Транзисторы ИМС
Для полупроводниковых ИМС транзисторы являются основными и наиболее сложными компонентами.
В современной интегральной полупроводниковой технике используются транзисторы двух типов - биполярные и полевые (МДП-транзисторы).
Транзисторы ИМС изготавливаются 2-мя методами:
- методом планарно-диффузионной технологии;
- методом эпитаксиально-планарной технологии.
Метод планарно-диффузионной технологии
Рис.9.13 Планарно-диффузионнаятехнология производства биполярного транзистора
(a) - в качестве исходной структуры берется пластина кремния, например, р -типа, на которую наносится защитный слой SiO2 ;
(б) - через незащищенные участки производится диффузия донорной примеси n-типа. В результате диффузии образуются изолированные n-слои - коллекторные области транзисторов.
(в) - повторная диффузия акцепторной примеси с целью получения базовых областей ;
(г) - третья диффузия приводит к образованию эмиттеров.
После этого осуществляют омический контакт с областями коллектора, базы и эмиттера и создают контактные площадки, к которым впоследствии можно присоединить внешние выводы.
Недостаток: p-n-переход не имеет четкой границы. Это объясняется тем, что диффузия идет с поверхности материала. В связи с этим примесь в исходном материале распределяется неоднородно: на поверхности атомов примеси больше, а в глубине меньше. Нечеткость p-n-перехода существенно влияет на качество и свойства компонентов схемы.
Метод эпитаксиально-планарной технологии
(из книги Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники)