полупроводниковых кристаллов проводимость определяется
прежде всего количеством электронов, преодолевших запрещенную зону и проникших в зону проводимости. Поэтому сопротивление полупроводников уменьшается с увеличением температуры.
Вследствие малой ширины (1 эВ) запрещенной зоны полупроводника
тепловые колебания атомов способны сообщить валентным электронам энергию, достаточную для перехода из заполненной валентной зоны в свободную зону проводимости. Каждый такой переход приводит к возникновению пары носителей заряда:
свободного электрона в зоне проводимости и свободного энергетиче-
ского состояния — дырки — в валентной зоне. Под действием
приложенного к кристаллу напряжения электрон проводимости
движется «навстречу» электрическому полю, а электрон в валентной зоне занимает свободный уровень, освобождая свой уровень
для другого электрона. Это можно рассматривать как движение
положительного заряда (дырки) в направлении электрического
поля.
Генерация пар свободных, т. е. способных перемещаться под
действием приложенного напряжения, зарядов делает кристалл
способным проводить электрический ток, а электропроводность
такого кристалла называется собственной.
Одновременно с образованием пар носителей часть электронов из зоны проводимости спонтанно переходит обратно в валентную зону, излучая кванты энергии. Этот процесс называется рекомбинацией пар. При постоянной температуре устанавливается динамическое равновесие, определяющее концентрацию свободных электронов и дырок (при данной температуре).
Чем выше температура, тем выше концентрация свободных
носителей заряда и тем больше собственная электропроводность
кристалла.
Все вышесказанное справедливо для кристаллов, имеющих
идеальную структуру, которая в природных кристаллах практически не встречается.
Реальные кристаллы содержат многочисленные дефекты кристаллической решетки: точечные, линейные, объемные и поверхностные. В местах нарушения периодической структуры кристалла (внедрения атомов в междоузлия) энергия связи электронов с ядрами изменяется, в результате чего возникают новые энергетические уровни, которые могут выходить за пределы валентной зоны и размещаться в запрещенной зоне вблизи зоны проводимости. Это облегчает переход электронов в зону проводи- мости.
Дефекты кристаллической решетки вызываются также примесями, когда в структуру кристалла внедряют чужеродные атомы. Электроны примесных атомов образуют свои энергетические уровни, которые также располагаются в запрещенной энергетической зоне. Взаимодействие примесных атомов приводит к расщеплению примесных уровней в примесные энергетические зоны.
Переход носителей заряда в свободное состояние при наличии
примесных уровней существенно облегчается, так как сокращается
участок запрещенной зоны, который электронам надо преодолеть.
Электропроводность, возникающую за счет примесных атомов, называют примесной. Характером носителей зарядов и значением примесной электропроводности можно управлять, подбирая состав и концентрацию примесей. В качестве регулирующих примесей, придающих кристаллам полупроводников германия и кремния требуемые свойства, применяют либо пятивалентные элементы (сурьма, мышьяк, фосфор), либо трехвалентные (бор,индий, галлий, алюминий).
Количество атомов примеси обычно на несколько порядков меньше количества атомов основного элемента, так что на многие десятки тысяч атомов германия или кремния приходится
только один атом примеси.
Энергетическая диаграмма кристаллического германия с доста-
точно высокой концентрацией примеси мышьяка изображена
на рис.3
Рис. 3. Замещение в узле кристаллической решетки атома германия атомом мышьяка
Так как примесная зона и зона проводимости размещаются
рядом, а иногда и перекрываются, уже при небольших температу-
рах значительная часть электронов примесной зоны переходит
в зону проводимости. При каждом таком переходе образуется пара
носителей зарядов: электрон в зоне проводимости и дырка в при-
месной зоне. Предположим, что к кристаллу приложено внешнее
напряжение, обычно составляющее несколько десятков вольт.
Под действием этого напряжения положительно заряженные дырки, переходя с одного энергетического подуровня примесной зоны на близко расположенный другой подуровень, практически мгновенно «прижмутся» к дну примесной зоны. Дальнейшее движение дырок, связанное с увеличенным значением их энергии,будет невозможным, так как они не смогут преодолеть широкую запрещенную зону. Электроны будут беспрепятственно двигаться навстречу приложенному напряжению, переходя в зоне проводимости с одного энергетического подуровня на другой. Прохождение тока через кристалл обеспечивается . Электропроводность кристалла называется электронной, а примесь, поставляющая электроны в зону проводимости, — дырочной.
Так как примесная и валентная зоны размещаются рядом, а иногда и перекрываются, уже при небольших температурах значительная часть электронов валентной зоны переходит в примесную зону.
При каждом таком переходе образуется пара носителей зарядов:
электрон в примесной зоне и дырка в валентной зоне. Предположим, что к кристаллу приложено внешнее напряжение в несколько десятков вольт. Под действием этого напряжения электроны практически мгновенно «прижмутся» к «потолку» примесной зоны и потеряют способность проводить ток, соответствующий приложенному напряжению. Дырки упорядоченно движутся по направлению приложенного напряжения, приобретая добавочную энергию, соответствующую этому напряжению, и беспрепятственно переходя с одного на другой энергетический подуровень широкой валентной зоны.
В данном случае прохождение тока через кристалл обеспечи-
вается дырками. Электропроводность такого кристалла называется дырочной, а примесь, отбирающая электроны из валентной зоны, — акцепторной.
Кристаллы с электронной электропроводностью, в которых
электрический ток создается упорядоченным движением отрицательных зарядов, называются кристаллами типа n (от лат. negative — «отрицательный»).
Кристаллы с дырочной электропроводностью, в которых элек- трический ток создается упорядоченным движением положительных
зарядов, называются кристаллами типа p(от лат. positive-«положительный»).
Тепловое возбуждение электронов приводит к тому, что уже
при нормальных температурах некоторая часть электронов, нахо-
дящихся у «потолка» валентной зоны, преодолевает запрещенную
зону.Наряду с основными носителями зарядов некоторую роль в соз-
дании электропроводности играют неосновные носители, коли-
чество которых существенно возрастает при загрязнении кристал-
лов посторонними примесями. В кристаллах n-типа основными
носителями являются электроны, неосновными — дырки. В кри-
сталлах р-типа основные — дырки, неосновные — электроны.
Электронно_дырочный переход. Изолированный кристалл n-типа электрически нейтрален, сумма положительных и отрицательных зарядов в нем равна нулю. Количество атомов, лишившихся одного электрона и превратившихся в положительные ионы, строго равно количеству оторвавшихся от атомов электронов. Чем выше температура, тем больше образуется свободных электронов. Положительные ионы находятся в узлах кристаллической решетки.
Также электрически нейтрален и изолированный кристалл р-типа. Однако в нем в хаотическом тепловом движении находятся
дырки, а атомы акцепторной смеси, захватившие лишний электрон
и превратившиеся в отрицательные ионы, — в узлах кристалличе-
ской решетки.
Приведем кристаллы р- и n- типов в плотное соприкосновение
и рассмотрим процессы на границе раздела (рис.4 а).
а)
б) Рис.4. Возникновение контактной разности потенциалов в электронно- дырочном переходе: а- распределение ионов и свободных носителей заряда в областях,близких к p—n-переходу; б- изменение потенциала в направлении, перпендикулярном плоскости p—n-перехода.
На рисунке ионы обозначены кружками, а свободные носители — знаками «+» и «–». Сразу после соприкосновения кристаллов начнется диффузия дырок из p-области в n-область и диффузия электронов в обратном направлении. Встречаясь, электроны и дырки рекомбиниру- ют, при этом вблизи граничной области образуются два слоя: слева слой «обнаженных» отрицательных ионов, справа — слой «обнаженных» (нескомпенсированных) положительных ионов. Между двумя разноименно заряженными слоями возникает электрическое поле, напряженность которого препятствует диффузии дырок и электронов. Чем больше нескомпенсированных ионов, т. е. чем больше ширина «обнаженных» слоев, тем выше напряженность электрического поля. При некотором значении напряженности диффузный токпрекратится.
Этому значению напряженности соответствуют определенная кон-
тактная разность потенциалов (рис.5б) и определенная ширина
слоя j, в котором рекомбинировали подвижные носители зарядов.
В кристаллах существуют неосновные носители заряда. Под действием напряженности неосновные носители начнут дрей-
фовать навстречу диффундирующим зарядам, возникает дрейфо-
вый ток, направленный навстречу току диффузии. Динамическое
равновесие наступает при равенстве диффузного и дрейфового то-
ков, при этом слой jсильно обеднен свободными носителями заряда, хотя и не лишен их полностью. С приближением к плоскости раздела кристаллов обеднение слоя jносителями зарядов будет все более выраженным.
Ширина обедненного слоя связана с контактной разностью
потенциалов, которая, в свою очередь, зависит от выбора материа-
лов и концентрации примесей. Чем выше контактная разность
потенциалов к , тем шире обедненный слой j.
Контактная разность потенциалов придает р — n-переходу
свойство односторонней проводимости, которое широко приме-
няется в современной технике.
Обозначим r собственную контактную разность потенциалов
обедненного слоя. Если к р — n-переходу подключить источник напряжения U, то разность потенциалов на границах контактного слоя
кристаллов n-ир- типов изменится. Включение p — n- перехода
в электрическую цепь, когда плюс источника подсоединен к области
p, а минус — к областиn, называется прямым. Разность потенциа-
лов контактного слоя в этом случае обозначим к. п. Включение,
при котором к области p подсоединен минус источника, а к области
n — плюс, называется обратным. Соответствующую разность потен-
циалов обозначают к.о (рис. 6).
Рис. 6. Прямое (а) и обратное (б) включениеp — n-перехода
Имея в виду, что сопротивление кристаллов невелико и все
приложенное напряжение практически падает на обедненном
слое, можно записать:
к.п.=к-U; к.о.= к+U
Таким образом, при прямом включении p — n- перехода разность потенциалов на границе обедненного слоя (потенциальный
барьер) уменьшится, а при обратном включении увеличится.
Уменьшение потенциального барьера приводит к возрастанию диффузного тока и уменьшению встречного дрейфового тока. Результирующий ток (его называют прямым) совпадает с диф-
фузным.
Увеличение потенциального барьера приводит к уменьшению
диффузного тока и увеличению дрейфового. Результирующий ток
p — n- перехода и всей замкнутой цепи совпадает с дрейфовым то-
ком. Этот ток называют обратным. Обратный ток в сотни и тысячи раз меньше прямого. Чтобы уменьшить обратный ток, надо уменьшить количество неосновных носителей заряда. Это достигается уменьшением посторонних (нелегирующих) примесей и улучшением структуры кристалла (уменьшением числа дефектов кристаллической решетки). Вентильные свойстваp — n- перехода отображаются его вольт-амперной характеристикой, представляющей зависимость значения и направления тока от значения и полярности напряжения(рис.7)
Рис. 7.Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода
При достижении обратным напряжением некоторого критического значения Uкр обратный ток возрастает. Этот режим называется пробоем р — n- перехода. Различают два вида пробоя:
электрический и тепловой. Электрический пробойне опасен для р-
n- перехода: при отключении источника обратного напряжения
вентильные свойства электронно-дырочного перехода полностью
восстанавливаются. Тепловой пробойприводит к разрушению
кристалла и является аварийным режимом. Он возникает при не-
достаточном охлаждении кристалла. Для борьбы с тепловым про-
боем полупроводниковые приборы снабжаются устройствами,
повышающими теплоотдачу.Электронно-дырочный переход составляет основу полупроводникового прибора.
Полупроводниковые диоды
Полупроводниковым диодом называют прибор с двумя выводами и одним электронно-дырочным переходом.Различают точечные(рис. 8) и плоскостные (рис. 9) диоды .
Рис.8. Конструкция точечного германиевого диода Д103: 1- вывод; 2- стеклянный корпус; 3- полупроводниковый кристалл; 4- стальная пружина.
Рис.9.
Рис. 9.Конструкция плоскостного выпрямительного диода: 1 — вывод;
2 — стеклянная втулка; 3 — полупроводниковый кристалл; 4 — гайка;
5 — шайба; 6 — основание; 7 — металлический корпус.
В стеклянном или металлическом корпусе 2 точечного диодакрепится германиевый или кремниевый кристалл n-типа 3 пло-
щадью порядка 1 кв.мм и толщиной 0,5 мм, к которому прижимается
стальная или бронзовая игла 4, легированная акцепторной присадкой. Прибор включается в схемы через выводы 1.
Малая площадь p — n перехода в точечном диоде обеспечивает ему минимальное значение межэлектродной емкости.Площадь р — n перехода плоскостных диодовдостигает десятков и сотен квадратных миллиметров. Для получения таких площадей используют методы сплавления или диффузии.
Основной характеристикой диода служит его вольтамперная
характеристика, вид которой совпадает с характеристикой р — n
перехода (рис. 7). Вольтамперная характеристика диода существенно зависит от температуры окружающей среды.Одна из важных характеристик диода — пробивное обратное напряжение. Оно несколько увеличивается с повышением температуры, не выходящим за пределы работоспособности диода.
Для характеристики выпрямительных свойств диодов вводится коэффициент выпрямления, равный отношению прямого и обратного токов при одном и том же напряжении.
Выпрямительные диодыприменяют для выпрямления переменных напряжений низких и высоких частот.
Диоды, предназначенные для работы в устройствах высокой
и сверхвысокой частоты, называют высокочастотными. СВЧ диодыиспользуются для модуляции и детектирования сверхвысокочастот-ных колебаний в диапазоне сотен мегагерц, а также в каскадах
преобразования частоты радиоприемных устройств. В качестве
высокочастотных обычно применяют точечные диоды.
Импульсные диодыпозволяют уменьшить время восстановле-
ния свойств диода при изменении полярности приложенного напря-жения.
Стабилитроныиспользуются в качестве стабилизаторов напря-жения в режиме электрического пробоя.
Варикапы— электрически управляемые диоды, электрическая
емкость которых может изменяться в широких пределах при изме-нении приложенного напряжения:
Cвар.= ASпр. (Uвн. +Eк.)-n
где А — конструктивная постоянная;
Sпр — площадь p — n перехода;
Uвн и Ек — соответственно внешнее приложенное напряжение
и контактная разность потенциалов;
n = 0,3 / 0,5 — коэффициент, определяемый геометрией p — n
перехода.
Туннельные диоды,в отличие от рассмотренных выше диодов,
являющихся лишь преобразователями электрического тока, обес-
печивают усиление электрических сигналов.
При туннельном переходе электроны не затрачивают энергию,
И переход совершается со скоростью, близкой к скорости света.
Это позволяет использовать туннельные диоды для генерирова-
ния и усиления СВЧ-сигналов, создания сверхбыстродействую-
щих переключателей различных сверхбыстрых устройств.
Условные изображения основных видов диодов в электрон-
ных схемах приведены на рисунке 10: а — выпрямительные, импульс-ные, СВЧ; б — стабилитроны; в — туннельные; г — варикапы.
Рис. 10. Условные графические изображения полупроводниковых диодов
Биполярные транзисторы
Биполярным транзистором называют полупроводниковый при-
бор, основу которого составляют два взаимодействующих электронно-дырочных перехода и который имеет три вывода или более.
Биполярный транзистор способен выполнять усилительные, генераторные и ключевые функции.
Устройство биполярного транзистора, изготовленного методом сплавления, схематически показано на рисунке 11.
Рис. 11. Схематическое изображение транзистора
В пластинку германия 1, легированного донорной примесью
(с электронной электропроводностью), вплавлены две таблетки
трехвалентного индия 3 (акцептор). В объеме германия возле
пластинок индия образуются две области с дырочной электропро-
водностью 2, разделенные тонким слоем базовой пластины. У гра-
ниц, разделяющих р--области и базу, образуется два электронно -
дырочных перехода. Переход, изображенный на рисунке слева,
называется эмиттерным, а справа — коллекторным. Эмиттерный,
коллекторный переходы и база имеют выводы для включения
приборов в электрическую цепь (Э, К, Б).
Отношение приращения тока коллектора к вызвавшему его приращению тока эмиттера при постоянном напряжении на коллек-торе называется коэффициентом усиления по току: = Iк / Iэ при Uк=const
Коэффициентом усиления сигналаназывается отношение его
приращения на выходе к приращению на входе:
Kx = Xвых. / Xвх.
Транзистор с общим коллектором практически не меняет значе-ние напряжения сигнала. Его называют эмиттерным повторителем.
Характеристики выражают зависимость между напряжениями
и токами в цепях транзисторов.
Входной характеристикойназывается зависимость тока эмиттера от напряжения между эмиттером и базой при неизменном напряжении между коллектором и базой. Устанавливая различные напряжения между коллектором и базой (Uk = const), получим семейство входных характеристик.
Выходной (коллекторной) характеристикойназывается зависи-
мость тока коллектора от напряжения между коллектором и базой
при постоянном токе эмиттера. Задавая различные значения тока
эмиттера ( Iэ = const), получают семейство выходных характеристик.
Переходной характеристикой (характеристикой прямой передачи)называют зависимость тока коллектора от тока эмиттера при
постоянном напряжении между коллектором и базой.
К недостаткам транзистора относится относительно высокая
нестабильность их параметров и характеристик. Для транзисторов характерен также относительно высокий уровень собственных
шумов, вызываемых тепловыми флуктациями плотности носителей зарядов.
. Большое распространение в электронной технике имеют полевые транзисторы и тиристоры.
Интегральные схемы микроэлектроники
Существенные изменения в полупроводниковой технике связа-ны, во-первых, с переходом к интегральным микросхемам (ИМС)
и, во-вторых, с переходом к большим интегральным микросхемам
(БИС).
Интегральной называют микросхему с определенным функцио-нальным назначением, изготовленную не сборкой и распайкой
отдельных пассивных и активных элементов, а целиком, в едином
технологическом процессе.Интегральная схема может быть изготов-лена так, что в объеме одного кристалла полупроводника формиру-ются все ее активные и пассивные элементы. Такая микросхема называется полупроводниковой. Существует технология, при
которой в едином корпусе на подложке помещаются отдельные
(дискретные) полупроводниковые кристаллы, на которых выполнены
активные элементы. Их выводы подключаются к схеме, содержащей пассивные элементы, выполненные по пленочной технологии.
Микросхемы, изготовленные таким способом, называются гибрид-
ными. Гибридные микросхемы могут содержать в себе несколько
полупроводниковых микросхем, объединенных в общем корпусе
в единый функциональный узел. Показатель сложности микросхемы характеризуется числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
Большие интегральные схемы также изготавливают в объеме
одного кристалла. Они характеризуются большой сложностью
и служат в качестве отдельных блоков электронной аппаратуры.
Полупроводниковые интегральные микросхемы.Полупроводниковые интегральные микросхемы изготавливают на одном кристалле введением легирующих примесей в определенные микрообласти.
Современные технологии позволяют создавать в поверхностном
объеме кристалла весь набор активных и пассивных элементов,
а также межэлементные соединения в соответствии с топологией
схемы.
В основу классификации ИМС могут быть положены различные признаки.
Одним из таких признаков служит технология изготовления.
В зависимости от технологии различают гибридные и полупровод-никовые ИМС. В свою очередь, гибридные ИМС делят на толсто-пленочные и тонкопленочные, а в группе полупроводниковых
ИМС выделяют подгруппу совмещенных интегральных ИМС.
Признаком классификации интегральных микросхем является также уровень интеграции. По этому признаку выделяют ИМС
с малой степенью интеграции (от 1 до 10 логических элементов);
со средней степенью интеграции (от 10 до 100 логических элемен'
тов); с высокой степенью интеграции, или большие интегральные
схемы БИС с количеством логических элементов, превышающим
100. Один логический элемент содержит до восьми схемных ком-
понентов.
Еще одним классификационным признаком служит назначе-
ниеИМС, по которому их делят на логические и линейные.
Малые габариты и массы, большая надежность, высокая стабиль-
ность и воспроизводимость параметров, низкий уровень собствен-
ных шумов, малое потребление энергии позволяют применять
ИМС во многих областях техники.