I модуль 3 страница

244. Що містять у собі вентилі?

а)* логічну адресу переходу.

б) кодовану інформацію курування.

в) перетворювач імпульсів.

245. Скільки байт займає вентиль, що містить інформацію про логічну адресу входу до деякої системи?

а)* вісім байт.

б) дванадцять байт.

в) чотири байта.

246. Для чого використовуються вентилі виклику?

а) для виклику зовнішнього модуля пам’яті.

б)* для виклику процедур зі зміною рівня привілеїв.

в) для виклику допоміжних пристроїв.

247. Для чого використовуються вентилі задач?

а)* для перемикання задач.

б) для виконання певної задачі.

в) для створення задач.

248. Для чого використовують вентилі пастки?

а) для перемикання задач.

б) для виклику зовнішнього модуля пам’яті.

в)* для переходу до процедур обслуговування переривань.

249.Скільки розрядів займає поле типу сегмента Type?

а)* займає три розряди.

б) 12 Кбіт.

в) два півперіоди.

250. У сегментах коду і даних біт звернення А=0, що це означає?

а) вміст сегменту було видалено.

б) до сегмента було звернення.

в)* до сегмента не було звернено.

251. Які біти керування у старшій тетраді шостого байта дескриптора?

а)* біт гранулярності, біт розміру, біт користувача.

б) біт швидкості, біт терморегулювання.

в) біт закінчення програми.

252 Що означає перекриття сегментів пам’яті?

а) кінцева адреса одного сегмента є адресою іншого.

б)* початкова адреса одного сегмента є адресою іншого.

в) накладання одного сегмента пам’яті на інший сегмент.

253 Який тип організації пам’яті здебільшого застосовують у системах віртуальної пам’яті?

а) послідовна організація пам’яті.

б) паралельна організація пам’яті.

в)* сторінкова організація пам’яті.

254На яку кількість сторінок весь лінійний адресний простір 32-розрядного МП об’ємом 4 Гбайт розбивається? (якщо сторінка містить 4 кбайт)

а)* сторінок.

б) сторінок.

в) 3000 сторінок.

255.якій пам’яті знаходиться каталог сторінки?

а) оперативній пам’яті.

б) зовнішній пам’яті.

в)* фізичній пам’яті.

256.Що містить таблиця сторінок РТЕ (Page Table Entry)?

а) містить командні коди.

б)* містить адреси сторінкових кадрів у фізичній пам’яті.

в) дескриптори вентилів викликів.

257.чого формується фізична базова адреса каталогу сторінок?

а)* із значення рядка таблиці сторінок РТЕ і 12 розрядів зміщення лінійної адреси.

б) 12 розрядів лінійної адреси.

в) 18 розрядів лінійної адреси.

258 Систему привілеїв призначено для ...?

а) для дозволенні взаємодіям користувача, санкціонованих доступів до даних.

б)* для запобігання недозволеним взаємодіям користувача, несанкціонованих доступів до даних.

в) для пошкодження програм і даних.

259 Скільки рівнів привілеїв підтримують 32-розрядні процесори?

а)* чотири.

б) три.

в) п’ять.

260При якій умові дозволяється доступ до даних? (CPL (Code Privilege Level))

а) CPL-DPL=0

б)* CPL≤DPL

в) CPL=DPL

261Що ідентифікує дозволені точки входу у кодові сегменти з більшим рівнем привілею?

а)* вентиль.

б) мікро контролер.

в) зовнішній пристрій.

262За допомогою яких команд відбувається перемикання задач?

а)* JMP FAR.

б)JAM ZIP.

в) TTX.

263 У якому році з’явився мікропроцесор і386?

а) 1895р.

б)* 1985р.

в) 2003р.

264 Скільки містить транзисторів мікропроцесор і386?

а) 250.

б) 2 500.

в)* 275 000.

265 Чому дорівнює розрядність регістрів, шин даних та адреси?

а)* 4.

б) 12.

в) 32.

266 Яка ємність пам’яті мікропроцесора і386?

а) 12 Гбайт.

б)* 4 Гбайт.

в) 4 Кбайт.

267У скількох рижимах може працювати мікропроцесор і386?

а) * 3 режими роботи.

б) 1 режими роботи.

в) 32 режими роботи.

268 У якого МП відбувається швидше перемикання і386 чи і80286?

а) і80286.

б)* і386.

в) однаково.

269Який механізм адресації має мікропроцесор і386?

а)* сторінкової адресації.

б) послідовної адресації.

в) одночасної адресації.

270 У якому році з’явився мікропроцесор і486?

а)1987

б)1988

в)*1989

271 За якою технологією виконано мікропроцесор і486?

а)*1 мікрометр

б)1 нанометр

в)1 пікометр

272 Яка кратність тактової частоти може бути у модифікації 486DX2 мікропроцесора і486?

а) 1 ; 2 ; 3

б)*2 ; 2.5 ; 3

в) 1 ; 2 ; 3,5

273 Починаючи з якої серії в мікропроцесорах застосовується внутрішне розділене кешування команд і даних?

а) і286

б) і386

в) і486

274 Яка розрядність регістрів МП 8080?

а) 8

б)* 16

в) 32

275 Яка розрядність регістрів МП 386SX?

a) 8

б) 16

в)*32

276 Яка розрядність шини даних МП 486DX?

a) 8

б) 16

в)*32

277 Яка ємність кеш-пам’яті МП 386SLC?

а)* 8 кбайт

б) 16 кбайт

в) 32 кбайт

278 Для чого призначений пакетний режим передачі даних?

а)*для швидких операцій з рядками кеш-пам’яті

б) для швидкого вимкнення комп’ютера

в) для стирання інформації з носіїв інформації

279 Яким сигналом повідомляє МП зовнішньому пристрою про завершення пакетного циклу?

а)*BLAST#

б) END#

в) READY#

280Чому кратна адреса першого рядку кеш-пам’яті?

а) 64

б)*128

в) 256

281 Для чого призначені буфери відкладеного запису?

а) для для запису вмісту акумулятора до регістрів мп

б)* для запам’ятання данних в буфері, коли зовнішня шина зайнята

в) для обчислення великих чисел

282 Скільки буферів відкладеного запису в і486?

а) 1

б) 2

в)*4

283У скільки тактів інформація записується до буферів відкладеного запису у МП і486?

а)* 1

б) 2

в) 4

284 Куди передається інформація з буфера відкладеного запису після закінчення поточного циклу шини?

а) регістри МП

б)* пам’ять або ПВВ

в) стирається

285 Для чого призначені процесори OverDrive?

а)*модернізації МПС або ПЕОМ

б) покращеня роботи мікроконтроллера

в) для підключення зовнішніх пристроів

286 Для чого призначений режим системного керування SMM?

а)* виконання программ

б) запис в регістр

в) стирання даних акумулятора

287 Скілько розрядний МП Pentium?

а) 16

б) 28

в) *32

288 Скільки розрядів у внутрішній шині МП Pentium?

а) 32

б)* 64

в) 128

289 Продовженням якиї серії є процесор МП Pentium?

а) і386

б) К700і

в)* і80чх86

290 Яка технологія була застосованя уперше у МП Pentium?

а)*0,8 мкм BiCMOS

б) 0,9 мкм BiCMOS

в) 1 мкм BiCMOS

291 Скільки транзисторів у МП Pentium?

а) 100 тисяч

б) 1 млн

в)*3.1 млн

292 Яка архітектура МП Pentium?

а)* суперскалярна

б) супервекторна

в) суперунітарна

293 Завдяки чому МП Pentium підтримує декілька типів циклів шин?

а) завдяки супер скалярній архітектурі

б) завдяки SMM

в)* завдяки 64 разрядності шини

294 Яку швидкість передачі має МП Pentium з частотою шини 66 Мгц?

а)*528 мб/с

б) 528 кб/с

в) 528 б/с

295 Шо означає суперскалярнаа рхитектура МП?

а)має один обчислюваний блок

в)* містить більше одного обчислюваного блока

б)замінність блоків МП

296 Скільки конвеєрів має МП Pentium?

а)*2

б) 4

г) 8

297 Для чого використовується конвеєр у МП Pentium?

а) для конвертації чисел

б) для подачи даних

в) для виконання двух оманд одночасно *

298 Які команди виконує подвоєний конвер МП Pentium?

а) цілочислові команди у 5 єтапів *

б) переносу

в) запису

299. Скількох розрядний буфер відкладеного запису має конвеєр?

а) 16

б) 32

в)* 64

300. В скільки тактів заповнюється буфер відкладеного запису?

а)* 1

б) 2

в) 3

301. Скількох тактовий конвеєр має високопродуктивний математичний співпроцесор БКОПК?

а) 4

б)*8

в) 16

302. Які арифметичні операції можуть здійснювати апаратні засоби?

а)* множення,ділення, додавання

б)піднесення до степеня, інтегрування

в)диференціювання, віднімання

303. Яке виконання команд використовується у процесорі Pentium?

а) фіксоване виконання

б)* апаратне виконання

в) електричне виконання

304. Яка ємність кеш-пам’яті МП Pentium?

а)* 8 кбайт

б) 16 кбайт

в) 32 кбайт

305. Скільки інтерфейсів має кеш-пам’ть даних?

а) 1

б)* 2

в) 4

306. Скільком процесорам дозволяє працювати архітектура Pentium у мультіпроцесорних системах?

а)* 2

б) 20

в) необмежено

307. Який розмір розширеної сторінки пам’яті?

а) 2 Мб

б)* 4 Мб

в) 8 Мб

308. Що має додатково до базової архітектури 32 МП Pentium?

а)* набір регістрів

б) набір тиристорів

в) набір семісторів

309. Який регістр викликає спрацювання контролю машинної помилки?

а)* регістри-фіксатори адреси і даних циклу

б) пневматичний

в) абразивні

310 Яку можливість можуть здійснювати МП Pentium у неробочому режимі?

а)* можливість зменшення енергоспоживання.

б) можливість збільшити швидкодію.

в) можливість від’єднання МП

311. Яку напругу живлення мають МП Pentium Р5 ?

а) 220 В

б) 380 В

в)* 5 В

312. Що потребують МП Pentium Р5 для нормальної працездатності?

а)* примусового охолодження

в) напругу живлення 220 В

г) температуру робочого середовища 95°

313. Яке виконання команд застосоване у процесорі Pentium Рro (P6)?

а) фізичне виконання програм

в)* динамічне виконання команд

г) подвоєне виконання програм

314. Який процесор Pentium орієнтований на мультимедійне 2D- і 3D-

графічне та комунікаційне застосування?

а) Pentium Рro (P6)

б) Pentium Р5

в)* Pentium ММХ (Р55С)

315. Скількох розрядні регістри у МП Pentium ІІІ?

а)* 128-розрядний

б) 64-розрядний

в) 24-розрядний

316. Скільки операцій одночасно може виконувати МП Pentium ІІІ?

а) 8

б)* 4

в) 2

317. Яка архітектура у процесорах AMD?

а)* гібридна CISC/RISC-архітектура

б) подвоєна архітектура

в) гібридна СІО

318. Яка архітектуру має МП AMD-К6-2?

а)* RISC

б) гібридну архітектуру

в) SIMD

319. В наслідок чого процесори Pentium для мобільних телефонів мають

знижене енергоспоживання?

а) габаритні розміри

б)* зниження напруги живлення ядра процесора

в) зменшення функціональності блокнотного персонального комп’ютера

320. У якому році фірми Intel і Hewlett-Packard розробили нову

мікропроцесорну архітектуру ЕРІС?

а)* 1997р.

б) 2001р.

в) 2006р.

321. Скільки команд здатний виконувати процесор Itanium 2 за один машинний цикл?

а)2

б)* 6

в) 12

322.Для чого використовується система пам’яті у МПС?

а)* запису, зберігання, видачі інформації.

б) запису, зберігання, подвоєння.

в) запису, видалення, видачі інформації.

323. Що називається запам’ятовувальним пристроєм?

а) технічні засоби, що реалізують функції мультиплексора.

б) технічні засоби, що реалізують функції передачі інформації.

в)* технічні засоби, що реалізують функції пам’яті.

324. Що являє собою над оперативний ЗП або регістрова пам’ять МП?

а)* сукупність регістрів загального призначення.

б) сукупність конденсаторів.

в) сукупність транзисторних запам’ятовувачів.

325. Що таке внутрішня кеш-пам’ять?

а) сукупність конденсаторів.

б) це оперативна пам’ять логічного типу.

в)* це оперативна пам’ять статичного типу.

326. Яка пам’ять має більшу ємність внутрішня кеш-пам’ять чи зовнішня

кеш-пам’ять?

а) мають однакову ємність.

б) внутрішня кеш-пам’ять.

в)* зовнішня кеш-пам’ять.

327. На якій частоті працює зовнішня кеш-пам’ять?

а) 1200 ГГц.

б)* на частоті шини.

в) на частоті зовнішнього пристрою.

328. Для чого використовують зовнішня кеш-пам’ять?

а)* для зменшення кількості звернень до менш швидкодіючих пристроїв пам’яті.

б) для зменшення кількості звернень до більш швидкодіючих пристроїв пам’яті.

в) для завершення роботи ЕОМ.

329. Що таке оперативна пам’ять?

а) це пам’ять логічного типу.

б)* це пам’ять статичного або динамічного типу.

в) це пристрій для швидкодії обміну інформації.

330. Який елемент являється пам’яттю в ОЗП динамічного типу?

а)* конденсатор.

б) транзистор.

в) резистор.

331. Що відбудеться з інформацією записаною в оперативну пам’ять після вимкнення живлення?

а)* втрачається.

б) залишається.

в) передається на інший ОЗП.

332. Що таке постійна пам’ять?

а) являє собою спеціальну мікросхему, що не містить інформацію.

б) являє собою спеціальну мікросхему, що містить інформацію і змінюється у процесі виконання програми.

в)* являє собою спеціальну мікросхему, що містить інформацію, і не змінюється у процесі виконання програми.

333. . Що відбудеться з інформацією записаною в постійну пам’ять після

вимкнення живлення?

а) втрачається.

б)* залишається.

в) передається на інший ОЗП.

334. До якої пам’яті відноситься зовнішня пам’ять за швидкість запису та

читання інформації?

а)* найповільніша.

б) швидкодіюча.

в) однакова з іншими ЗП.

335. Чим визначається розрядність даних?

а) визначається ємністю комірки пам’яті.

б)* визначається розрядністю комірки пам’яті.

в) визначається довжиною комірки пам’яті.

336. Яка основна складова частина ПЗП?

а)* елемент пам’яті, який зберігає 1біт інформації.

б) елемент пам’яті, який передає 1біт інформації.

в) елемент пам’яті, який зберігає 1Гбіт інформації.

337. У що об’єднано елементи пам’яті основної складової частини ПЗП?

а) в вузол нагромаджувача інформації.

б) в зовнішній ЗП.

в)* в матрицю нагромаджувача інформації.

338. На які типи за способом програмування розрізняються ПЗП?

а) програмовані одноразово.

б)* програмовані одноразово та багаторазово.

в) програмовані дворазово.

339. Який принцип одноразового програмування користувачем?

а)* перепалювання плавких перемичок на кристалі.

б) перемикаючи перемикач на ПЗП.

в) змінюючи спосіб підключення ПЗП.

340. Які способи стирання ПЗП багаторазового програмування?

а) перепалювання плавких перемичок на кристалі.

б) ультрачервоне та електричне стирання.

в)* ультрафіолетове та електричне стирання.

341. Яку має ємність ВІС ПЗПМ К505РЕ3?

а)* 512*8.

б) 64*8.

в) 128*128.

342.Що використовується у мікросхемі К596РЕ1 для зниження споживаної потужності?

а)* рижим імпульсного живлення.

б) використання додаткового живлення.

в) зменшення швидкодію пристрою.

343. Як називається процес занесення інформації у ПЗП?

а) запайка.

б)* прошивання.

в) протягування.

344. У якому режимі працюють мікросхеми ПЗПМ?

а)* зберігання та зчитування.

б) запису та передачі

в) в режимі стирання.

345. Що необхідно для зчитування мікросхеми ПЗПМ?

а) треба подати сигнал керування.

б)* треба подати код адреси та сигнал керування.

в) треба подати код адреси керування.

346. Яким рівнем треба подати сигнал керування ПЗПМ якщо він інверсний?

а) Р-рівнем.

б) Н-рівнем.

в)* L-рівнем.

347. Якого рівня мають вхідні сигнали мікросхеми ПЗПМ?

а) Р-рівнем.

б)* ТТЛ-рівень.

в) L-рівнем.

348. Який принцип одноразового програмування користувачем ПЗП?

а)* перепалювання плавких перемичок на кристалі.

б) перемикаючи перемикач на ПЗП.

в) змінюючи спосіб підключення ПЗП.

349. За якою технологією здебільше виготовлено мікросхеми ППЗП що випускає вітчизняна промисловість?

а)* ТТЛШ-технологія.

б) GVS-технологія

в) ІІЛ-технологія.

350. Які мікросхеми мають найнижчий рівень енергоспоживання?

а) К565.

б) К556.

в)* К1623.

351. Яка напруга логічного 0 у ППЗП?

а) 2,4В

б)* 0,4В

в) 220В

352 Яка напруга логічного 1 у ППЗП?

а)* 2,4В

б) 0,4В

в) 220В

353. Скільки разів можливо перепрограмувати РПЗП?

а) від 100 до 300.

б) від 5 до 10.

в)* від 100 до 10 тис.

354. Яку напругу подають імпульс у режимі перепрограмуванні?

а) 1-2В

б)* 21-25В

в) 220-380В

355. Якої полярності імпульс у режимі перепрограмуванні?

а)* +

б) -

в) +,-.

356. За допомогою чого стирають інформацію з РПЗП?

а) перепалювання плавких перемичок на кристалі.

б) за допомогою електричного стирання.

в)* за допомогою ультрафіолетового світла.

357. Яка можливість зберігання заряду доведено теоретичними розрахунками?

а) до відключення живлення.

б)* сотні років.

в) п’ять діб.

358. Яку споживану потужність використовує РПЗП-УФ К573РФ9?

а) 1100 мВт

б) 20 мВт

в)* 550 мВт

359. Який недолік мікросхеми РПЗП-УФ?

а)* мала кількість циклів перепрограмувань.

б) великі габаритні розміри.

в) велике енергоспоживання.

360. Яку кількість циклів перепрограмувань мають мікросхеми РПЗП-УФ?

а) від 100 до 1000

б) від 1 до 10

в)* від 10 до 100

361. До чого призводить вплив випромінювання УФ мікросхеми РПЗП-УФ?

а) до зменшення енергоспоживання.

б)* до швидкого старіння діелектрика.

в) до збільшення енергоживлення.

362. Яка істотна перевага мікросхеми РПЗП-УФ?

а) не чутливість до висвітлення.

б) велика швидкість стирання.

в)* порівняно висока швидкодія.

363. Що відповідає стан транзистора без заряду електронів у діелектрику у багаторазово програмованих з електричним стиранням ПЗП?

а) логічний 1.

б)* логічний 0.

в) логічний 0 та логічний 1.

364. За допомогою чого можна досягти програмування та стирання багаторазово програмованих з електричним стиранням ПЗП?

а) за допомогою додаткового джерела живлення.

б) за допомогою зовнішнього пристрою.

в)* за допомогою напруги однієї полярності.

365. За допомогою якого явища можна досягти програмування та стирання багаторазово програмованих з електричним стиранням ПЗП?

а)* лавинної інжекції електронів.

б) за допомогою інтерференції ультрафіолетового світла.

в) за допомогою зміни полярності.

366. Який імпульс треба подати на затвор для стирання багаторазово програмованих з електричним стиранням ПЗП?

а) позитивну напругу.

б)* негативну напругу.

в) позитивну та негативну одночасно.

367. Куди надходять сигнали зчитані з елементів обраного рядка багаторазово програмованих з електричним стиранням ПЗП?

а) на вхід дешифратора.

б) на виходи селектора.

в)* на входи до селектора.

368. Що керує селектором у багаторазово програмованих з електричним стиранням ПЗП?

а)* чотири молодші розряди адресного коду.

б) один молодший розряд адресного коду.

в) чотири старші розряди адресного коду.

369. Що означає клерувальний сигнал ?

а) сигнал зчитування.

б) дозвіл режиму запису.

в)* вибір мікросхеми.

370. Що означає клерувальний сигнал ?

а) сигнал зчитування.

б)* дозвіл режиму запису.

в) вибір мікросхеми.

371. Що означає клерувальний сигнал ?

а)* сигнал зчитування.

б) дозвіл режиму запису.

в) вибір мікросхеми.

372. Що означає клерувальний сигнал ?

а) сигнал зчитування.

б) дозвіл режиму запису.

в)* сигнал стирання інформації.

373. Процес стирання починається з моменту подачі імпульсу . Яка тривалість цього імпульсу?

а) від 1 до 2 мс.

б)* від 100 до 200 мс.

в) 1с.

374. Скільки джерел живлення потребують мікросхеми РПЗП з ЕП на

р-МНОН?

а) 1.

б)* 2.

в) 3.

375. Яку напругу живлення мають мікросхеми РПЗП з ЕП на

р-МНОН?

а) 0,5-7В.

б) 12-24В.

в)* 30-40В.

376. Скільки джерел живлення потребують мікросхеми РПЗП з ЕП на

n-МНОН?

а)* 1.

б) 2.

в) 3.

377. Яку напругу живлення мають мікросхеми РПЗП з ЕП на

n-МНОН?

а) 27В.

б) 24-36В.

в)* до 20В.

378. Яка фірма вперше розробила флеш-пам’ять?

а)* Intel.

б) Samsung.

в) LG.

379. У якому році було вперше випущено флеш-пам’ять?

а) 2006р.

б) 1991р.

в)* 1988р.

380. До якого типу відноситься флеш-пам’ять?

а) енергозалежний тип.

б)* енергонезалежний тип.

в) напівпровідниковий.

381. Яке стирання використовується у флеш-пам’яті?

а)* електричне стирання.

б) ультрафіолетовим опроміненням.

в) відключення джерела живлення.

382. На якому транзисторі побудовані елементи мікросхеми флеш-пам’яті?

а) n-МНОН транзистор.

б) n-р-n МНОН транзистор

в)* МОН транзистор з ПЗ.

383.ка кількість транзисторів у флеш-пам’яті?

а)* 1.

б) 100 тис.

в) 100.

384. Яка напруга використовується для запису у флеш-пам’ять?

а)* 12В

б) 0,5В

в) 220В

385. У якому вигляді розміщено елемент пам’яті в флеш-пам’яті?

а)* у вигляді прямокутної матриці.

б) у вигляді трикутної матриці.

в) у вигляді окремого ЗП.

386. Для чого використовують мікросхему групи ВООТ-BLOCK?

а) для очищення реєстру.

б)* для зберігання BIOS.

в) для накопичення інформації.

387. Яка кількість циклів стирання/запису флеш-пам’яті?

а) 500

б) <100 000

в)* >100 000

388. Який час читання байт/слова у флеш-пам’яті?

а) 0,25с

б) 1с

в)* 100нс.

389. Яка напруга живлення мікросхеми флеш-пам’яті?

а)* 5В.

б) 25В.

в) 127В.

390. Для чого використовують вхід Write Protect у мікросхемах?

а) для вимкнення мікросхеми.

б) для здійснення перевантаження пристрою.

в)* для керування захистом записаних у мікросхему даних.

391. У якому режимі працюють мікросхема якщо не вході не підключено логічний рівень MODE?

а) у фізичному режимі запису.

б)* у сторінковому режимі запису.

в) у логічному режимі запису.

392. Для чого використовуються оперативні запам’ятовувальні пристрої?

а) для обробки інформації.

б) для кодування інформації, одержану в процесі роботи МПС.

в)* для зберігання інформації, одержану в процесі роботи МПС.

393. До чого призводить зчитування інформації з динамічних ОЗП?

а)* руйнування інформації.

б) інформація залишається у ОЗП.

в) інформація передається на інший ЗП.

394. Що є елементом пам’яті статичного ОЗП?

а) транзистор.

б)* тригер.

в) тиристор.

395. Яка напруга живлення мікросхеми серії К537?

а) 127В.

б) 12В.

в)* 5В.

396. Яка напруга живлення мікросхеми серії К537 підчас запису інформації?

а)* 2-3В

б) 3-4В

в) 5В

397. Що являється елементом пам’яті у мікросхемах ОЗП динамічного типу?

а) МДН-транзистор.

б) конденсатор.

в)* конденсатор р-n-переходу МДН-транзистора.

398. Що означає заряджений стан конденсатора?

а) вважають станом логічної одиниці та нуля.

б)* вважають станом логічної одиниці.

в) вважають станом логічної нуля.

399. Що означає розряджений стан конденсатора?

а) вважають станом логічної одиниці та нуля.

б) вважають станом логічної одиниці.

в)* вважають станом логічної нуля.

400. Скільки становить час вибірки для динамічного ОЗП?

а) 0,5 с.

б)* 70-200 нс.

в) 100-500 нс.

401.У якого ОЗП більша швидкодія статичного чи динамічного?

а)* статичний ОЗП.

б) динамічний ОЗП.

в) однакова швидкодія.

402. Від чого залежить швидкодія динамічного ОЗП?

а) від часу перемикання.

б) від часу запуску ОЗП.

в)* від часу зарядки та розрядки конденсатора.

403. Що використовують для забезпечення адресування всієї ємності пам’яті ОЗП?

а) інжекції електронів під затвор.

б) підвищення енергоспоживання.

в)* мультиплексування адресних сигналів у часі.

404.За яким сигналом відбувається зчитування у ОЗП динамічного типу?

а)

б)

в)*

405. Що використовується для керування ОЗП динамічного типу?

а)* контролери динамічної пам’яті.

б) контролери фізичної пам’яті.

в) контролери статичної пам’яті.

406. Що формують контролери динамічної пам’яті в ОЗП?

а) сигнал закінчення програми.

б)* адресні та клерувальні сигнали.

в) формуючі сигнали.

407. Для чого використовується сигнал ОЗП динамічного типу?

а)* використовується як сигнал стропування для керування шинами

формувачами модуля пам’яті.

б) для регістрації інформації у динамічному ОЗП.

в) для кодування інформації, одержану в процесі роботи МПС.

408. У вигляді чого організовано динамічну пам’ять у ОЗП?

а) у вигляді регістру.

б) у вигляді архіву.

в)* у вигляді банків.

409 До чого призводить збільшення ємності пам’яті МПС?

а) підвищення швидкодії.

б)* зниження швидкодії.

в) зменшення енергоспоживання.

410. Який час звернення до кеш-пам’яті?

а) 0,1 с.

б) 900 нс.

в)* 70нс.

411. На чому реалізується кеш-пам’яті?

а)* на основі ВІС ОЗП статичного типу.

б) на основі ВІС ОЗП динамічного типу.

в) на основі ППЗП динамічного типу.

412. Для чого використовують кеш-пам’ять?

а) для обміну інформації між МП та ППЗП.

б) для регістрації інформації.

в)* для обміну інформації між МП і ОЗП.

413. У чому полягає принцип часової локальності в кеш-пам’яті?

а) після зчитування даних звернення програми протягом деякого часу

неможливе.

б) перед зчитування даних існує ймовірність звернення програми

протягом деякого часу знову до них.

в)* після зчитування даних існує ймовірність звернення програми

протягом деякого часу знову до них.

414. Як записується інформація із основної пам’яті до кеш-пам’яті?

а)* блоками по 2-4 слова.

б) блоками по 24-64 слова.

в) блоками по 8-16 слова.

415. Які кеш-пам’яті містить кеш-пам’ять з прямим відображенням?

а) тільки кеш-пам’ять ознак.

б) тільки кеш-пам’ять даних

в)*кеш-пам’ять даних та кеш-пам’ять ознак.

416. Скільки адресних розрядів потрібно для визначення адреси одного рядка кеш-пам’яті ознаки з прямим відображенням?

а) 7.

б)* 14.

в) 2.

417.С кільки потрібно розрядів для визначення одного байта у рядку кеш-пам’яті з прямим відображенням?

а) 14

б) 1

в)* 2

418. Скільки адресних розрядів потрібно для визначення адреси одного рядка кеш-пам’яті даних з прямим відображенням?

а) 7.

б)* 14.

в) 2.

419. До якої пам’яті спочатку звертається процесор у разі потреби зчитування даних?