Эксперимент 2. Исследование параметров рабочей точки при задании тока базы с помощью делителя напряжения

По лабораторной работе № 9

«Исследование рабочей точки транзисторного усилительного каскада с общим эмиттером»

 

 

студента гр.__________________

__________________________________

__________________________________

__________________________________

 

 

«___»_____________20___г.

 

 

1. Цель лабораторной работы

Целью лабораторной работы является закрепление теоретических знаний об особенностях задания режима работы усилительного каскада путем экспериментального исследования с помощью измерительных средств виртуальной электронной лаборатории на персональном компьютере на базе программы Elecrtronics Workbench.

 

2. Задачи лабораторной работы

 

К задачам лабораторной работы относятся:

 

1. Построение нагрузочной линии транзисторного каскада.

2. Задание рабочей точки транзисторного каскада

3. Исследование параметров рабочей точки транзистора.

4. Исследование условий для перевода транзистора в режим насыщения и отсечки.

5. Определение статического коэффициента передачи транзистора по экспериментальным данным.

 

Результаты экспериментов

Эксперимент 1. Исследование параметров рабочей точки при задании тока базы с помощью одного резистора

Измеренные значения:

 

1. Ток базы Iб = 20,04 мкА

2. Ток коллектора Iк = 3,980 мА

3. Напряжение база – эмиттер Uб-э = 758,3 мА

4. Напряжение коллектор – эмиттер Uк-э = 12,04 V

 

Расчитанные значения:

 

  1. Коэффициент усиления по току базы = Iк /Iб=198 мА
  2. Ток базы Iб = Ек / Rб=20,83 мкА
  3. Ток коллектора Iк = Iб=3,967 мА
  4. Напряжение база – эмиттер Uб-э = 760,2 мА
  5. Напряжение коллектор – эмиттер Uк-э = Ек - Iк Rк= 12,05 V

 

Построение ветви выходной характеристика транзистора 2N3904

Ек, В
Uк-э, В -0,0000000025 0,998 1,996 4,990 9,98 14,97 19,96
Iк, мA 0,000998 0,001996 0,004990 0,00998 0,01497 0,01996


 

Рабочая точка = 5 В.

Сопротивление базы насыщения по формуле

· Rбн = Rк = 0,396 Ом

· Ik=19,96 мА,

· при Rбн/2=0,198 Ом Ik = 19.96 мА.

· при Rбн/3=0,099 Ом Ik = 19.96 мА.

 

Эксперимент 2. Исследование параметров рабочей точки при задании тока базы с помощью делителя напряжения.

Измеренные значения:

 

1. Ток базы Iб = 18,88 мА

2. Ток коллектора Iк = 3,828 мкА

3. Ток эмиттера Iэ = 3,847 мкА

4. Напряжение база Uб = 3,296 В

5. Напряжение коллектор – эмиттер Uк-э = 9,806 В

 

Расчитанные значения:

1. Коэффициент усиления по току базы = Iк /Iб = 203,6

2. Ток эмиттера Iэ = (UR2 – Uб-э0) / Rэ = 3,9 мкА

3. Ток базы Iб = Iэ / (1 + ) = 18 мкА

4. Ток коллектора Iк = Iб = 3,8 мкА

5. Напряжение база – эмиттер Uб = Ек R2/( R1+ R2) = 3,3 В

6. Напряжение коллектор – эмиттер Uк-э = Ек – IэRэ – IкRк = 10 В

Определение рабочей точки каскада.

Ек, В
Uк-э, В 0,99730 1,995 4,405 6,297 8,064 9,806 11,54
Iк, мA 0,000000997 0,000001995 0,0002233 0,00139 0,002604 0,003828 0,005

 

Построим нагрузочную линию:

U=0; I=0.01;

I=0; U=20;

 

 


 

1. Как определяется положение рабочей точки по постоянному току?

2. Почему необходимо стабилизировать положение рабочей точки ?

3. Где находится рабочая точка в режиме усиления ? Искажается ли входной сигнал при таком положении рабочей точки ?

4. Где находится рабочая точка в режиме насыщения ? Искажается ли входной сигнал при таком положении рабочей точки ?

5. Чему равно напряжение коллектор-эмиттер в режиме насыщения?

6. Какая связь между током коллектора и током эмиттера?

7. Какую роль играет сопротивление Rэ в цепи эмиттера для стабильности работы схемы? В чем она заключается?

 

Как определяется положение рабочей точки по постоянному току?

В схеме рис. 5 имеется лишь один нелинейный эле­мент— транзистор; связь токов и напряжений в транзисто­ре представлена его ВАХ (см. рис. 1), в частности его вы­ходными характеристиками

Iк = f(икэ)при IБ = const. (1)

При графическом анализе линейная часть схемы описыва­ется уравнением в тех же координатах (iк, икэ).

Рассмотрим режим покоя. Допустим, что в цепь на­грузки включен источник компенсирующего напряжения Uкомп = UКЭ п. Тогда в режиме покоя ток в нагрузочную цепь (Rн, Uкомп) не ответвляется и уравнение линейной час­ти схемы записывается в виде

iк = (Ек - икэп)/Rк (2)

 

Решаем систему уравнений (1), (2) графически, для этого через семейство выходных характеристик транзистора (рис. 7) проводим линию нагрузки по постоянному току, описываемую (2). Из (2) находим, что при iк = 0, икэ = Еки при iк = Ек/Rк. Точка перес ВАХ и линии - искомая.

 

Почему необходимо стабилизировать положение рабочей точки?

Коллекторный ток покоя имеет сильную зависимость от температуры. При нагреве точка покоя перемещается вверх по линии нагрузки по постоянному току. Поэтому в транзисторных усилителях необходима стабилизация точки покоя и каскады без стабилизации практически не применяются. Стабилизация режима покоя позволяет не только исключить искажение формы сигнала при нагреве, но и стабилизировать режим при замене транзистора, поскольку параметры транзисторов имеют от экземпляра к экземпляру большой разброс, указанный в паспортных данных прибора.

 

Где находится рабочая точка в режиме усиления ? Искажается ли входной сигнал при таком положении рабочей точки ?

Начальная рабочая точка (НРТ) транзисторного усилителя лежит между областью отсечки (точка Y) и областью насыщения (точка Z). Таким образом, для заданных Ек и Rк ток базы зафиксирован на линейном участке работы транзистора и может быть определен из формулы Iк =bст Iб + IК0.

К недостаткам этой схемы относят то, что при воздействии внешних факторов, например, температуры изменяются параметры bст и IК0 меняя параметры НРТ, и для транзисторов с разными значениями bст приходиться производить перерасчет Rб, для сохранения положения НРТ.

Где находится рабочая точка в режиме насыщения? Искажается ли входной сигнал при таком положении рабочей точки? - нет

Точка А1 – точка отсечки, характеризует режим отсечки.

IБ = 0, IК1 = IК0, IК0 – начальный коллекторный ток, часто он почти =0.

UК1 EК1, транзистор закрыт, ключ находится в состоянии «ВЫКЛЮЧЕНО»

Точка А2 – точка насыщения, характеризует режим насыщения.

IБ 0, IБ UВХ/RБ, IК К/RК

UК2 стремится к 0, транзистор открыт, ключ находится в состоянии «ВКЛЮЧЕНО»

Переход из режима отсечки в режим насыщения осуществляется воздействием положительного входного напряжения.

 

Чему равно напряжение коллектор-эмиттер в режиме насыщения?

 

Вывод:

Следуя цели работы, нами было изучены и закреплены знания о особенностях задания режима работы усилительного каскада путем экспериментального исследования с помощью измерительных средств виртуальной электронной лаборатории на персональном компьютере на базе программы Electronics Workbench.

В ходе проведения работ нами была построена нагрузочная линия транзисторного каскада, а также задавалась рабочая точка транзисторного каскада. Исследованы параметры рабочей точки транзистора и условия для перевода транзистора в режимы насыщения и отсечки. Определялся статический коэффициент передачи транзистора по экспериментальным данным.

При выполнении экспериментов мы также находили следующие физические величины: ток базы, ток коллектора, напряжение база-эмиттер, напряжение коллектор-эмиттер и рассчитывали по полученным показаниям следующие параметры: коэффициент усиления по току базы. А также построены ВАХ по полученным показаниям.

Из теоретического курса узнали о том, как определяется положение рабочей точки по постоянному току, почему необходимо стабилизировать положение рабочей точки и где находится рабочая точка в режимах усиления и насыщения. А также искажают ли их положение входной сигнал. Чему равно напряжение коллектор-эмиттер в режиме насыщения, какая связь между токами коллектора и эмиттера и какую роль играет сопротивление в цепи эмиттера для стабильности работы схемы, и в чем это заключается..

Преподаватель:

______________________________

______________________________

 

«_____»_____________20____г.