Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Образование контактной разности потенциалов. Энергетическая диаграмма. Ширина запирающего слоя
Рассмотрим явления, происходящие при контакте ПП p- и n- типов, в которых равновесная концентрация дырок в р-области рр0 значительно превышает их равновесную конц. в n- области pn0, т.е.рр0>>pn0. Аналогичное условие выполняется и для электронов: nn0>>np0(рис.1,а.б). Вследствие возникновения градиента конц. для одноименных подвижных носителей заряда на границе между p- и n- областями происх. Их диффузионное перемещение(дырки диффундируют в n-обл., а электроны в р-обл.). Ток диффузии содержит 2 составляющие и направлен из р-обл. в n-обл.(направление тока совпад. с направлением движения положит. зарядов). В результате диффузии дырок в р-области на границе с n-обл. остаются нескомпенсированные заряды отрицательных ионов(акцепторов). Диффузия электронов из n-обл. в p-обл. приводит к образованию в n-области на границе с р-обл. нескомпенсированного заряда положит. ионов(доноров)(рис.1,в).Поскольку ионы примесных атомов прочно связаны с атомами основного ПП, т.е. являются неподвижными, то между положит. и отриц. зарядами, образованными на границе контакта ПП, возникает эл. поле, называемое диффузионным. Вектор напряжённости диффузионного поля Едиф направлен из n-обл. в р-обл. Появление диффузионного поля препятствует дальнейшей диффузии основных носителей заряда и приводит к уменьшению тока диффузии. В то же время диффузионное эл. поле вызывает дрейф через границу p- и n- областей неосновных носителей заряда. Возникает дрейфовый ток, содержащий также 2 составляющие(электр. и дыр.) и направленный из n-обл. в p-обл. В установившемся режиме результирующий ток через ПП, не подключённый к электрич. цепи, равен 0,т.е. jдр+jдиф=0 (2.21) Переходный слой между областями ПП с различными электропроводностями, в котором сущ. диффузионное эл. поле, наз. электронно-дырочным переходом (ЭДП), или p-n-переходом. Заряды положительных и отрицательных ионов, созданных на границе p- и n- областей в результате диффузии осн. носителей, приводят к появлению между p- и n- обл. контактной разности потенциалов UK (рис. 1,г). Если потенциал металлургической границы p-и n-областей принять за 0, то потенциал p-обл.=-UK/2, а n-обл=+UK/2. Поскольку потенц. энергия электрона и потенциал связаны W=-qU, то отрицательный объёмный заряд p-области вызывает повышение энергетических уровней p-области и понижение энерг. уровней n-обл.. Смещение энерг. уровней происходит до тех пор, пока не совпадут уровни Ферми p- и n- обл.(рис 1,д). При этом на границе раздела Wфр=Wфn=Wi. Это означает, что в плоскости раздела p- и n-областей ПП обладает собственной электропроводностью и имеет по сравнению с другими областями повышенное сопротивление. По этой причине эту обл. наз запирающим слоем, или областью объёмного заряда. Совпадение уровней Ферми p- и n- областей соответствует установлению термодин. равновесия в ПП и возникновению между ними потенциального барьера UK для диффузионного перемещения через ЭДП электронов n-области и дырок p-области. Из рис.1,д следует qUK=(Wi-Wфр)+(Wфn-Wi) (2.22) Из (2.4) и(2.7) имеем: Wфn-Wi=kTln(nn0/ni), Wi-Wфр=kTln(pp0/ni). Тогда qUK= kTln(pp0/ni)+ kTln(nn0/ni). Обозначив YT=kT/q, получим UK=YTln(pp0*nn0/ni^2) (2.23) YT наз. температурным потенциалом. При комнатной температуре YT 
0,026 В. Учитывая (2.10), уравнение (2.23) можно привести к виду UK=YTln(pp0/pn0)=YTln(nn0/np0) (2.24), из которого следует, что контактная разность потенциалов зависит от отношения концентраций подв. носителей заряда одного знака в p- и n- областях. Помимо конт. разн. потенциалов другим важным параметром ЭДП явл. его ширина 
= p+ n (см. рис.1,а). Установлено, что n/ p=NA/NД, (2.25) т.е. ширина слоёв объёмных зарядов в n- и p- областях обратно пропорциональна концентрациям примесей в этих областях и в несимметричном переходе(NA NД) запирающий слой расширяется в область с меньшей концентрацией примесей. Ширина запирающего слоя может быть выражена через концентрации примесей и контактную разность потенциалов: = n+ р= 
0(NA+N.Д)UK/qNANД, (2.26) где 0=8,85^.10^-12 Ф/м-электрич. постоянная; -относительная диэлектрическая проницаемость. Для германия =16,3, для кремния =11,7. Уравнение (2.26) показывает, что увеличение концентраций примесей уменьшает ширину области объёмного заряда, а уменьшение - расширяет её. Этот фактор используется для придания ПП приборам необходимых свойств. Рис. 1 