Разновидности МДП-транзисторов

 

На рис. 61.а попарно показаны МДП-транзисторы со встроенным n-каналом и p-каналом. Каждый тип МДП-транзистора представлен в двух вариантах: с отдельным выводом подложки и общим выводом подложки и истока.

Аналогичный вид имеют обозначения МДП-транзисторов с ин­дуцированным каналом (рис. 61.б).

Рис. 61. МДП-транзисторы со встроенным (а) и индуцированным (б) каналами (1 - затвор, 2 – исток, 3 - сток, 4 - подложка, +/– - полярность напряжения)

 

Исследования характеристик МДП-транзисторов

 

Для исследования характеристик МДП-транзисторов используется схема, приведенная на рис. 62. С ее помощью получают семейство выходных характеристик МДП-транзисторов при фиксированных значениях напряжения на затворе и подложке .

Располагая такими характеристиками, можно определить:

· крутизну транзистора при управлении со стороны затвора ;

· крутизну при управлении со стороны подложки ;

· статический коэффициент усиления ;

· выходное дифференциальное сопротивление и другие параметры.

Рис. 62. Схема для исследования характеристик МДП-транзисторов

 

Задание на лабораторную работу

1. Собрать схему для исследования ВАХ транзистора (из таблицы заданий), в соответствии с рис. 60. Построить семейство из пяти выходных характеристик по­левого транзистора при фиксированных значениях напряжений на затворе ( ), выбранных из диапазона от 0 до 5 В. Для р-канальных транзисторов изменить полярность источников напряжения. По выходным характеристикам построить управляющую характеристику при напряжении сток-исток ( ) равном напряжению насыщения. Рассчитать крутизну транзистора.

2. Собрать схему, в соотвествии с рис. 62, для исследования МДП-транзистора (из таблицы заданий) с индуцированным каналом. Построить семейство из пяти выходных характеристик транзистора при фиксированных значениях напряжений на подложке ( ), выбранных из диапазона от 0 до 5 В. По выходным характеристикам определить пороговое напряжение.

3. Составить отчет.

 

Таблица 8

Задание на лабораторную работу №8

№ варианта
Транзистор VT1 2N4856 2N4857 2N4858 2N4859 2N4860 2N4861 2N5452 2N5454 2N5433 2N5432
Транзистор VT2 BST100 BST110 BST120 BST122 IRF5210 IRF5305 IRF7404 IRF9530 IRFI5210 IRFI5305

 

№ варианта
Транзистор VT1 2N2608 2N2609 2N4381 2N5018 2N5019 2N5020 2N5021 2N5114 2N5115 2N5116
Транзистор VT2 IRF230N IRF540N BS170 IRF1310 IRF250 IRF510 IRF540 IRF520 IRF830 IRF840

Контрольные вопросы

1. Основные отличия полевых транзисторов от биполярных.

2. Преимущества полевых транзисторов.

3. Устройство полевого транзистора с р-n переходом.

4. Основные процессы в полевых транзисторах.

5. Способы управления током в полевых транзисторах.

6. Отличие полевых и канальных транзисторов.

7. Устройство МДП-транзисторов.

8. Отличие МДП- и МОП-транзисторов.

9. Отличительные признаки МДП-транзисторов с индуцированным и встроенным каналом.

10. Режимы работы МДП-транзисторов.

11. Принцип действия МДП-транзисторов.

12. Роль подложки в МДП-транзисторах.

13. Пороговое напряжение и напряжение отсечки.

14. Схемы включения полевых транзисторов.

15. Изоляция рабочих областей МДП-транзисторов от подложки.

16. Управление МДП-транзистором через подложку.

17. Разновидности МДП-транзисторов.


Лабораторная работа №9.