ИНСТРУКЦИЯ ПО ВЫПОЛНЕНИЮ РАБОТЫ

1.Изучение схем и измерение их параметров и характеристик производится с помощью программы Electronics Workbench.

2. Выполнение заданий:

Задание 1. Выберите марку полевого транзистора с затвором в виде p-n-перехода.Используя полосу «набор элементов» нажмите кнопку с изображением транзистора и из открывшегося окна перетащите полевой транзистор на рабочую область. Нажмите на него два раза и в открывшемся окне выберите строку motorolaи марку транзистора в соответствии с вариантом:

1 – BF244A, 2 – BF245A, 3 – BF246A, 4 – BF256B, 5 – J304, 6 – J309, 7 – MMBF170, 8 – MMBF5459, 9 – MPF102, 10 – MPF4861.

Задание 2. Постройте схему эксперимента для снятия стоко-затворных характеристик транзистора

Задание 3. Снимете данные для построения стоко-затворных характеристик транзистора

Для этого необходимо при фиксированном значении напряжения сток-исток Uсиизмерять значения тока стока Iспри изменении напряжения затвор-исток Uзи:

- на схеме установите значение Uси = 10 В;

- нажатием комбинации клавиш Shift/Rувеличьте сопротивление переменного резистора источника питания цепи базы до 100%, что соответствует нулевому напряжению на выходе регулируемого источника 3 V/V;

- изменяя напряжение нажатием клавиши R(уменьшение сопротивления переменного резистора) измеряйте значение напряжения затвор-исток Uзитранзистора; полученные результаты занесите в таблицу 3.1;

- показания снимать до тех пор, пока величина тока стока Iсне станет меньше 500 мкА, что соответствует закрытому состоянию транзистора;

- установите значение напряжения Uси = 30 Ви повторите действия для снятия зависимости величины Iсот напряжения затвор-исток Uзи.

 

 

Uзи,B 0,3 0,45 0,6 0,75 0,9 1,2 1,5 1,65 1,8 1,95 2,1 2,25 2,55 2,7 3,0
Iс,мА при Uси=10 0.006 0.003 0.002 0.001 0.0004 0.00009  
 
Iс,мА при Uси=30 -7.362 -3.680 -2.310 -1.256 -0.0005 -0.0001  

 

Задание 4. Постройте схему эксперимента для снятия выходных характеристик транзистора

Задание 5. Снимете данные для построения выходных характеристик транзистора

Для этого необходимо при фиксированном значении напряжения затвор-исток Uзиизмерять значения тока стока Iспри изменении напряжения сток-исток Uси:

- на схеме установите значение Uзи = 0 В;

- нажатием комбинации клавиш Shift/Rувеличьте сопротивление переменного резистора источника питания цепи коллектора до 100%, что соответствует нулевому напряжению на выходе регулируемого источника напряжения 30V/V;

- изменяя напряжение нажатием клавиши R(уменьшение сопротивления переменного резистора) измеряйте значение тока стока Iстранзистора; полученные результаты занесите в таблицу 3.2;

- из таблицы 3.1 выберите три значения напряжения затвор-исток при котором еще протекает ток стока и повторите действия предыдущего пункта.

 

 

Uси,B 1,5
Ic,мА при Uзи=0 7,034 8,027 10,21 11,98 15,88 19,75 23,58
Ic,мА при Uзи=1 0,0084 0,0097 1,211 1,495 1,932 2,411 2,887
Ic,мА при Uзи=2 0,000001 0,000001 0,000001
Ic,мА при Uзи=3 0,000001 0,000001 0,000001

 

Задание 6. В соответствии с полученными данными постройте стоко-затворные и выходные характеристики транзистора

На основании измерений постройте в одной декартовой системе координат стоко-затворные характеристики, а в другой — выходные характеристики.

Задание 7. Проанализируйте принцип работы исследованного транзистора по построенным характеристикам

Задание 8. Определение параметров транзистора по построенным характеристикам

Определите выходное сопротивление транзистора, как отношение приращения выходного напряжения к выходному току при неизменном напряжении на затворе.

 

 

Рисунок 3.1. Определение выходного сопротивления транзистора Ri

 

Определите крутизну характеристики транзистора, которая показывает, как изменяется выходной ток при изменении входного напряжения.

Пример:

 

Рисунок 3.2. Определение крутизны транзистора S

 

4. Контрольные вопросы:

1.Что такое полевой транзистор?

2.Из каких материалов изготавливаются полевые транзисторы?

3.Сколько PN-переходов имеет полевой транзистор?

4.Чем отличаются транзисторы различных типов?

5.Поясните особенности работы и область применения полевых транзисторов.