Предельные эксплуатационные данные. Обратное выходное напряжение:
Обратное выходное напряжение:
ЗОД101А, ЗОД101В, АОД101А, АОД101В, АОД101Г, АОД101Д..........................................................................................15 В
ЗОД101Б, АОД101Б .....................................................................100 В
ЗОД101Г ..........................................................................................40 В
Импульсное обратное выходное напряжение при tИ ≤ 100 нс, Q≥ 2:
ЗОД101А, ЗОД101В .......................................................................20 В
ЗОД101Б.........................................................................................120 В
ЗОД101Г ..........................................................................................60 В
Обратное входное напряжение ....................................................3,5 В
Напряжение изоляции ..................................................................100 В
Постоянный или средний входной ток.......................................20 мА
Импульсный входной ток при tИ ≤ 100 мкс…….....................100 мА
Температура окружающей среды ..................................- 60…+70 
АОТ101АС, АОТ101БС
Оптопары, транзисторные, двухканальные, состоящие из эпитаксиальных излучающих диодов на основе соединения галлий—алюминий—мышьяк и кремниевых фототранзисторов. Применяются для электронной коммутации однополярного тока с гальванической развязкой между входом и выходом. Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более Зг.
Электрические параметры
Входное напряжение при IВХ = 15 мА,
не более..............................................................………..…………1,7 В
типовое значение ...........................................................................1,3 В
Входное напряжение при IВХ = 5 мА, не более………..……….1,6 В
типовое значение ...........................................................................1,2 В
Выходное остаточное напряжение:
при IВХ = 2,5 мА, IВЫХ = 0,5 мА, не более……………………….0,4 В
типовое значение ...........................................................................0,2 В
при IВХ = 10 мА, IВЫХ =1,5 мА для
АОТ101АС, IВЫХ = 10 мА для АОТ101БС, не более……...........0,4 В
Ток утечки на выходе при IВХ = 0 , UКОМ = 10 В,
не более........................................................................................10 мкА
типовое значение .........................................................................1 мкА
Сопротивление изоляции при UИЗ = 500 В,
не менее.......................................................................................1011 Ом
типовое значение .......................................................................1012 Ом
Время нарастания и спада выходного сигнала при UКОМ = 10 В, IВХ = 10 мА, RН = 100 Ом, не более…..............................................10 мкс
типовое значение ..........................................................................3 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Коммутируемое напряжение .........................................................15 В
Обратное входное напряжение ....................................................1,5 В
Напряжение изоляции при Т = +25 ± 10 °С...............................1,5 кВ
Входной ток при Т = - 10...+50 °С……………….......................20 мА
Выходной ток при IВХ МАКС:
АОТ101АС ......................................................................................5 мА
АОТ101БС.....................................................................................10 мА
Входной импульсный ток при tИ ≤ 10 мкс..................................50 мА
Температура окружающей среды ....................................- 10...+70 °С
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Пасынков, В.В. Полупроводниковые приборы: Учеб. для вузов / В.В.Пасынков, Л.К. Чиркин.- СПб.: Изд-во «Лань», 2001.-480с.
2. Тугов, Н.М. Полупроводниковые приборы: Учеб. для вузов / Н.М. Тугов, Б.А. Глебов, Н.А. Чарыков.- М.: Энергоатомиздат, 1999.-576с.
3. Манаев, Е.И. Основы радиоэлектроники: Учеб. пособие / Е.И. Манаев.- М.: Радио и связь, 1990-512с.
4. Жеребцов, И.П. Основы электроники: Учеб. для вузов / И.П. Жеребцов.- Л.: Энергоатомиздат, 1999.-352с.
5. Гоноровский, И.С. Радиотехнические цепи и сигналы: Учеб. для вузов / И.С. Гоноровский.- М.: Радио и связь, 1986.-512с.
6. Бонч-Бруевич, В.П. Физика полупроводников: Учеб. для вузов /В.П. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников.-М.: Наука, 1990.-688с.
7. Степаненко, И.П. Основы микроэлектроники: Учеб. для вузов / И.П. Степаненко.-М.: Радио и связь, 1990.-512с.
8. Атабеков,Г.И. Теоретические основы электроники: Учеб. для вузов.Ч.1 / Г.И. Атабеков. – М.: Энергия, 1978.- 592с.
9. Гусев, В.Г. Электроника: Учеб. пособие / В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев.- М.: Высшая школа, 1982.- 495с.
10. Нефёдов, В.И.Основы радиоэлектроники: Учеб. для вузов / В.И. Нефёдов.- М.: Высшая школа, 2000.-399с.
11. Харкевич, А.Л. Основы радиотехники: Учеб. пособие / А.Л. Харкевич. – М.: Связьиздат, 1962.-560с.
12. Молчанов, А.И. Курс электротехники и радиотехники: Учеб. пособие / А.И. Молчанов, П.П. Занадворов.- М.: Наука, 1976.-478с.
13. Матханов, П.Н. Основы синтеза линейных электрических цепей: Учеб. для вузов / П.Н. Матханов.- М.: Высшая школа, 1990.- 400c.
14. Морозова, И.Г. Физика электронных приборов: Учеб. пособие / И.Г. Морозова.- М.: Атомиздат, 1980.-319с.
15. Баскаков, С.И. Радиотехнические цепи и сигналы: Учеб. для вузов / С.И. Баскаков.- М.: Высшая школа, 2000.-462с.
16. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам / Н.Н. Горюнов, А.Ю. Клейман, Н.Н, Комков и др.; Под ред. Н.Н. Горюнова. – М.: Энергия, 1979.-744с.
17. Хрулёв, А.К. Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник в 3 т. / А.К. Хрулёв, В.П. Черепанов. - М.: И.П. Радио Софт, 1999.- 640с., 640с., 704с.
СОДЕРЖАНИЕ
Введение……………………………………………………………….3
Лабораторная работа №1. Исследование пассивных резистивно-ёмкостных преобразователей сигналов……………………………..5
Лабораторная работа №2 Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов……………………………………18
Лабораторная работа №3 Применение полупроводниковых диодов………………………………………………………………….....42
Лабораторная работа №4 Исследование статических характеристик и параметров маломощных биполярных транзисторов…......63
Лабораторная работа №5 Исследование характеристик и параметров полевых транзисторов……………………………………….….86
Лабораторная работа №6 Исследование тиристора……………..112
Лабораторная работа №7 Исследование интегральных оптронов
…………………………………………………………………….…130
Лабораторная работа №8 Аппроксимация периодического сигнала рядом Фурье………………………………………………………...165
Лабораторная работа №9 Низкочастотные генераторы гармонических колебаний с RC-фильтрами………………………………….184
Приложение………………………………………………………...204
Список литературы………………….……………………………..228
Содержание………………………………………………………....229
Валерий Андреевич Табарин,
Владимир Павлович Иконников
Физические основы электроники
(лабораторный практикум)
Учебное пособие и методические указания
к лабораторным работам
Для студентов специальности 010400 «Физика»
_________________________________________________
Формат 62 
84/16 объём п.л. Гарнитура « Times New Roman » Печать трафаретная.
Подписано в печать Тираж 300 экз. Заказ №
Оригинал-макет подготовлен в редакционном отделе СурГУ
Тел. 32-50-75
Сургутский государственный университет
628400, Россия, Ханты-мансийский автономный округ,
г. Сургут, ул. Энергетиков, 14.
Тел. (3462) 52-47-80 , факс (3462) 52-47-29
Отпечатано полиграфическим отделом СурГУ
ул. Лермонтова, 5.
Тел. (3462) 32-33-05.