Ультразвуковые линии задержки

 

В основу ультразвуковых линий задержки (УЛЗ) положено преобразование электрического сигнала в акустический (ультразвуковой) с помощью пьезокерамического преобразователя 1, распространение его по звуководу 2 и обратное преобразование в электрический сигнал с помощью пьезокерамического преобразователя 3 (рис. 3.3). Главное преимущество УЛЗ перед другими линиями задержки – малая скорость акустического сигнала, составляющая, в зависимости от материала, из которого изготовлен звуковод, cа = (2…4)103 м/с, что примерно в 100 тыс. раз меньше скорости электромагнитных волн. Малая скорость акустических сигналов позволяет существенно сократить длину звуковода l по сравнению с коаксиальным кабелем.

Рис. 3.3

Казалось бы, УЛЗ благодаря малым габаритам должны полностью вытеснить другие виды ЛЗ. Однако они обладают рядом недостатков. Во-первых, при преобразовании на входе в звуковод и на выходе из него сигнал сильно ослабляется, поэтому перед «запуском» в УЛЗ его приходится усиливать. Но самый главный недостаток заключается в сильной зависимости затухания акустического сигнала от частоты (kзат ~ f1,5). Поэтому при прохождении по УЛЗ широкополосных сигналов (в частности, коротких импульсов) возникают искажения их спектров, а значит и формы. Например, прямоугольные импульсы сглаживаются и приобретают колоколообразный вид (сглаживание объясняется ослаблением высокочастотных гармоник в спектре задерживаемых импульсов).

 

УСИЛИТЕЛИ НА ТРАНЗИСТОРАХ

Рассмотрим три основные схемы включения транзисторов. При этом ограничимся рассмотрением схем включения биполярных транзисторов: схемы включения полевых (канальных) транзисторов аналогичны схемам включения биполярных транзисторов и, если не учитывать некоторые нюансы, могут быть получены из последних «заменой электродов», т. е. исток должен быть включен вместо эмиттера, затвор – вместо базы, сток – вместо коллектора. В качестве транзисторов выберем приборы n–p–n-типа: в этом случае как на коллектор, так и на базу следует подавать питающее напряжение положительной полярности и объяснение принципа действия схем становится проще. При этом включения транзисторов p–n–p-типа ничем, кроме полярности питающих напряжений, не отличаются от включений n–р–n-транзисторов.

 

Схема с общим эмиттером

  Рис. 4.1

Схема включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ) изображена на рис. 4.1. Входным электродом является база (точнее, входной сигнал Uвx приложен к переходу эмиттер – база, т. е. Uвx = UБЭ = fБ – fЭ, где fБ и fЭ – соответственно, потенциалы базы и эмиттера). Выходным электродом является коллектор, т. е. выходное напряжение Uвыx равно падению напряжения между коллектором и эмиттером UKЭ: Uвыx = UКЭ = fK – fЭ, где fK – потенциал коллектора.

Таким образом, эмиттер является «общим электродом» и для Uвx, и для Uвыx, чем и объясняется название схемы. Допустим, что эмиттер заземлен и fЭ = 0. В большинстве случаев непосредственное соединение эмиттера с землей применяют редко, но здесь рассматривается именно схема с заземленным эмиттером, так как наличие дополнительных элементов RЭ и CЭ не изменяет основной принцип работы схемы с ОЭ, но сильно усложняет объяснение.

Емкости Cp1 и Сp2 будем считать в диапазоне частот сигнала короткими замыканиями, а для постоянных питающих напряжений они, естественно, представляют собой разрывы. Впоследствии вклад Сp1 и Сp2 в характеристики схемы и их назначение будут оговорены.

Для объяснения работы схемы используем известное из физики полупроводников явление: p–n-переход при подаче на р-полупроводник положи-

тельного потенциала (относительно потенциала n-полупроводника) открывается и через переход течет ток; причем в определенных пределах ток прямо пропорционален разности потенциалов на переходе. К базе транзистора приложено постоянное положительное напряжение, определяемое значением напряжения источника питания Е и соотношением сопротивлений RБ1 и RБ2 (RБ1 и RБ2 называют базовым делителем), поэтому fБ всегда превышает fЭ и переход эмиттер – база открыт.

Если теперь учесть, что на базу транзистора кроме постоянного положительного напряжения Uвx= = E(RБ2/(RБ1 + RБ2)) поступает также переменный сигнал Uвx≈ (для простоты примем, что Uвx≈ – гармонический сигнал), то в моменты, когда Uвx≈ имеет положительную полярность, p–n-переход открывается еще больше и ток через него возрастает, а в моменты, когда Uвx≈ имеет отрицательную полярность (но сохраняется Uвx= + Uвx≈ >0), переход частично закрывается и ток уменьшается. Ток через p–n-переход эмиттер – база называют током эмиттера IЭ. Внутри транзистора он разделяется на небольшой ток базы IБ << IЭи ток коллектора IК ≈ IЭ. В свою очередь, ток коллектора IК течет через сопротивление RK и создает на нем напряжение DUR = IKRK. Отсюда очевидно, что потенциал коллектора fK = Е – DUR = Е – IKRK зависит от того, насколько открыт переход эмиттер – база, т. е. от Uвx.

Для аналитического описания зависимости IК от UБЭчасто используют параметр S = DIK/DUБЭ, который называется крутизной. Единицей измерения крутизны является ампер на вольт [А/В], ее название связано с очень редко встречающимися в справочниках «сквозными» вольт-амперными характеристиками транзисторов. Итак,

Uвыx = fK – fЭ = Е – IKRK = Е – S UБЭ RK = Е – S RK(Uвx= + Uвx≈) =

= Е – S RKUвx= – S RKUвx≈.

Два первых слагаемых представляют собой постоянное напряжение Uвых=, а переменный выходной сигнал равен Uвыx≈ = – S RKUвx≈.

Таким образом, в схеме с общим эмиттером при подаче переменного сигнала на базу транзистора обеспечивается формирование на коллекторе такого же переменного сигнала, отличающегося от входного амплитудой и знаком. При прохождении сигнала через схему имеет место сдвиг фазы, равный 180°). Коэффициент передачи схемы по напряжению

KU = | Uвыx≈/Uвx≈| = S RK.

Отметим, что использование такого параметра, как крутизна, удобно лишь для объяснения процессов в схеме. В справочниках величина S не приводится, зато обычно имеются входные и выходные вольт-амперные характеристики (зависимости IБ от UБЭи IК от UКЭ соответственно).

Остановимся еще на некоторых моментах.

Во-первых, следует обсудить функциональное назначение емкостей Cp1 и Сp2. Эти емкости представляют собой элементарные фильтры высоких частот, обеспечивающие развязку последовательно соединенных схем по постоянному сигналу. Допустим, что усилитель построен по двухкаскадной схеме, т. е. состоит из двух схем с общим эмиттером (выход первой схемы соединен со входом второй). В этом случае, очевидно, надо без потерь передать переменный сигнал с коллектора транзистора первой схемы на базу транзистора второй схемы. Проще всего это можно было бы сделать, соединив электроды двух транзисторов накоротко. Но ведь как напряжение на базе, так и напряжение на коллекторе содержат не только переменные, но и постоянные составляющие, причем разные:

fБ= = Uвx= = E(RБ2/(RБ1 + RБ2));

fK= = Uвыx= = Е – S RKUвx=.

Элементом, который пропускает переменный ток, но не пропускает постоянный, является емкость. Именно «разделительная» емкость Сp, установленная между двумя каскадами, обеспечивает прохождение переменного сигнала и «развязку» каскадов по постоянному току.

В схеме рис. 4.1 эмиттер заземлен. Обычно это не так: схема с общим эмиттером содержит в цепи эмиттера сопротивление RЭ и блокировочный конденсатор СЭ. Назначение резистора – обеспечивать термостабилизацию параметров схемы. Дело в том, что при повышении температуры в полупроводниках возрастает подвижность носителей зарядов и их концентрация, в результате чего возрастает ток эмиттера, а значит и ток коллектора. Чтобы вернуть токи в исходное (до нагрева) состояние, надо частично закрыть переход эмиттер-база, а для этого увеличить fЭ при неизменном fБ. Если эмиттер заземлен, то изменить fЭ невозможно, а если имеется сопротивление RЭ – задача решается очень легко: fЭ = IЭ RЭ, поэтому с ростом IЭ обеспечивается нужный эффект увеличения потенциала эмиттера. К сожалению, наличие RЭ вызовет минимизацию изменений тока IЭ не только на инфранизких частотах температурного дрейфа, но и на частотах сигнала, усиление схемы резко снизится. Поэтому необходимо зашунтировать RЭ на частотах сигнала, применив для этой цели блокировочный конденсатор. На частотах температурного дрейфа СЭ представляет собой большое сопротивление и не влияет на механизм термостабилизации; с возрастанием f превращается в короткое замыкание.

Теперь оговорим, какими параметрами обладает схема с ОЭ.

1. Коэффициент передачи (усиления) по напряжению KU = SRK обычно достигает единиц-десятков раз.

Рис. 4.2

2. Амплитудная характеристика (АХ) – зависимость Uвыx≈ от Uвx≈ (рис. 4.2). Линейный участок АХ имеет наклон α, связанный с коэффициентом передачи соотношением KU = tg α. При малых уровнях входного сигнала Uвыx≈ определяется уровнем шума Uш, при очень больших (Uвx > > Uлин max) – примерно равен уровню коллекторного питания.

3. Коэффициент передачи по току KI равен отношению выходного тока ко входному. Выходным электродом является коллектор, входным – база, поэтому КI = IK/IБ. Но IБ << IЭ, а IК = IЭ, отсюда KI >> 1.

4. Коэффициент передачи по мощности KP = KUKI, как следствие, весьма значителен.

5. Сдвиг фаз в схеме равен 180°.

6. Входное сопротивление Rвx схемы определяется параллельным соединением сопротивлений RБ1, RБ2 и эквивалентного сопротивления р–n-перехода эмиттер – база: rБЭ = IБ/UБЭ.Обычно значения RБ1 и RБ2, необходимые для работы схемы, а также rБЭ составляют килоомы – десятки килоом, поэтому и входное сопротивление равно килоомам.

7. Выходное сопротивление ненагруженной схемы Rвыx определяется в первую очередь значением сопротивления RK (сотни ом – единицы килоом), а также эквивалентным сопротивлением транзистора rКЭ = IК/UКЭ (обычно порядок rКЭ – килоомы).

Рис. 4.3

8. Амплитудно-частотная характеристика KU = KU(f), где f – частота (рис. 4.3). АЧХ имеет на средних частотах равномерный участок, параллельный оси частот. На низких частотах, где емкости Cp1 и Сp2 еще не являются короткими замыканиями и часть сигнала падает на них, АЧХ имеет спад. Дополнительной причиной спада АЧХ на низких частотах является наличие RЭ, еще не зашунтированного в полной мере блокировочным конденсатором. Спад АЧХ имеет место и на высоких частотах, но там он вызван шунтирующим действием паразитных емкостей Спар (Спар, в частности, «включены» параллельно RK), а также снижением усилительных свойств транзистора с частотой (снижением S).

9. Фазочастотная характеристика Df = Df(f). Сдвиг фаз Df = 180° обеспечивается только на средних частотах. На низких частотах из-за вклада Cp1 и Сp2 он больше, на высоких частотах из-за наличия Спар – меньше.

АЧХ и ФЧХ схемы не всегда удовлетворяют потребителя, и часто осуществляется их коррекция (исправление) с помощью внесения дополнительных элементов.

Низкочастотная коррекция (НЧК) осуществляется разделением коллекторного сопротивления (рис. 4.4) на два: RK1 и RK2. Средняя точка делителя через емкость Cф соединяется с землей. На низких частотах Cф представляет собой большое сопротивление, и ее можно не учитывать при определении коэффициента усиления схемы, который определяется как KU = S(RK1 + RK2). На средних и высоких частотах Cф превращается в короткое замыкание и шунтирует RK2, поэтому коэффициент усиления снижается и равен KU = SRK1.

Рис. 4.4

Cф выполняет также функцию фильтра, не допускающего переменный сигнал в источник питания (именно поэтому он помечен индексом «ф»).

Высокочастотная коррекция осуществляется двумя различными способами. Во-первых, последовательно с RK ставят индуктивность L (рис. 4.5) – такой способ называется индуктивной высокочастотной коррекцией (ИВЧК). В этом случае при любом значении индуктивности коэффициент усиления схемы возрастает с ростом частоты, так как

Рис. 4.5

KU = S =

= S .

При более тонком подборе значения L можно «организовать» резонанс между индуктивностью и паразитной емкостью на частоте, при которой начинается спад АЧХ. Резонансный контур должен быть параллельным, что в действительности имеет место и может быть объяснено с помощью эквивалентной схемы каскада по переменному току (рис. 4.6). Недостатком ИВЧК является наличие в схеме низкотехнологичного элемента – катушки индуктивности.

Второй способ высокочастотной коррекции – эмиттерная (ЭВЧК) не предусматривает введение в схему дополнительных элементов, а лишь существенное уменьшение значения емкости CЭ. Независимо от своего значения эта емкость не шунтирует RЭ на инфранизких частотах температурного дрейфа, поэтому механизм термостабилизации не нарушается. Но маленькая CЭ (при малых значениях ее уже не принято называть блокировочной) не шунтирует RЭ и на низких и средних частотах сигнала, при этом KU снижается.

Только на высоких частотах CЭ закорачивает эмиттерное сопротивление и коэффициент усиления начинает возрастать – как раз тогда, когда в силу других причин он снижается. ЭВЧК из-за отсутствия индуктивности находит все более широкое применение, хотя обладает существенным недостатком – уменьшением KU усилителя на низких и средних частотах.

Рис. 4.6

 

Схема с общим коллектором

 

Схема включения транзистора с общим коллектором (ОК) изображена на рис. 4.7. Входным электродом является база транзистора, а выходным –эмиттер. Коллектор накоротко соединен с источником питания, fК = Е = соnst. Так как коллекторный вывод не используется для выделения переменного сигнала, то коллектор считают «общим электродом» для входного и выходного сигналов, откуда и происходит название схемы.

Сопротивления RБ1 и RБ2используются в схеме с ОК для подачи на базу постоянного напряжения Uвx = E(RБ2/(RБ1 + RБ2)).

Сопротивление RЭ обеспечивает получение переменного выходного сигнала: оно обычно невелико. Когда известно сопротивление нагрузки (например, это кабель с эквивалентным сопротивлением 50 или 75 Ом), то RЭ выбирают из соотношения RЭ = Rн (условие передачи максимальной мощности в нагрузку). Если нагрузка неизвестна, но не исключено, что Rн может быть малым, выбирают RЭ порядка единиц-десятков ом.

Рис. 4.7

Схема с общим коллектором работает следующим образом. Входной сигнал приложен к базе, причем fБ = UБЭ + fЭ, а выходной сигнал равен fЭ = = IЭRЭ. Таким образом, Uвx = UБЭ + Uвых. Увеличение Uвx приводит к тому, что p–n-переход эмиттер – база транзистора становится более открытым, IЭ растет и увеличивается Uвыx = IЭRЭ. Вместе с тем, рост IЭ вызывает возрастание fЭ, транзистор частично закрывается. Изменение потенциалов базы и эмиттера транзистора, таким образом, происходит синхронно, но fЭ меняется несколько меньше, чем fБ.

Рассмотрим параметры и характеристики схемы с общим коллектором.

1. Коэффициент передачи по напряжению КU у схемы с общим коллектором, как это видно из объяснения ее работы, меньше 1. Получим его значение аналитически:

Uвx = UБЭ + Uвыx = UБЭ + IЭRЭ ≈ UБЭ + IКRЭ = UБЭ + S UБЭ RЭ,

Uвыx = IЭRЭ ≈ S UБЭ RЭ.

Тогда KU = Uвыx/Uвx = SRЭ/(1 + SRЭ) < 1.

2. Коэффициент передачи по току

КI = Iвых/Iвх = IЭ/IБ >> 1.

3. Коэффициент усиления по мощности КP определяется значением KI. Таким образом, поскольку КP > 1, то схема с OK все-таки является усилителем, хотя главный параметр, интересующий потребителя – КU никак не располагает к подобной классификации.

4. Сдвиг фаз в схеме Dj = 0 (так как fБ и fЭ меняются синхронно).

5. Входное сопротивление у схемы очень большое. Rвx определяется, как в схеме с ОЭ, параллельным соединением RБ1, RБ2 и эквивалентного сопротивления транзистора rБЭ = IБ/UБЭ. В схеме с ОК такой же, как и в схеме с ОЭ, порядок величин IБ, но к тому же мало меняется UБЭ (так как при подаче входного переменного сигнала fБ и fЭ изменяются синхронно). Обычно Rвx схемы с общим коллектором составляет килоомы-десятки килоом.

6. Выходное сопротивление RBЫХ = RЭ и составляет десятки ом.

7. Амплитудная характеристика Uвыx = F(Uвx) является линейной и имеет угол наклона a < 45° (a = 45°при KU = 1). Уровень Uвыx = E принципиально недостижим, так как даже при полностью открытом транзисторе на нем остается некоторое падение напряжения DUКЭ min и fЭ max = E – UKЭ min < E.

8. Амплитудно-частотная характеристика KU = KU(f) схемы с ОК имеет вид, аналогичный АЧХ схемы с ОЭ. В области средних частот имеется горизонтальный участок с ординатой, меньшей единицы. Спад из-за наличия разделительных емкостей наблюдается при очень малых частотах, так как Rвx имеет большое значение. Спад из-за наличия Спар наблюдается при относительно больших частотах, так как Rвыx – низкоомное. Таким образом, схема с ОК – самая широкополосная из основных трех схем включения транзисторов.

9. Фазочастотная характеристика Dj = Dj(f) отлична от нуля на низких (Dj > 0) и на высоких частотах (Dj < 0).

 

Схема с общей базой

Схема включения транзистора с общей базой (ОБ) изображена на рис. 4.8. Входным электродом является эмиттер (входной сигнал Uвx приложен к переходу эмиттер – база, база по переменному сигналу заземлена). Выходным электродом является коллектор; с учетом того, что база по переменному сигналу заземлена, можно считать, что Uвыx = fK, т. е. Uвыx≈ равно переменному напряжению между коллектором и базой. База является, таким образом, «общим электродом» для входного и выходного сигналов, откуда и происходит название схемы.

Назначение элементов RБ1, RБ2, СP1, СP2 и RK в схеме с ОБ такое же, как и в схеме с ОЭ. Дополнительными, в сравнении со схемой с ОЭ, элементами являются CБи RЭ. Базовая емкость CБ обеспечивает заземление базы по переменному сигналу. Непосредственное соединение базы с землей возможно только при наличии двух разнополярных источников питания: в самом деле, если fБ = 0 не только по переменному сигналу, а и по постоянному смещению, то для того чтобы р–n-переход эмиттер – база был открыт (fБ > fЭ), на эмиттер надо подавать постоянное отрицательное напряжение (на коллектор подается положительное напряжение). Чтобы избежать двухполярного питания, эмиттер заземляют, а на базу с помощью базового делителя подают положительное смещение fБ = = E(RБ2/(RБ1 + RБ2)).

Рис. 4.8

Сопротивление RЭ служит для того, чтобы на эмиттер можно было подавать переменный входной сигнал. Схема работает следующим образом. Когда Uвx≈ имеет положительную полярность, fЭ возрастает, в результате чего UБЭ = fБ – fЭ = fБ= – fЭ снижается и p–n-переход эмиттер-база частично закрывается. Ток IЭ уменьшается, в результате уменьшается и ток IK ≈ IЭ, снижается падение напряжения на сопротивлении RK, а потенциал fK = Е – IKRK возрастет. Так как fK≈ ≈ Uвыx≈, то при увеличении мгновенного значения Uвx≈ увеличивается и мгновенное значение Uвыx≈. При отрицательной полярности Uвx≈ происходят аналогичные процессы. Коэффициент усиления по напряжению KU = Uвыx≈/Uвx≈ = (IKRK)/(IЭ RЭ) ≈≈ RK/ RЭ.

Коэффициент передачи по току КI = Iвых/Iвх = IК/IЭ ≈ 1.

Таким образом, видно, что схема с общей базой не меняет фазу сигнала. Входное сопротивление Rвх = RЭ. При этом возникает следующая дилемма: с одной стороны, исходя из требования RK > RЭ (чтобы KU превосходил единицу), эмиттерное сопротивление следует выбирать малым; с другой стороны, каскад с низкоомным Rвx будет шунтировать выход предыдущей схемы, поэтому RЭ надо выбирать побольше. Реально значение RЭ составляют десятки ом, и схема с ОБ имеет малое входное сопротивление.

Выходное сопротивление ненагруженной схемы Rвых определяется параллельным соединением RK и (rKЭ + RЭ) и составляет обычно сотни ом – единицы килоом.

Амплитудная характеристика схемы с ОБ аналогична амплитудной характеристике схемы с общим эмиттером. Но реально КU в схеме с ОБ ниже, чем КU в схеме с ОЭ, поэтому предельная амплитуда входного сигнала, который можно усилить без нелинейных искажений, у схемы с ОБ больше, чем у схемы с ОЭ.

Амплитудно-частотная характеристика КU = КU(f) у схемы с ОБ аналогична АЧХ схемы с ОЭ, но в области средних частот идет ниже последней (так как КU ОБ < КU OЭ). На низких частотах разделительные емкости сильнее, чем в схеме с ОЭ, сказываются на работе схемы с ОБ, так как у схемы с ОБ малое Rвx, и эквивалентное сопротивление Ср становится малым в сравнении с Rвx при больших частотах, нежели в схеме с ОЭ. На высоких частотах спад АЧХ схемы с ОБ происходит также немного раньше, чем у схемы с ОЭ, так как R выx ОБ немного больше, чем Rвыx ОЭ.

Фазочастотная характеристика Dj = Dj(f) отлична от нуля на низких (Dj > 0) и на высоких частотах (Dj < 0).