Графоаналітичний розрахунок робочого режиму

За початковими даними вибираємо транзистор виходячи з того, що пряма навантаження на вихідних характеристиках повинна перетинати сімейство тих характеристик, що забезпечують потрібний розмах вхідного струму. Один з таких транзисторів - КТ 312А. Його параметри:

I_{k max} = 30 mA.

U_{кэ max} = 20 В.

U_{кб max} = 20 В.

P_{к max} = 225 мВт.

h_21э = 10 - 100.

f_гр = 300 МГц.

1. Схема використовується для підсилення малих сигналів без спотворень. Напруга змінного сигналу може мати як позитивне, так і негативне значення. Тому й при рівному нулю вхідному сигналі (режим спокою) у транзисторі повинні існувати струми бази та колектора, а для розрахунку робочого режиму транзистора потребуються сімейства вхідних і вихідних характеристик. Які для даного транзистора приведені в додатку А.

2. На сімействі вихідних ВАХ наводимо криву максимально допустимої потужності. Для цього надаємо різні значення Uке в межах значень наведеної характеристики, обчислюємо струм колектора за формулою:

Iк = Р_{к. макс} / Uке. (1.1)

та з’єднуємо отримані точки.

3. Хід навантажувальної прямої за постійним струмом і положення робочої точки визначається точкою Ек на вісі абсцис, при цьому пряма перетинає вісь ординат в точці за формулою:

. (1.2)

Через ці позначені точки необхідно провести пряму навантаження.

Опір Rе потрібно визначити виходячи з таких міркувань. Для підвищення коефіцієнта стабілізації збільшують Rе наскільки дозволяє джерело та зменшують

Rб = R1/R2 (1.3)

Але при малому Rб зростає струм споживання транзистора та погіршуються його енергетичні показники. Як правило,

U_Rе = (0,15…0,2) Ек. (1.4)

U_Rе = 0,2 15 = 3 В.

Орієнтуючись на типовий режим транзистора Uке = 5В,

Ік_о = Іе = 1…5 мА.

Приймаємо значення Ік_о = 5мА і визначаємо Rе за формулою:

Rе = U_Rе / Іе. (1.5)

Rе = 3/5 10^-3 = 600 Ом.

Отже із ряду номіналів Е24 приймаємо резистор рівний 600 Ом.

Визначаємо його потужність

P_R = I² R (1.6)

P_Rе = (5 10^{-3) 2} 600 = 0,015 Вт.

Приймаємо потужність резистора рівною 0,125 Вт.

За формулою 1.2 розраховуємо Iк

= 9,4 мА.

та відмічаємо Ік на графіку 1 (додаток А), будуємо навантажувальну пряму.

4. Обираємо на навантажувальної прямої положення робочої точки спокою А так, щоб забезпечити задану зміну змінної складової струму бази Іmб в позитивному та негативному напрямках. Робоча точка визначить постійну складову струму бази Іб_о, яка дорівнює 150 мкА ₍струм бази в режимі спокою), постійну складову струму колектора Ік_{о (}струм колектора в режимі спокою), постійну складову напруги на колекторі Uке_о (наруга спокою на колекторі), яка дорівнює 12 В.

5. Амплітуда змінної складової струму колектора

Іmк = (Ік макс - Ік мін) / 2 (1.7)

Іmк = (7 - 3,5) / 2 = 1,75 мА.

6. Амплітуда змінної напруги на навантаженні

Um _н = Іmк Rк. (1.8)

Um _н = 1,75 10^-3 1 10³ = 1,75 В.

7. Коефіцієнт підсилення за струмом

К_І = Іmк / Іmб. (1.9)

К_І = 1,75 10^-3/45 10^-6 = 39.

8. Вихідна потужність

Рвих = 0,5 Іmк Um _н. (1.10)

Рвих = 0,5 1,75 10^-3 1,75 = 1,53 мВт.

9. Потужність, що споживається в колекторному колі

Рспож = Ек Іко. (1.11)

Рспож = 15 5 10^-3 = 0,075 Вт.

10. ККД колекторного кола

h = Рвих /Рспож 100%. (1.12)

h = (1,53 10^-3/0,075) 100 = 2,04%

11. На вхідній ВАХ, графік 2 додаток А, позначаємо точку А, котра відповідає Іб_о, і за графіком знаходимо Uбе_о = 0,7 В, а для значень Ібмакс і Іб мін (точка Б і В на графіку) - відповідно Uбе макс = 0,77 В і Uбе мін = 0,71 В.

12. Амплітуда вхідної напруги

Umб = (Uб макс - Uб мін) /2. (1.13)

Umб = (0,77 - 0,71) / 2 = 30 мВ.

13. Коефіцієнт підсилення за напругою

К_U = Um _н / Umб. (1.14)

К_U = 1,75/0,03 = 58,3.

14. Коефіцієнт підсилення за потужністю

К_Р = К_І К_U. (1.15)

К_Р = 39 58,3 = 2275.

15. Вхідна потужність

Рвх = 0,5 · Іmб · Umб. (1.16)

Рвх = 0,5 · 0,045 10^-3 · 0,03 = 0,675 мкВт.

16. Вхідний опір

Rвх = Umб / Іmб. (1.17)

Rвх = 0,03/0,045 10^-3 = 667 Ом.

47) ЕЛЕКТРОННІ ПІДСИЛЮВАЧІ

 

Електронні підсилювачі — це пристрої, які збільшують потужність

електричних сигналів за рахунок споживання енергії постійного струму.

 

Вони є одними з основних структурних елементів апаратури в області

радіотехніки, електроавтоматики, телемеханіки, радіолокації й ін.

Сигнали, одержувані від мікрофонів, датчиків і інших джерел вхідного

сигналу, звичайно малопотужні (від 1 до 100 мв). Підсилювачі повинні

збільшити цю потужність до значення (декількох вольтів), зручного для

застосування.

 

У підсилювачах використовують здатність активних електронних елементів

(транзисторів, ламп і ін.) до посилення.

 

При подачі на вхід підсилювача слабких сигналів Uвх у вихідному ланцюзі

проходять струми, що створюють на опорі навантаження перепад напруги

Uвых>Uвх Потужність вихідного сигналу зростає в порівнянні з потужністю

вхідного сигналу.

 

У залежності від характеру сигналів розрізняють різні види підсилювачів:

постійний струм і струм з невеликими пульсаціями (f<20 Гц) підсилюються

підсилювачами постійного струму (УПТ). Низькочастотні (звукові) сигнали

(f =20 Гц - 20 кгц) підсилюються низькочастотними

підсилювачами (УНЧ). Для f >100 кгц використовують підсилювачі

високочастотні УВЧ. Бувають підсилювачі аналогових, (мал. 114, а),

імпульсних (мал. 114,6) сигналів і ін.

 

У тих випадках, коли посилення не забезпечується одним підсилювачем,

використовують багатокаскадні підсилювачі. У залежності від елементів

з'єднуючої ланцюга розрізняють:

 

підсилювачі з гальванічним зв'язком (мал. 115, а) — підсилювачі

постійного струму. Такі підсилювачі складаються максимум із трьох

каскадів, тому що при більшому числі каскадів вони нестабільні. Щоб

забезпечити деякі спеціальні вимоги, підсилювачі можна виконувати на

різних, підібраних по властивостях, транзисторах (мал. 115,6). На

малюнку підсилювач побудований на біполярному й уніполярному (польовому)

транзисторах, перший з який працює за схемою з ОС, другий — з ОЭ. Його

вхідний опір Rвх = 5 - 10 мОм, власні шуми невеликі, що характерно

для польових транзисторів;

 

підсилювачі з ємнісним зв'язком (мал. 116, а) найчастіше використовують

у якості низькочастотних. Каскади зв'язані через конденсатор СБ2 і

резистор RБ2- Конденсатор

 

Рис. 114. Аналоговий (а) і імпульсний (б) електричні сигнали

 

Рис. 115. Схеми триступінчастих з біполярними транзисторами (а) і з

польовим і р-n-р-транзистором (б) підсилювачів постійного струму

 

СБ2 зв'язує базу Т2 з колектором Т1, тобто подає напруга з виходу першої

ступіні на вхід наступної ступіні.

 

На схемі мал. 116,6 опору R1 , R3 i R4 утворять дільник напруги; RC1 і

RC2

 

опору навантаження. Елементи RИ1 і CИ1,R И1 призначені для

термостабилизации робочої крапки транзисторів; С1 і C2 — єднальні

конденсатори.

 

Найбільш важливі параметри і характеристики підсилювачів.

 

- Коефіцієнт підсилення показує, у скількох разів вихідний

сигнал більше вхідного.

 

У залежності від виду посилюваного сигналу розрізняють коефіцієнти

підсилення по напрузі ky, по струму k, і по потужності kp.

43) Однією з основних частин СОІ єіндикатор - електронний прилад для перетворення електричних сигналів упросторовий розподіл яскравості (контрасту). Властивості тахарактеристики індикатора визначають найважливіші параметри СОІ --інформаційну ємність, надійність і ін Ми розглянемо один з видівіндикаторів - вакуумні люмінесцентні індикатори (ВЛІ).

2. Принцип дії.

Принцип дії ВЛІ заснований на використанні явища люмінесценції,що виникає в катодолюмінофорах при порушенні їх електронного пучка. Увідміну від високовольтної катодолюмінесценціі, що використовується в ЕЛП, в ВЛІмає місце низьковольтна люмінесценція. Цим усувається один з головнихнедоліків ЕЛП - висока прискорює напруга.

Катодолюмінесценція виникає при досягненні електронами цілкомпевної енергії eUL,, де UL - потенціал початку катодолюмінесценціі.
У більшості матеріалів, що утворюють групу високовольтнихкотодолюмінафоров, що застосовуються в ЕЛП, UL обчислюється сотнями вольт.

3. Пристрій, параметри і характеристики.

Вакуумні люмінесцентні індикатори випускаються в циліндричних іплоских балонах. Перші бувають так однорозрядних, так і багаторозрядних,друге - лише багаторозрядних.

Основа однорозрядних ВЛІ - скляна або керамічна плата, наякої закріплені всі інші деталі індикатора (рис. 1). У поглибленняхплати, виконаних у вигляді сегментів, знаходиться провідний шар, з'єднанийз контактами. Кожен сегмент має окремий висновок. Провідні шарисегментів повністю покриті люмінофором. На передній стороні плати внапрямку зчитування встановлюється плоский металевий електрод.
Отвори в цьому електроді розташовані навпроти відповідних сегментів,покритих люмінофором. На невеликій відстані від екрануючого електроданатягнута керуюча сітка. У свою чергу на малій відстані від площинисітки, приблизно паралельно осі лампи, розташований прямоканальний оксиднийкатод. Вся ця система поміщена в циліндричну скляну колбу, яказсередини покрита прозорим провідним шаром.

У вихідному стані для надійного замикання електронного струму ізапобігання небажаного світіння люмінофора до сітки прикладаєтьсянегативна напруга змішання - кілька вольт по відношенню до катода.

При позитивному напрузі на керуючої сітці електрониприскорюються в напрямку анодних сегментів. Завдання керуючої сіткиполягає ще в тому, щоб забезпечувати можливо більш рівномірнийрозподіл щільності потоку електронів на поверхні анода індикатора.
Екранує електрод має той самий потенціал, що і керуюча сітка.
Електрони потрапляють на сегменти, які мають у даний момент позитивнийпотенціал; виникає низьковольтна катодолюмінесценція - нанесений на анодсегмент люмінофор починає світиться. Яскравість світіння залежить-
мости від застосовуваного люмінофора досягає значень 300-700 кд/м2 і більше.

Розвитком циліндричного ВЛІ з'явилася конструкція індикатора вплоскому балоні (рис. 2).

Крім 7-сегментних плоских ВЛІ розроблені також 14-сегментнііндикатори - ВЛІ, знакомісць якого виконано у вигляді точкової матриці 5 * 7або 7 * 12 елементів, матричні, аналогові та цифро-аналогові.

Перші два типи індикаторів забезпечують представлення всіх букв,цифр і великої кількості символів. Матричні ВЛІ складаються з великого числасвітловипромінювальних елементів. Такий індикатор дозволяє відображати буквено -цифрові повідомлення, графіки і навіть нескладні рухомі зображення

42)Тиратрон — ионный газоразрядный многоэлектродный коммутатор тока, в котором между анодом и катодом могут располагаться одна (триод), две (тетрод) или более (пентод, гексод) управляющие электроды (сетки). Для того, чтобы зажечь разряд между анодом и катодом, на сетку подаётся электрический сигнал. В отличие от вакуумных триодов, при снятии управляющего сигнала ток между анодом и катодом продолжается до тех пор, пока напряжение на аноде не уменьшится ниже напряжения поддержания разряда. В современной электронике, маломощные тиратроны практически полностью вытеснены полупроводниковыми приборами. Современные мощные тиратроны применяются при коммутации импульсов тока до 10 кА и напряжения до 50 кВ.

Тиратрон.Более сложным ГРП является тиратрон.

Он содержит катод, анод и один или несколько управ-

ляющих электродов, называемых сетками. Тиратрон мо-

жет находиться в двух устойчивых состояниях: непрово-

дящем и проводящем. На рис. 3.9, б показано устройство

тиратрона с холодным катодом типа МТХ-90. Тиратрон

состоит из цилиндрического катода 1, стержневого метал-

лического анода 2 и металлической сетки 3, выполненной

в виде шайбы. При подаче на сетку небольшого положи-

тельного относительно катода напряжения между сеткой

и катодом возникает вспомогательный тихий разряд.

При подаче на анод положительного напряжения разряд

переносится на анод. Чем больше ток вспомогательного

разряда в цепи сетки, тем меньше напряжение зажигания

тиратрона. После возникновения разряда между катодом

и анодом изменение напряжения сетки не влияет на

силу тока тиратрона, и прекратить ток через тиратрон

можно уменьшением анодного напряжения до значения,

меньшего напряжения горения.

Тиратроны тлеющего разряда потребляют очень малую

энергию, работают в большом интервале температур, не

чувствительны к кратковременным перегрузкам, готовы

к мгновенному действию. Благодаря этим качествам они

применяются в импульсных устройствах, генераторах, не-

которых узлах счетно-решающих устройств, в релейной

аппаратуре, устройствах индикации и др.__ возникновение разряда в анодной цепи.

 

44) Основа індикатора – скляна або керамічна плата 1, на якій закріплені усі інші деталі індикатора. В заглибленнях плати, виконаних у вигляді сегментів, знаходиться провідний шар 2, з’єднаний з контактами 3 (4 – означає люмінофор). Провідні шари сегментів повністю перекриті люмінофором. На передній стороні плати в напрямку зчитування встановлюється плаский металічний електрод Отвори у цьому електроді розміщені напроти відповідних сегментів, покритих люмінофором. На невеликій відстані від екрануючого електрода 5 натягнута керуюча сітка 6 . У свою чергу на малій відстані від площини сітки, приблизно паралельно осі лампи, натягнений прямоканальний оксидний катод. Уся ця система поміщена в циліндричну скляну колбу, яка усередині покрита прозорим провідним шаром 8.

В початковому стані, щоб запобігти свіченню люмінофора, до сітки прикладається від’ємна напруга – декілька Вольт по відношенню до катоду.

При позитивній напрузі на керуючий сітці електрони прискорюються у напрямку анодних сегментів. екрануючий електрод має той же потенціал, що керуюча сітка. Електрони попадають на сегменти, що мають у даний момент позитивний потенціал, виникає низьковольтна катодолюмінісценція – нанесений на анод люмінофор починає світитися. Яскравість світіння в залежності від люмінофору досягає значень 300-700 кд/м².

Рис.6. Конструкція вакуумного люмінесцентного індикатора

Конфігурація сегментів звичайно або 7-сегментна, або більш складна 14-сегментна.

У табл..1 наведені характеристики кольорових люмінофорів для ВЛІ.

Таблиця 1. Характеристики кольорових люмінофорів

Колір світіння	Склад люмінофору	Довжина хвилі, нм
Синій	ZnS:Ag+In2O3
Синє-зелений	ZnO:Zn
Зелений	(Zn, Cd)S:Ag ZnS:Cu
Лимонний	ZnS:Au, Al+ In2O3
Жовтий	ZnS:Mn+ In2O3
Червоний	(Zn, Cd)S:Ag+ In2O3

45) Світлодіоди

Перші джерела випромінювання на основі інжекційної люмінесценції (світлодіоди) з’явились у 1960-х роках. Перевагами світло діодів є простота модуляції, висока швидкодія, малі напруги живлення, надійність, мініатюрність. Довжина хвилі випромінювання світлодіода залежить від ширини забороненої зони напівпровідника та легуючими домішками. У табл. 2 наведені основні типи речовин, що використовуються у сучасних світлодіодах.

Таблиця 2. Основні типи речовин у сучасних світлодіодах

Речовина	Довжина хвилі, нм	Квантовий вихід, %	Колір свічення
InGaAsP InGaAsP GaAs:Si GaAs:Zn GaP:Zn,O GaAsP AlGaAsP GaAsP:N AlInGaP GaP:N GaAsP:N AlInGaP AlInGaP GaP:N GaP:N InGaN ZnTeSe GaN ZnCdSe SiC InGaN		3-8 3-8 2-4 0,2 0,2-0,3 0,1 0,12 0,4 0,7 2,6 5,3 0,003 1,3 0,03 3,8	Інфрачервоний Інфрачервоний Інфрачервоний Інфрачервоний Червоний Червоний Червоний Червоний Червоно-помаранчевий Помаранчевий Помаранчевий Помаранчево-жовтий Жовтий Жовтий Жовто-зелений Зелений Зелений Блакитний Блакитний Синій Синє-фіолетовий

Ширина спектру випромінювання залежить від механізму випромінювальної рекомбінації. Для випромінювачів на AlGaAs ширина спектру складає 30-45 нм, для світлодіодів на InGaAsP – 100-110 нм.

Зовнішній квантовий вихід випромінювання світлодіодів завжди менше за внутрішній, бо з кристалу може вийти лише частина фотонів, що виникла при рекомбінації. Повне внутрішнє відбиття призводить до того, що з кристалу може вийти тільки та частина випромінювання, яка падає на його поверхню в деякій зоні кутів. Наприклад для GaP показник переломлення n=3,3, а кут q=17,7°. В цих умовах через пласку поверхню (рис.16,а) може вийти лише 2% світла, що випромінюється p-n переходом.

Рис.16. Конструкції світло діодів: а) пласка; б) p-n перехід на мезі; в) з напівсферою; г) з пластмасовою лінзою.

На цьому рисунку: а – плаский кристал, б – мезаструктура, в – полу сферичний кристал, г – структура з лінзою; 1 – напівпровідник, 2 – p-n перехід, 3 – металічний контакт, 4 – пластмасова лінза. Функцію виходу можна підвищити, розміщуючи p-n перехід на так званій мезі – столоподібному виступі діаметром 0,1-0,2 мм (рис.16,б). Частина випромінювання відбивається від бокових граней та спадає на бокову поверхню під кутами, близькими до нормальних. Це дозволяє підвищити вихід випромінювання у 2-3 рази. Приблизно на порядок підвищується зовнішній квантовий вихід у світлодіодах, виконаних у вигляді напівсфери (рис.16,в), або споряджених пластмасовою лінзою (рис.16,г), оскільки повне внутрішнє відбиття в них практично виключається. Вихід можна підвищити ще приблизно у 1,5 рази, наносячи на поверхню просвітлюючи покриття, наприклад, плівки SiO, SiO₂, Si₃N₄ тощо.

 

Рис.21. Восьмисегментний індикатор

Сім сегментів (a, b, c, d, e, f, g) використовуються для утворення зображення цифри, восьмий сегмент (DP) – точка. Такі індикатори випускають з розмірами цифри від 5 до 80 мм. Одиночні індикатори об’єднують в групи по 2, 3, 4 та більше цифр.

Для зображення цифр та букв необхідно мати більше сегментів. На рис.22 показана конфігурація 17-сегментного індикатора фірми Sharlight.

Рис.22. 17 – сегментний індикатор.

При такій кількості сегментів можна зобразити окрім цифр, усі букви європейських язиків та допоміжні знаки. Звичайно, керувати таким індикатором набагато важче, ніж 7 або 8-сегментним.

Матричні індикатори – матриці з одиночних світлодіодів, розміщені у вигляді прямокутної матриці з К рядів та Р колонок. Звичайно, така матриця має конструкцію 7х5, або 35 точок, хоча є матриці 4х4 та 8х8. Схема такої матриці показана на рис.23. Матриця складається з КхР світлодіодів, анод кожного світло діода підключений до шини колонки, а катод – до шини ряду. Він запалиться лише коли на відповідну колонку подати напругу живлення, а ряд замкнути на землю. Тому світлодіоди у матриці можна запалювати тільки по черзі, перебираючи усі КхР положень і включаючи тільки ті, що потрібні для формування заданого знаку.

Рис.23. Схема матричного індикатору.

Розрахунок драйвера світлодіодів

При розробці драйверів для світлодіодів, шкальних індикаторів, семисегментних та інших дисплеїв необхідно досягти оптимального світлового виходу. розсіювання потужності надійності і можливо більшого строку експлуатації. параметри кожного світлодіодного приладу наведені в листах даних (максимально допустимі параметри, оптичні та електричні параметри).

Вихідними критеріями є максимальний струм драйвера і максимальна температура переходу у світлодіоді. Остання є різницею між зовнішньою температурою і температурою переходу Tjmax. Ця різниця визначається як добуток розсіюваної потужності P_D та термічного опору переходу R_L: Т = P_D R_L. Дані по термічному опору світло діодів та індикаторів наводяться у листах даних. Важливо не доводити світлодіоди та індикатори до граничної температури переходу.

На рис.24 показана типова вольт-амперна характеристика світло діоду (по горизонталі – пряме падіння напруги, по вертикалі – прямий струм.

Рис.24. Типова вольт-амперна характеристика світлодіоду.

Розсіювана потужність визначається як добуток прямого струму на падіння напруги. Розрахунок інтенсивності освітлення при температурі +25°С може бути поширений на будь-яку температуру за допомогою рівняння:

Imax(T°) = Imax(+25°C)exp[k(T-25°C)],

де коефіцієнт kможе бути визначений по табл.3.

Таблиця 3. Температурний коефіцієнт світлодіоду

Тип світлодіода	k/°C
Стандартний червоний	-0,0188
Високоефективний червоний	-0,0131
Жовтий	-0,0112
Зелений	-0,0104
DH AlGaAs	-0,0095
TS AlGaAs	-0,0130
AlInGaP	-0,0100
TS AlInGaP	-0,0100

48) 1. Основні характеристики підсилювачів
Підсилювач здійснює збільшення енергії керуючого сигналу за рахунок енергії допоміжного джерела. Хоча в будь-якому підсилювачі відбувається посилення потужності сигналу, на практиці виділяють три групи підсилювачів: напруги, струму та потужності. Відповідно до цього діленням розрізняють коефіцієнти підсилення по напрямку, по струму і по потужності.
Коефіцієнт підсилення по напрузі або, ще кажуть, коефіцієнт передачі напруги K _u - це відношення вихідної напруги
_'Вих = U _вих підсилювача до його вхідній напрузі _'вхід = U _{вхід :}
K _u = = = K _u e ^j,
де K _u = - Називають амплітудно-частотною характеристикою підсилювача, а () = _{2- 1} - фазово-частотної характеристикою.
Аналогічно вводяться коефіцієнти підсилення по струму і по потужності:
K _I = ; K _P = .
Однією з важливих характеристик підсилювального каскаду є його амплітудна характеристика: залежність амплітуди вихідного сигналу від амплітуди вхідного сигналу. На рис.1 наведено частотна (а), фазова (б) і амплітудна (в) характеристики ідеального (пунктирна крива) і реального (суцільна лінія) підсилювачів.
SHAPE \ * MERGEFORMAT SHAPE \ * MERGEFORMAT
рис.1
На рис. 1а = _{B- H} називається смугою пропускання підсилювального каскаду.
Підсилювальний каскад є елементом певної радіотехнічної схеми - до входу підсилювача підключається джерело сигналу, а до виходу - навантаження. Для узгодження підсилювача з названими елементами, а також для аналізу роботи каскаду необхідно знати вхідний і вихідний опір підсилювача.
Вхідним опором підсилювача називається опір між його вхідними затискачами при впливі підсилюється сигналу, тобто
Z _вх = , Аналогічно вихідний опір каскаду Z _вих = .

2. Завдання режиму роботи транзистора по постійному струму фіксованим струмом бази в схемах із загальним емітером
Схема однокаскадного підсилювача, придатного для практичного застосування, наведена на рис.2.

Рис. 2
Конденсатори з ₁ і з ₂ служать для поділу по постійному струму підсилювача і джерела сигналу. Опору R _б і R _к потрібні для створення необхідних постійних напруг між електродами транзистора. При цьому абсолютні значення напружень на тому чи іншому виведення, як правило, не відіграють істотної ролі, важливі лише відносні значення. Тільки після створення необхідних постійних напруг між окремими електродами транзистора або, як кажуть, режиму схеми по постійному струму, можлива нормальна робота підсилювального каскаду.
Для вибору режиму роботи транзистора необхідно знати сімейство його вихідних характеристик, тобто залежність струму колектора I _к від напруги емітер-колектор U _ек, для різних фіксованих значень струму бази I _б. Буде потрібно, також, величина коефіцієнта передачі струму бази для обраного транзистора:
= .
На рис.3 наведено сімейство вихідних вольтамперних характеристик (ВАХ) транзистора і навантажувальна пряма.

49)