А) &Тиристор. Е) &Ауыстырып қосқыш аспап. F) &Динистор
A) &P-n ауысуымен басқарылатын өрістік транзистордың құймалық және құйма-тиектік сипаттамалары. D)& P-n ауысуымен басқарылатын өрістік транзистордың басқарушы сипаттамалары. E)& Биполярлық транзистордың шығыс сипаттамалары.
Динистор сипаттамасынан теріс кедергісі бар бөлікті көрсетіңіз:
В) &АВ. F) &Бұл базалық аймақтарға негізгі заряд тасушылар енгізілмеген аралық .
Динисторды сипаттамасындағы ОА тіліміндегі токтың аз мәнінің түсіндірмесі:
B)& Құрылымның ортаңғы ауысуы жабық. F)& Ортаңғы ауысудың кедергісі аса жоғары. G)& Анодтағы ток көбейе бастайтындай, ауыстырып қосу кернеуі қажетті мәнге жеткен жоқ.
Динистордың құрылымының шеткі ауысулары жабық, ал ортаңғы ауысуы ашық болатын кезде, сипаттамадағы аралық: D) &ОД. F)& Тиристорда бұл аралықта ток пен кернеу теріс. G)& Бұл тиристор ауыстырып қосу функциясын орындамайтын аралық.
Динистордың сипаттамасынан теріс дифференциалдық кедергісі бар аралық:
В)& АВ. F)& Бұл базалық аймақтарға негізгі заряд тасушылар енгізілмеген аралық. G)& Бұл басқару тоғының шамасы аз болатын аралық.
Динистордың сипаттамасының ОА бөлігіндегі ток мәнінің аздығының түсіндірмесі: B) &Құрылымның ортаңғы ауысулары жабық. G) &Ауыстырып қосу кернеуі шамасы бойынша аз. H) &Базалық аймақтың кедергісі өте үлкен
Диодтың суретте көрсетілгендей ВАС-ы бар, ондағы U=2В, I1=1А Резистордың кедергісі:
A)& 1 Ом. G)&Диодтың толық ашылуы кезіндегі кернеу мен тоқтың мәндеріне тең.
Дроссельдердің негізгі қолдану аясы: B) & Кернеудің пульсациясын азайту. C) &Айнымалы ток тізбегінде үлкен кедергі, тұрақты токқа төменгі кедергі көрсету. E) &Тоқтың жиіліктік құраушысын түзету және тоқтың айнымалы құраушысынан айырылу үшін.
Екі әр текті транзисторлардан тұратын, осы сұлбаны жинаған кездегі аспапты атаңыз:
А) &Тиристор. Е) &Ауыстырып қосқыш аспап. F) &Динистор.
Жартылай өткізгіш прибор – тиристордың құрамы: G) &Басқарушы электрод.
Жартылай өткізгіш диодтың негізгі сипаттамалары: B) &Кемтіктер мен электрондар.D) &Тура ток.
Жартылай өткізгіштегі тасушылар диффузиясы деген не? A) &Концентрациялар біркелкі болмауынан жартылайөткізгіштерде электрондар мен кемтіктердің орын ауыстыруы. D) &Концентрациялар айырымы есебінен қозғалыс. F) &Қозғалыстағы заряд тасушылар және заттың көптеген бөлшектері үшін бақыланатын құбылыс.
Жартылай өткізгіштегі тасушылар дрейфі деген не? A) &Тасушылардың электр өрісі есебінен қозғалысы. F) &Сыртқы және ішкі факторлардың әсерінен (мысалы жылу) кристаллдық торда кемтіктер мен электрондардың ауысуы. H) &Ішкі өрістердің әсерінен заряд тасушылардың бағытталған қозғалысы.
Жартылай өткізгішті диодтың төменде көрсетілгеннің ішінен электрлік тесілуі: B)& Ауысу арқылы кері ток мәнінің өсуі кезінде р-п ауысудағы кернеудің жылдам өсуі. D)& Ауысу арқылы кері кернеу мәнінің өсуі кезінде р-п ауысудағы токтың жылдам өсуі. F)& Осы диод мәні үшін қысылшаң болатын кері кернеуге жету кезінде диод арқылы кері токтың жылдам өсу құбылысы.
Жартылай өткізгіштің теориялық түрінен ВАС-ның айырмашылығына алып келетін факторлар: A) &Жартылай өткізгіштердегі генерация және рекомбинация топтары. C) &Р-n ауысу өлшемдерінің тәуелдігі. E) &Температураға тәуелділігі.
Заряд тасымалдаушылардың өткізетін арнаға өтуін жүзеге асыратын электрод: D) &Арнадағы негізгі тасымалдаушыладың инжекцияланатын транзистор облысы.
Зарядты тасымалдауыштың экстракциясы дегеніміз не: A)& Электр өрісімен үдетілетін p-n өткел арқылы заряд тасымалдауыштарды өткізу. C) &Заряд тасымалдаушылардың инжекциясына қарама-қарсы құбылыс.D) &Латын тілінен аударғанда шығару дегенді білдіреді.
Инвертор:B) &Тұрақты тоқты айнымалы тоққа түрлендіруші. F) &Дұрыс жауап жоқ.G) &Аналогтық есептеуіш машиналардың күшейткіші.
Индуктивті катушкаларда қолданылатын магниттік материалдардың жиі кездесетін формасы:A) &Бронды.
Интегралды микросұлба - бұл микроэлектронды өндірістің бұйымы, арналған: A) &Ақпаратты түрлендіруге. D) &Ақпаратты сақтауға.
Кедейленген қабат қалындығының үлкеюнің болуы: A)& Тиек пен төсем,құйма мен бастау арасында туындайтын екі электрлік өрістердің бір-бірінен әсерінен. D)& Арнаның қалыңдығы мен қиғаш кесуітиектегі кернеудің өзгерісінен. F)& Құйма тогының өзгеруі,яғни жүктеме тізбегіндегі ток қуатты корек көзіне қатысты да өзгеруін.
Кері кернеудің мәні белгілі аумалы шамаға жеткен кезінде р- п өткелінде тоқтың шұғыл өсуін р-п өткелінің:C) &Тесілуі.F) &Жыртылуы.
Кері қосылған p-n ауысудың потенциалдық тосқауылының төмендеуі ... білдіреді: А)& Ондағы кернеудің азайғанын. В)& Пәрменді көбейту коэффициентінің азайғанын. D)& Ауысу арқылы ағатын тоқтың азайғанын.
Коллекторлық кернеумен базаның қалыңдығын модуляциялау дегеніміз: A) & Коллекторлық ауысудың енінің өзгеру салдарынан коллекторлық өзгерген кезде базаның қалыңдығының өзгерісі.F)&Теріс коллектор-база кернеуін ұлғайтқан кездегі шығыс сипатының көтерілуі, бұл кезде коллектор тогы артады. G)& Теріс коллектор-база кернеуін ұлғайтқан кездегі шығыс сипатының көтерілуі,бұл кезде коллектор тогы азаяды.
Кіріс сигналдарын инверттеу қасиетіне ие болу үшін айнымалы кернеу күшейткіші қанша каскадтан тұру керек? H) &кез келген тақ сан.
Қандай шалаөткізгіш n-тектес деп аталады?A) &Береген қоспалары өте коп шалаөткізгіштер.
Қандай шалаөткізгіш р-тектес деп аталады?B) &Алаған қоспалары өте коп шалаөткізгіштер.
Қозғалатын тасушылардың концентрациясы қайда көп, p-n ауысу аймағында немесе оған түйіскен жартылай өткізгіш облыстарында ма?E) & p-n өткелге түйіскен жартылай өткізгіштер аймақтарында.H) & р-n өткелдің түйіскен аймағында.
Құйма мен бастаудың n+облысын қалыптастыратын қоспалар: А) &Фосфор,бор. В)& V топтың элементтері. D) &Жартылай өткізгішке қарағанда бір топқа үлкен элементтер.
ОБ немесе ОЭ қосылу сұлбаларында,токты тура беру коэффициенті жиілігіне қатты тәуелді: A) & ОЭ қосылу сұлбасында.F)& Токты қайталағыш сұлбасында токты тура беру коэффициенті жиілігіне ғана тәуелді. G)& Ток бойынша, кернеу бойынша және қуат бойынша коэффициенттері өте жоғары сұлба, токтың тура беру коэффициенті жиілігі аса тәуелді.
ОЭ немесе ОБ қосылу сұлбаларында, токты тура беру коэффициенті жиілігіне аз ғана тәуелді: ОЭ қосылу сұлбасында. A)& ОБ қосылу сұлбасында. E) &Токты қайталағыш сұлбасында токты тура беру коэффициенті жиілігіне тәуелді. F)& Тек кернеу және қуат бойынша кушейту беретін сұлбада.
Өрістік транзисторда...бар: D) &Ақпа.
Өрістік транзистордың кіріс кедергісінің шамасы: G)& Үлкен, өйткені құрылымда диэлектрик қабаттары болады.
Өрістік транзистордың тіктігінің анықтамасы: 
&. F)& Өрістік транзистордың тіктік сипаттамасы биполярлық транзисторға қарағанда 1-2 ретке кем, сондықтан жүктеменің аз кедергісі кезінде өрістік транзистор каскадының күшейту коэффициенті биполярлық транзистордағы осы секілді каскадтың күшейту коэффициентінен аз. G)& S=Sмакс(1- U т•б/U т-з ).
Өткізгіштігінің типі әр түрлі жартылайөткізгіштің екі облысының шекарасындағы потециалдың секіруі немен түсіндіріледі:C) & p-n ауысудың екі жағынан да компенсацияланбаған электр қабатының болуымен. F) & Көлемдік зарядтың есебінен екі еселік электр қабатының болуымен.
р-n ауысу дегеніміз не? A) &Сызықты емес вольт-амперлік сипаттамасы бар электронды элементтердің негізі. C) &Қозғалатын заряд тасушылардан кедейленген өткізгіштігі әр типті екі жартылайөткізгіш контактісі.
Р-n-р транзисторында негіз арқылы өтетін тоқ эмиттерден бүркілген . . . тасылады: B)& Кемтіктермен. F) &Өткізгіш зонасындағы бос орынмен.
Сипаттамада көрсетілген үш аудан қандай? 
А) &1– қанығу. E) &2– тоқ тоқтату.
Сипаттамадан динистордың барлық өткелдері ашық бөлігін көрсетіңіз:
