Пример анализа КД тонкопленочной ИС
Рис. Топологический чертеж совмещенных слоев.
Рис. Таблица 1 с техническими требованиями по изготовлению интегральной схемы (ИС).
Технологические операции изготовления ИС:
- Изготовление фотошаблонов и масок для каждого слоя (6). На подложке 48 х 60 мм может уместиться 12 ИС размером 16 х 20 мм. ( Формирование группового фотошаблона с мультиплицированием данной платы или совмещением с подходящими габаритами. Выбор материала маски в пользу биметаллической)
- Вакуумное нанесение через маску 1 резистивного слоя (лист 2).
Рис. Чертеж (лист 2) резистивного слоя материала РС-3001 с таблицей координат, по которым изготавливается маска для вакуумного напыления.
- Вакуумное нанесение через маску слоев
- для проводниковых и контактных площадок сначала подслоя нихрома, затем золота толщиной 0.4..0.5 мкм через одну и ту же маску 2 листа 3 (топология совпадает),
- для нижних обкладок конденсаторов сначала подслой титана, затем алюминий через одну и ту же маску 3 листа 4,
- для диэлектриков конденсаторов через 2 типа масок 4 и 5 листа 5 (диэлектриков 2 типа: стекло СЧ-1 и боросиликатное стекло),
- для верхней обкладки конденсатора алюминий через маску 6 листа 6).
(Выбор оборудования определит число циклов. Многопозиционное оборудование выполняет все за 1 цикл. Оборудование с 1-ой маской предусматривает последовательное нанесение слоев, что существенно увеличивает время из-за необходимости создания и нивелирования вакуума.)
- Контроль сопротивления резисторов в соответствии с таблицей 2 чертежа.
Рис. Таблица 2 для контроля сопротивления резисторов.
При требовании высокой точности может производиться подгонка резисторов.
- Контроль емкости конденсаторовв соответствии с таблицей 3 чертежа.
Рис. Таблица 3 для контроля емкости конденсаторов.
Маршрут изготовления пассивной части ИС:
- Изготовление групповых фотошаблонов и масок по 7.
- Подготовка поверхности.
- Вакуумное нанесение слоя резистора через маску 1.
- Вакуумное нанесение слоев нихрома и золота через маску 2.
- Контроль и подгонка сопротивлений резисторов в соответствии с данными таблицы 2 КД.
- Вакуумное нанесение слоев титана и алюминия для нижней обкладки конденсатора через маску 3.
- Вакуумное нанесение слоя стекла СЧ-1 через маску 4.
- Вакуумное нанесение слоя боросиликатного стекла через маску 5.
- Вакуумное нанесение слоев титана и алюминия для верхней обкладки конденсатора через маску 6.
- Контроль емкости конденсаторов в соответствии с данными таблицы 3 КД.
- Формирование защитного покрытия из фоторезиста негативного методом фотолитографии.