Приклад розв’язування задачі. Вибрати конструкцію і розрахувати розміри плівкового конденсатора ємністю 5000 пФ

Умова задачі.

Вибрати конструкцію і розрахувати розміри плівкового конденсатора ємністю 5000 пФ. На інтервалі експлуатації 5 тис. годин за температури +100^ºС, відносна похибка ємності конденсатора не повинна перевищувати ± 0,2. Робоча напруга 10 В. Відносна похибка питомої ємності ± 0,03. Конденсатор функціонує в низькочастотних колах.

Розв’язування задачі.

Вибирають матеріал діелектрика електровакуумне скло С44-1, значення C₀ якого знаходиться в межах від 150 до 400 пФ/мм². Параметри цього матеріалу: робоча напруга U_р= (12 – 6) В; відносна діелектрична проникність e = 5,2; Е_пр= (3-4)·10⁵В/мм; ТКЕ a_c = (0,5-1)·10^-4 1/°С; коефіцієнт старіння на 1000 год. g_ст = 0,012.

Розраховують товщину діелектрика d. Коефіцієнт запасу К_з приймемо рівним 4, Е_пр= 4·10⁸В/м. Розрахунок виконують за формулою (7.8):

,
м або 0,1 мкм.

Враховуючи те, що товщина повинна перевищувати другу критичну товщину, яка дорівнює 0,1 мкм, в кілька разів, то вибирають значення d з рекомендованого діапазону значень (0,3 – 0,5) мкм. Приймають d = 0,3 мкм.

Розраховують питому ємність конденсатора С_0.Еза критерієм електричної стійкості. Розрахунки виконують за формулою (7.2):

,
.

Вибирають С_0Е= 150 пФ/мм².

Визначають можливу площу перекриття обкладинок конденсатора за формулою:

,

Оскільки S_п.Е= 33,3 мм²> 10 мм² , то доцільно обрати конструкцію конденсатора, яку зображено на рис. 7.1,а.

5. Визначають відносну похибку ємності конденсатора, що виникає як наслідок зміни властивостей діелектрика під дією температури g_СТ . Розрахунки виконують за формулою (7.11):


.

6. Визначають відносну похибку ємності конденсатора, що виникає як наслідок старіння діелектрика γ_CСТ. Розрахунки виконують за формулою (7.12):

,
.

Визначають відносну похибку площі перекриття конденсатора γ_S_Д_i. Розрахунки виконують за формулою (7.15):

,
.

Розраховують значення питомої ємності конденсатора С_0.ТОЧН за критерієм необхідної точності. Приймають К_фі = 1. Вибирають метод формотворення - вільна маска, у якого Δl провідників дорівнює 0,01 мм. Оскільки для цієї конструкції r_lb→ 1, то розрахунки виконують за формулою (7.27):

.
пФ/мм².

З двох отриманих значень C_0.._Е і C_0.ТОЧН вибирають менше (7.31) й округляють у бік зменшення, тобто С₀= С_0.Е= 150 пФ/мм².

10. Визначають площу перекриття обкладинок конденсатора. Розрахунки виконують за формулою (7.32):

S_пi= (1 / K)C_i/ C₀,
мм² .

де K- коефіцієнт, що враховує вплив крайового ефекту. Якщо C_i /C₀ > 5мм², то К = 1.

Визначають довжину l і ширину b верхньої обкладинки конденсатора. За К_Ф @1 l = 5,8 мм, а b = 5,74 мм .

Вибирають форму конденсатора. Вибір форми конденсатора й остаточне визначення всіх розмірів конструкції проводять на етапі розроблення топології. За основу приймають обраний тип конструкції і розраховане значення S_пі.

В будь-якому варіанті конструкції нижня обкладинка конденсатора повинна виступати за краї верхньої на розмір

d₁= 2Dl_СУМІЩ,

d₁= 2×0,05 =0,1 мм .

11. Шар діелектрика повинен виступати за краї нижньої обкладинки на розмір

d₂³ 2Dl_СУМІЩ+ К_ЗАКРU_P ,
d₂³2×0,05 +3×10^-3×10 = 0,13 мм ,

де К_ЗАКР= (2-3)10^-3 мм/В.

Вибирають d₂= 0,2 мм.

Конструкція розрахованого конденсатора зображена на рис. 7.3.

Рекомендована література

1. Прищепа М. М. Мікроелектроніка. В 3 ч. Ч. 1. Елементи мікроелектроніки [Текст]: навч. посіб. / М. М. Прищепа, В. П. Погребняк. / За ред. М. М. Прищепи. – К.: Вища шк., 2004. – 431 с.: іл.

2. Прищепа М. М. Мікроелектроніка. Елементи мікросхем. Збірник задач. [Текст]: навч. посіб. / М. М. Прищепа, В. П. Погребняк. / За ред. М. М. Прищепи. – К.: Вища шк., 2005. – 167 с.: іл.

3. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование: Учеб. пособие для вузов по спец. “Конструирование и производство радиоапаратуры” / Коледов Л.А. и др.; Под ред. Л.А. Коледова. – М.: Высш. шк. 1984. – 271 с.: ил.

4. Матсон Э.А., Крыжановский Д.В. Справочное пособие по конструированию микросхем. – Минск: Вышейшая школа. 1982. – 224 с.: ил.

5. Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств / С. И. Бахарев, В. И. Вольман, Ю. Н. Либ и др.; Под ред. В. И. Вольмана. – М.: Радио и связь, 1982. – 328 с., ил.