Дата выполнения________________. Подпись преподавателя__________

Дата защиты____________________

 

Оценка________________________

Подпись преподавателя__________

 

 

Самостоятельная работа 3

Расчет теоретической пропускной способности подсистемы памяти

1.Цели:

1.1. Построить логическую структуру подсистемы памяти ПК.

1.2. Рассчитать пропускную способность ЦП/чипсета/ОЗУ.

1.3. Определение пропускной способности многоканальной системы передачи данных.

1.4. Подготовиться к выполнению лабораторной работы 3.

Порядок выполнения.

2.1. Из предложенного графа выберите свой вариант согласно методике описанной во введении.

 

0 – шина процессора FSB DDR 100 мГц 1 – шина процессора FSB DDR 133 мГц 2 – шина процессора FSB DDR 200 мГц   0 – шина FSB чипсета DDR 100 мГц 3 – шина FSB чипсета DDR 133 мГц 6 – шина FSB чипсета DDR 200 мГц     0– контроллер памяти DDR 100 мГц 9 – контроллер памяти DDR 133 мГц 18 – контроллер памяти DDR 200 мГц     0 – память DDR 100 мГц 27 – память DDR 133 мГц  

Рисунок 1 Граф вариативности первого задания.

 

2.2. На основании варианта задания:

- сделайте эскиз логической структуры подсистемы памяти

 

- рассчитайте и отразите на рисунке быстродействие всех каналов передачи данных;

- пропускную способность подсистемы памяти ПК вашего варианта составляет :

 

2.3. Для подготовки к лабораторной работе ответьте на тестовые вопросы для подготовки и защиты п.п.4 лабораторной работы 2.

 

2.4. Отметьте правильные ответы на 5 контрольных вопросов для подготовки и защиты п.п.4 лабораторной работы 3. С правилом выбора номеров вопросов ознакомьтесь во введении.


Дата выполнения________________

Дата защиты____________________

 

Оценка________________________

Подпись преподавателя__________

 

 

Лабораторная работа 3

Тестирование подсистемы памяти ПК

1.Цели:

1.1. Изучение характеристик подсистемы памяти ПК.

1.2. Сравнение практических и теоретических характеристик подсистемы памяти ПК.

1.3. Освоение тестирующих программ Everest и RightMark Memory Analyzer.

 

Оборудование, аппаратура, материалы, инструменты, документация.

 

Таблица 1.Оборудование

Оборудование: Наименование, производитель
1.ПК в составе:  
Процессор  
Материнская плата  
Чипсет  
Память  
Видеокарта  
Винчестер  
Оптический привод  

 

Таблица 2.Программное обеспечение

Программное обеспечение Наименование, версия, производитель
1.Операционная система  
2. Everest  
3. RightMark Memory Analyzer  

 

Порядок выполнения.

3.1. Включите ПК.

3.2. Установите программу Everest.

3.3. Запишите информация о программе в таблицу 2.

3.4. С помощью информационно-диагностической программы Everest произведите сбор информации о ПК и заполните таблицу 1.

3.5. Выполните утилиту Lavalys Everest Cache&Memory Benchmark.Запишите результат в таблицу 3.

 

 

Таблица 3

 

3.6. Установить программу RightMark Memory Analyzer.

3.7. Запишите информация о программе в таблицу 2.

Таблица 4

3.8. Заполните таблицу 4.

3.9. Проведите тестирование реальной пропускной способности памяти (ПСП) (Memory Bandwidth)

 

3.10.Зарисуйте результат тестирования (из закладки Results)

 

Рисунок 1 Результат тестирования реальной пропускной способности памяти (ПСП) (Memory Bandwidth)

3.11. Проведите тестирование латентности/ассоциативности L1/L2 кэша данных (D-Cache Latency)

3.12.Зарисуйте результат тестирования (из закладки Results)

 

Рисунок 2 Результата тестирования латентности/ассоциативности L1/L2 кэша данных (D-Cache Latency)

3.13. На основании проведенных тестов:

Нарисуйте логическую схему подсистемы памяти CPU/Chipset/RAM. На основании схемы и данных программы Everest рассчитайте теоретическую пропускную способность подсистемы памяти ПК.

 

 

3.10.Выводы.

Подсистема памяти ПК заслуживает оценку ___________, потому что:

3.14.1. Реальная пропускная способность отличается от теоретической______________

__________________________________________________________________________________________________________________________________________________

3.14.2. Слабым звеном является______________________________________________

__________________________________________________________________________________________________________________________________________________

3.14.3. Форма графика тестирования реальной пропускной способности памяти объясняется_______________________________________________________________

_________________________________________________________________________

_________________________________________________________________________

3.14.4. При попадании в кэш L1 пропуская способность памяти при чтении__________;

записи__________________; копировании_____________________________________

3.14.5. При попадании в кэш L2 пропуская способность памяти при чтении__________;

записи__________________; копировании_____________________________________

3.14.6. При промахах кэш пропуская способность памяти при чтении__________;

записи__________________; копировании_____________________________________

3.14.7. Латентность подсистемы памяти, при попадании в кэш L1 при чтении________;

записи__________________; копировании_____________________________________

3.14.8. Латентность подсистемы памяти, при попадании в кэш L2 при чтении________;

записи__________________; копировании_____________________________________

3.14.9. Латентность подсистемы памяти, при промахах при чтении________;

записи__________________; копировании_____________________________________

3.14.10. Что бы оптимизировать программный код модуля необходимо______________

_________________________________________________________________________

Контрольные вопросы для подготовки и защиты.

Выберите правильные ответы из числа предложенных вариантов.

  1. Процессор выполняет программы, загруженные в

1) Flash 2) ROM 3) HDD 4) RAM 5) FDD 6)CD-ROM

Выберите один правильный ответ из числа предложенных вариантов.

  1. При включении питания процессор выполняет программы, загруженные в

1)Flash 2) ROM 3) HDD 4) RAM 5) FDD 6)CD-ROM

Выберите один правильный ответ из числа предложенных вариантов.

  1. Динамическая память - это память, информация в которой

1) Записывается по фронту 2) требует периодического обновления

2) записывается по срезу 4) записывается по высокому уровню

 

Выберите неправильный ответ из числа предложенных вариантов.

  1. Разные типы модулей памяти

1) Имеют разное количество контактов 2) имеют обратную совместимость

3) имеют разное расположение ключей 4) имеют разное напряжение питания

 

Выберите неправильный ответ из числа предложенных вариантов.

  1. Основные характеристики модуля памяти

1) Объем 2) разрядность 3) частота 4) охлаждение 5) питание

 

Выберите правильный ответ из числа предложенных вариантов.

  1. Объем микросхемы памяти глубиной 8Мбит и разрядность 4

1) 8Мбайт 2) 4Мбит 3) 4Мбайт 4) 32Мбайт 5) 8Мбит

 

Выберите правильный ответ из числа предложенных вариантов.

  1. Ширина шины данных DDR2

1) 32 бит 2) 64бит 3) 128бит 4) 4Байт

 

Выберите правильный ответ из числа предложенных вариантов.

  1. Возможна ли совместная работа памяти на 100 и 133 Mhz на МП с поддержкой 66 Mhz

1) Нет 2) Да, на частоте 100 Mhz 3) Да, на частоте 66 Mhz 4) Да, на частоте 133 Mhz

 

Выберите правильный ответ из числа предложенных вариантов.

  1. Какие установки необходимо изменить в BIOS Setup, чтобы заработала память?

1). Тайминги 2). Ничего 3). Напряжение питания 4). Установить двухканальный режим

 



ие питания 4). Установить двухканальный режим