Спецификации модулей памяти DDR2 и DDR3. Пример локальной сети, созданной в программе Cisco Packet Tracer: 19
Воронеж 2013
Содержание
Оглавление
Введение. 3
Часть 1. 5
Часть 2. 14
Пример локальной сети, созданной в программе Cisco Packet Tracer: 19
Заключение. 20
Введение
В последнее время развитие вычислительных сетей идет с большой скоростью. Разрыв между локальными и глобальными сетями постоянно сокращается во многом из-за появления высокоскоростных территориальных каналов связи, не уступающих по качеству кабельным системам локальных сетей. В глобальных сетях появляются службы доступа к ресурсам, такие же удобные и прозрачные, как и службы локальных сетей. Подобные примеры в большом количестве демонстрирует самая популярная глобальная сеть - Internet.
Изменяются и локальные сети. Вместо соединяющего компьютеры пассивного кабеля в них в большом количестве появилось разнообразное коммуникационное оборудование - коммутаторы, маршрутизаторы, шлюзы. Благодаря такому оборудованию появилась возможность построения больших корпоративных сетей, насчитывающих тысячи компьютеров и имеющих сложную структуру. Возродился интерес к крупным компьютерам - в основном из-за того, что после спада эйфории по поводу легкости работы с персональными компьютерами выяснилось, что системы, состоящие из сотен серверов, обслуживать сложнее, чем несколько больших компьютеров. Поэтому на новом витке эволюционной спирали мэйнфреймы стали возвращаться в корпоративные вычислительные системы, но уже как полноправные сетевые узлы, поддерживающие Ethernet или Token Ring. На данный момент сформировались три основные группы проблем, которые возникают при построении современных вычислительных систем:
1. Эффективность взаимодействия отдельных частей вычислительной системы. Эта группа включает в себя такие проблемы как: проблема реализации сетевых ОС, сетевых приложений, обеспечивающих распределенную обработку данных; проблемы транспортировки сообщений между ПК; проблема безопасности и защиты информации от несанкционированного доступа.
2. Проблема выбора способа кодирования. Данная группа включает: проблема синхронизации передатчика одного компьютера с приёмником другого; проблема искажения данных.
3. Проблема объединения нескольких компьютеров: выбор топологии сети; организация совместного использования линий связи; проблема адресации компьютеров.
Следует отметить, что многие, из вышеперечисленных проблем, в настоящее время уже находят свое решение.
Часть 1
Список разъемов процессоров(последние5 лет):
Intel
Socket 441 - Intel Atom
Сокет LGA 1366 - Core i7 серии 9хх, Xeon серии 35хх по 56хх, Celeron P1053
Сокет LGA 1248 - Itanium 93хх
Сокет LGA 1567 - Xeon серии75хх и 76хх
Сокет LGA 1155 или Socket Н2 - Sandy Bridge и будущий Ivy Bridge
Сокет LGA 2011 или Socket R - Sandy Bridge серии Е
Socket H3 (LGA1150) — замена Socket H2 (LGA1155) (2013 год)
Socket G3 (rPGA947) — замена Socket G2 (rPGA 988B) (2013 год)
AMD
Socket 462 (он же Socket A) - версии процессора AMD Athlon, Athlon XP, Sempron и Duron
Socket 754 - процессоры AMD Athlon 64 нижнего уровня и процессоры Sempron с поддержкой только одноканального режима работы с памятью
Socket 939 - процессоры AMD Athlon 64 and AMD Athlon FX с поддержкой двухканального режима работы с памятью
Socket 940 - процессоры AMD Opteron и ранние AMD Athlon FX (от 939 отличается одной "ногой", которая используется для контроля правильности прочитанных данных из памяти (ECC).
Socket AM2( AM2+ ) - процессоры линеек Athlon 64 X2 (2-х ядерные процессоры на ядрах Windsor и Brisbane), Athlon 64 FX, Athlon 64 и Sempron.
Socket AM3 ( AM3+ ) - процессоры линеек Athlon II X2, Athlon II X4, Phenom II X3, Phenom II X4, Sempron 140.
Socket FM1 - Socket FM1 - для процессоров с микроархитектурой AMD Fusion. Представляет собой ZIF-разъем c 905 контактами, который рассчитан на установку процессоров в корпусах типа PGA.
Спецификации модулей памяти DDR2 и DDR3
DDR2 SDRAM (англ. double-data-rate two synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, второе поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти.
По сравнению с DDR1, DDR2 обладает вдвое большей частотой работы шины, по которой данные передаются в буфер микросхемы памяти. На модуле располагаются 240 контактов, по 120 с каждой стороны. Напряжение питания микросхемы 1,8В, потребляемая мощность 247 мВт. Подключить модуль DDR2 в разъем для памяти DDR1 невозможно, не покалечив его. Хотя и существуют переходники для возможности подключения модуля второй версии, необходим контроллер памяти, который умеет работать и с DDR1и с DDR2.
Микросхемы
| Тип чипа | Частота памяти | Частота шины | Эффективная частота |
| DDR2-400 | 100 МГц | 200 МГц | 400 МГц |
| DDR2-533 | 133 МГц | 266 МГц | 533 МГц |
| DDR2-667 | 166 МГц | 333 МГц | 667 МГц |
| DDR2-800 | 200 МГц | 400 МГц | 800 МГц |
| DDR2-1066 | 266 МГц | 533 МГц | 1066 МГц |
Модули
Для использования в ПК, DDR2 RAM поставляется в модулях DIMM с 240 контактами и одним ключом (прорезью в полосе контактов). DIMM’ы различаются по максимальной скорости передачи данных (часто называемой пропускной способностью).
| Название модуля | Частота шины | Тип | Пиковая скорость передачи данных |
| PC2-3200 | 200 МГц | DDR2-400 | 3200 МБ/с или 3,2 ГБ/с |
| PC2-4200 | 266 МГц | DDR2-533 | 4200 МБ/с или 4,2 ГБ/с |
| PC2-5300 | 333 МГц | DDR2-667 | 5300 МБ/с или 5,3 ГБ/с |
| PC2-5400 | 337 МГц | DDR2-675 | 5400 МБ/с или 5,4 ГБ/с |
| PC2-5600 | 350 МГц | DDR2-700 | 5600 МБ/с или 5,6 ГБ/с |
| PC2-5700 | 355 МГц | DDR2-711 | 5700 МБ/с или 5,7 ГБ/с |
| PC2-6000 | 375 МГц | DDR2-750 | 6000 МБ/с или 6,0 ГБ/с |
| PC2-6400 | 400 МГц | DDR2-800 | 6400 МБ/с или 6,4 ГБ/с |
| PC2-7100 | 444 МГц | DDR2-888 | 7100 МБ/с или 7,1 ГБ/с |
| PC2-7200 | 450 МГц | DDR2-900 | 7200 МБ/с или 7,2 ГБ/с |
| PC2-8000 | 500 МГц | DDR2-1000 | 8000 МБ/с или 8,0 ГБ/с |
| PC2-8500 | 533 МГц | DDR2-1066 | 8500 МБ/с или 8,5 ГБ/с |
| PC2-9200 | 575 МГц | DDR2-1150 | 9200 МБ/с или 9,2 ГБ/с |
| PC2-9600 | 600 МГц | DDR2-1200 | 9600 МБ/с или 9.6 ГБ/с |
Модули памяти делятся по следующим характеристикам:
1. Пропускная способность.
2. Наличие дополнительного чипа памяти для кода коррекции ошибок - данные, присоединяемые к каждому передаваемому сигналу, позволяющие принимающей стороне определить факт сбоя и (в некоторых случаях) исправить несущественную ошибку (ЕСС).
3. Наличие специализированной микросхемы адресации — register. «Register» улучшает качество сигнала командно-адресных линий (ценой дополнительного такта задержки при обращении), что позволяет поднять частоты и использовать до 36 микросхем памяти на модуль, создавая модули повышенной емкости, которые обычно применяются в серверах и рабочих станциях. Практически все выпускающиеся сейчас модули DDR2 Reg также оснащены ECC.
4. Наличие микросхемы AMB (Advanced Memory Buffer). Такие модули называются полностью буферированными (fully buffered), обозначаются буквами F или FB и имеют другое расположение ключа на модуле. Это дальнейшее развитие идеи registered модулей — Advanced Memory Buffer осуществляет буферизацию не только сигналов адреса, но и данных, и использует последовательную шину к контроллеру памяти вместо параллельной. Эти модули нельзя устанавливать в материнские платы, разработанные для других типов памяти, и положение ключа этому препятствует.
DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM.
У DDR3 уменьшено на 30% (точный процент) потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти. Снижение напряжения питания достигается за счёт использования 90-нм (вначале, в дальнейшем 65-, 50-, 40-нм) техпроцесса при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).
Существуют DDR3L (L означает Low) с ещё более пониженным энергопотреблением до 1,35 В. Это меньше традиционных DDR3 на 10%.
В 2012 году было сообщено о выходе памяти DDR3L-RS для смартфонов.
Микросхемы памяти DDR3 производятся исключительно в корпусах типа BGA.
Характеристика модулей и микросхем