V Тип транзистора_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ КТ201Б
Содержание
1. Цель работы……………………………………………………………………3
2. Задание на курсовую работу……………………………………..………....4
3.Построение нагрузочной прямой по постоянному току…………………6
4. Определение малосигнальных параметров транзистора……………..8
5. Расчет параметров элементов эквивалентной схемы замещения….9 6. Граничные и предельные частоты биполярного транзистора……….11
7. Определение сопротивления транзистора по переменному току…..12
8. Построение сквозной характеристики Iк(Uбэ) …………………………13
Определение динамических параметров усилительного каскада.....14
10. Определение коэффициента нелинейных искажений………………..15
Заключение……………………………………………………………………..17
Список литературы……………………………………………………………18
Приложение…………………………………………………………………….19
Цель курсовой работы
Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины «Основы схемотехники», в получении опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, а также в активизации самостоятельной учебной работы студентов, в развитии умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов, получить разностороннее представление о конкретных электронных элементах.
В ходе выполнения курсовой работы необходимо для заданного типа транзистора выписать паспортные параметры и статические характеристики, в соответствии со схемой включения и величинами элементов схемы усилительного каскада выбрать положение режима покоя, для которого рассчитать величины элементов эквивалентных схем транзистора и малосигнальные параметры транзистора, графо-аналитическим методом определить параметры усилительного каскада.
2. 
Задание на курсовую работу
Исходные данные к курсовой работе:
v Тип транзистора_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ КТ201Б
v Напряжение источника питания_ _ _ _ Еп=15 В
v Сопротивление в цепи коллектора_ _ _Rк=0,91 кОм
v Сопротивление нагрузки _ _ _ _ _ _ _ _ Rн=1,3 кОм
Описание транзистора: кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор предназначен для использования в усилительных схемах.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,6 г.[2]
Электрические параметры: