Кафедра автоматизированных и информационных систем управления

Старооскольский технологический институт им. А.А. УГАРОВА

(филиал) федерального государственного автономного образовательного учреждения

высшего профессионального образования

«Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»

 

 

Факультет автоматизации и информационных технологий

Кафедра автоматизированных и информационных систем управления

 

Отчет

Практическое задание №4

по дисциплине: «Электроника»

на тему: «Расчет мультивибратора на транзисторах»

 

Выполнил:

студент группы ЭТ-14д

Рудаков Андрей Геннадиевич

 

Проверила:

ст. преподаватель кафедры АИСУ

Уварова Людмила Васильевна

 

 

Старый Оскол

2016 г.

Практическое задание №4.

Расчет мультивибратора на транзисторах

 

Цель работы: Закрепление теоретического материала в соответствии с программой курса «Электроника» и развитие навыков его практического использования.

 

 

 

Характеристики МП21Д транзистора по варианту:

 

Данные транзисторы р-n-р-типа

Амплитуда выходных импульсов: U_ВЫХ = 8 В;

Коэффициент насыщения транзистора: S_НАС = 1,3

Частота повторения импульсов: f = 5200 Гц

Сопротивление нагрузки: R_H = 10⁴ Ом

 

Реальные технические характеристики МП21Д транзистора:

 

• Структура транзистора: p-n-p
• Рк _max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fh_21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,7 МГц;
• U_эбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 50 В;
• I_к и _max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 300 мА;
• I_кбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА;
• h_21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 60...200;

• R_кэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом

 

 

3. Выбираем напряжение питания E_К в соответствии с формулой:

4. Определяем сопротивления резисторов R_К:

А) для уменьшения шунтирующего действия сопротивления нагрузки на

амплитуду импульсов должно соблюдаться условие:

 

Б) Поскольку в состоянии насыщения через транзистор протекает ток, практически равный Должно соблюдаться условие:

В) Расчеттемпературной нестабильность периода колебаний при больших R_к:

Значение R_К должно находиться в пределах 300 Ом RК 3 кОм

 

Согласно расчетам: , следовательно принимаем

 

5. Действительная амплитуда импульсов на коллекторах транзисторов равна , где - остаточное напряжение на транзисторе в состоянии насыщения:

 

6. В состоянии насыщения транзистора через эти резисторы протекает ток базы, практически равный (убедитесь, почему это так)

Расчёт сопротивления резисторов в цепях баз R_Б:

 

7. Расчёт емкости конденсаторов С во времязадающих цепочках на основании упрощенной формулы для симметричного мультивибратора:

8. Оценка емкости выходного разделительного конденсатора С_К:

 

 

9. Определение длительности фронта выходного импульса:

10.Диаграммы напряжений на коллекторах и базах транзисторов