Паспортные данные транзистора КТ316Д

Обозначения в программе Перевод на русский язык Эксплуатационные параметры
Saturation current, IS, (A) Обратный ток коллекторного перехода, Iкб0, (А) 1.16 * 10-14
Forward current gain coefficient, βF Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером, h21
Base ohmic resistance, RB, (Ом) Объемное сопротивление базы, rб,(Ом) 1.69
Collector ohmic resistance, RC, (Ом) Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода, rк диф, (Ом) 0.169
Zero-bias B-E junction capacitance, CE, (F) Емкость эмиттерного перехода, Сэ, (Ф) 1.956*10-11
Zero-bias B-C capacitance, CC, (F) Емкость коллекторного перехода, Ск, (Ф) 9.63*10-12

4. Включить схему, снять семейство входных статических характеристик транзистора Iэ = f(Uэб) при Uкб = const, для чего установить в схеме напряжение Uкб = 0 В и повышать напряжениеUэб от 0 до 1200 мВ (смотри второй столбец Таблицы № 2), отмечая значения тока Iэ транзистора. Меняя значение напряжения Uкб от 0 до 24 В (см. Таблицу № 2), повторить опыты и значения Iэ занести в Таблицу № 2.

Таблица № 2

№ опыта Uэб, мВ Iэ, мА
Uкб = 0 В Uкб = 4 В Uкб = 8 В Uкб = 12 В Uкб = 20 В Uкб = 24 В
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           

5. По данным таблицы построить графики семейства входных статических характеристик исследуемого транзистора в выбранном масштабе.

6. Собрать схему для снятия выходных статических характеристик биполярного транзистора, включенного с общей базой:

 

7. Включить схему, снять семейство выходных статических характеристик транзистора Iк = f(Uкб) при Iэ = const, для чего установить в схеме ток Iэ = 50 мА и повышать напряжение Uкб от 0 до 24 В (как указано в Таблице № 3), отмечая значения тока Iк .Устанавливая ток Iэ как указано в Таблице № 3, повторить предыдущие опыты, данные занести в Таблицу № 3.

Таблица № 3

 

№ опыта Uкб, В Iк, мА
Iэ = 50 мА Iэ = 100 мА Iэ = 200 мА Iэ = 400 мА Iэ = 600 мА Iэ = 800 мА
           
           
           
           
           
           

8. По данным таблицы построить графики семейства выходных статических характеристик исследуемого транзистора в выбранном масштабе.

Пример построения входных и выходных ВАХ биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой, приведен на Рисунке № 1:

9. Пользуясь построенными характеристиками, определить h-параметры транзистора:

- входное сопротивление h11б = ∆Uэб / ∆Iэ, Ом.

- коэффициент обратной связи по напряжению h12б = ∆Uэб / ∆Uкб

- коэффициент передачи тока h21б = ∆Iк /∆Iэ

- выходная проводимость транзистора h22б = ∆Iк /∆Uкб, См.

10. Сделать выводы.

11. Оформить отчет и представить его для защиты.

Содержание отчета: 1. Тема, цель работы.

2. Исследуемые схемы.

3. Результаты измерений (таблицы), расчеты, графики зависимости.

4. Выводы.

Основные вопросы к защите:1. По выполненной работе.

2. Устройство, принцип работы биполярного транзистора.

3. Параметры, предельные параметры биполярных транзисторов.

4. Система h-параметров биполярных транзисторов.

5. Схемы включения биполярных транзисторов.

6. Маркировка, схемное обозначение биполярных транзисторов.

Примечание: Если исследуется другой тип транзистора, то значения приложенных к цепи напряжений, (токов в цепи) могут отличаться, поэтому необходимо проконсультироваться у преподавателя.

Пример вывода: В результате исследования графика семейства входных характеристик видно, что при увеличении напряжения Uэб ток эмиттера …, так как … (описать причину, вызвавшую это изменение), и так далее.