Конструктивно-технологические характеристики микросхем
Основные показатели, характеризующие конструктивно-технологические особенности интегральных микросхем:
Плотность упаковки ИМС – отношение числа компонентов и элементов интегральной микросхемы, в том числе содержащихся в составе компонентов, к объему ИМС без учета объема выводов.
Степень интеграции ИМС – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
Степень интеграции интегральной микросхемы определяется по формуле
К = lg N,
где N – число элементов и компонентов ИМС. Значение К округляют до ближайшего большего целого числа. При этом, если К≤1, ИМС считается простой, 1≤К≤2 – средней, 2≤К≤4 – большой интегральной схемой (БИС), при К≥4 - сверхбольшой ИМС (СБИС).
Компоненты гибридных микросхем:
В качестве компонентов гибридных микросхем используются как активные, так и пассивные электрорадиоэлементы: кристаллы, диоды, транзисторы, диодные и транзисторные матрицы, полупроводниковые ИМС, конденсаторы, наборы прецизионных резисторов и конденсаторов, выполненные на отдельных платах, трансформаторы, дроссели, индуктивности. Компоненты бывают корпусные и бескорпусные. Бескорпусные защищены от воздействия окружающей среды с помощью специальных покрытий (лаков, компаундов, и т.д.) и заключены в пластмассовую тару, которая снимается перед монтажом. Корпусные - помещены в корпус.
Монтаж компонентов с гибкими выводами 
осуществляется в результате образования эвтектических сплавов между выводами компонента и пленкой на подложке. В этом случае обеспечивается омический контакт компонента с платой.
|
После крепления кристалла к плате выводы изгибаются таким образом, чтобы они касались контактных площадок. В местах касания производится микросварка или пайка.
Монтаж компонентов с шариковыми и столбиковыми выводами осуществляется методом «перевернутого кристалла» т.е. компонент имеет контактные выступы высотой 10-15 мкм и диаметром 50-150 мкм, для обеспечения соединения с контактными площадками на плате используют термокомпрессионную или ультразвуковую сварку.
Крепление компонента с балочными выводами осуществляют приклеиванием его к плате с последующей групповой сваркой выводов с контактными площадками Балочные выводы имеют толщину 10-15 мкм и длину 200-250 мкм, выступают за края компонента на 100-150 мкм. Выступающие балки хорошо видны при монтаже и их совмещение с контактными площадками на плате не вызывает затруднений.
Выполнение работы
При работе была получена микросхема К252УД3А(рисунок 1).
Расшифровка названия:
К252УД3А:
К –микросхема общего назначения
2 -гибридная
52 - номерсерии
УД –операционныйдифференциальныйусилитель
3- в серии
А -разброс 6В
Содержание золота 22,15 гр, серебра 0,04 на 1000 штук.
Рисунок 1