Вырожденные полупроводники
Рассмотренные выше полупроводники, идущие на изготовление большинства обычных полупроводниковых приборов, имеют концентрацию легирующих примесей порядка 1014 — 1018см−3. Дальнейшее повышение количества примеси приводит к качественным изменениям свойств полупроводниковых материалов, которые необходимо рассмотреть. Знание свойств таких сильнолегированных материалов очень важно, потому что они служат основой для изготовления туннельных диодов.
В обычных полупроводниках атомы примеси, произвольно расположенные в исходном материале, достаточно удалены друг от друга, так что между собой не взаимодействуют. На энергетической диаграмме это отображается расположением отдельных, не расщепленных в зону энергетических уровней электронов примесных атомов. Вследствие локализованности этих уровней электроны, находящиеся на них, не могут перемещаться по кристаллу и участвовать, таким образом, в электропроводности.
По мере увеличения концентрации примесей расстояния между их атомами уменьшаются, что увеличивает взаимодействие между ними. Это приводит к расщеплению примесных уровней в примесную зону, которая может слиться с основной зоной (зонной проводимости для примесной зоны доноров или с валентной зоной для примесной зоны акцепторов). Такое слияние зон происходит при концентрациях примеси, превышающих, некоторое критическое значение. Так, для германия значение этой концентрации составляет около 2·1019 см−3, а для кремния — 6·1019 см−3. Такие сильнолегированные полупроводники относятся к типу вырожденных, отличительной чертой которых является то, что уровень Ферми находится внутри либо зоны проводимости, либо валентной зоны.
|
|
|
 |
Для определения положения уровня Ферми в вырожденном полупроводнике можно воспользоваться тем же графическим методом по определению положения этого уровня, который был применен к обычным (невырожденным) полупроводникам. Соответствующие построения для электронного и дырочного полупроводников приведены на рис. 4. Как видно изграфиков, уровень Ферми расположен внутри зоны проводимости для электронного полупроводника и внутри валентной зоны для дырочного, что характерно для вырожденных полупроводников.
Энергетическая диаграмма p-n-перехода, образованного вырожденным электронным и дырочным полупроводниками, показана на рис. 4. Так как уровни Ферми в обеих частях полупроводника в состоянии термодинамического равновесия должны сравняться, то выполнение этого условия приводит к перекрытию зон. Дно зоны проводимости электронной области получается ниже потолка валентной зоны дырочного полупроводника и, как видно из рис. 4, величина контактной разности потенциалов φk при контакте двух вырожденных полупроводников будет близка к ширине запрещенной зоны Eg=(Ec — Еv) исходного материала [так как(EV — ЕF)<<Eg то Eg ≈ e· φk]. Ширина p-n-перехода обратно пропорциональна концентрации примесей, и при концентрациях, соответствующих вырождению (1019—1020 см−3), ширина перехода получается порядка 100 А°.
Перекрытие зон и чрезвычайно малая ширина перехода и приводят к возникновению туннельного эффекта и появлению аномалии в вольтамперной характеристике p-n-перехода, которая исследуется в этой работе.