Схема соединения транзистора типа p – n – p с источниками электроэнергии
Эмиттер – База под прямым напряжением.
База – Коллектор под обратным напряжением.
Т.к. толщина базы невелика, то дырки пройдут без рекомбинации в область коллектора, где перемещаясь под действием коллекторного напряжения, создадут коллекторный ток IК. Небольшая часть дырок, рекомбинированных в базе, создадут небольшой ток базы IБ,
и IЭ.
Коэффициент усиления по току
, приращение тока коллектора к приращению тока эмиттера,
при U = const.
Условные обозначения биполярных транзисторов
Схема включения транзистора с общей базой
Коэффициент усиления по току:
;
Коэффициент усиления по напряжению:
.
; по мощности 
.
Схема включения транзистора с общим эмиттером (распространение)
IБ – входной ток; IК – выходной. 
; 
.
Схема включения транзистора с общим коллектором
Эмиттерный повторитель
; 
; 
.
и 
- определяют экспериментально.
Полевые транзисторы
В полевых транзисторах используют эффект воздействия поперечного электрического поля на проводимость канала, по которому движутся носители электрического заряда.
«+» - большое входное сопротивление;
- устойчивость к проникающим излучениям;
- малое влияние температуры.
2 типа:
- с затвором p – n перехода;
- с изолированным затвором.
Схема с затвором p – n перехода
И – исток;
С – сток;
1 – объединенный слой;
2 – канал высокой проводимости.
От приложенного напряжения создается ток IC через сопротивление Rн, обеспечивается движением основных носителей заряда.
Пластины n типа образуют затвор.
При увеличении Uвх ширина объединенного слоя увеличивается, а ширина канала проводимости уменьшается.
Т.о. изменяя напряжение Uвх меняем IC и Uвых.
ТИРИСТОРЫ
Тиристор от транзистора отличается наличием третьего перехода p – n.
Соединение греческого слова «тира» - дверь и английского слова «резистор» - сопротивление.
«+» способность переходить из одного непроводящего состояния в проводящее под действием относительно слабого входного сигнала, высокий к.п.д. и малые габариты.
Два устойчивых состояния:
1. В закрытом состоянии сопротивление тиристора составляет 10 Мом при напряжении до 1 кВ.
2. В открытом сопротивление незначительно.
Тиристор с двумя выводами называют динистором.
Тиристор, снабженный третьим выводом называется тринистором.
Управляющий электрод позволяет с помощью небольшого сигнала (импульса напряжения) привести тиристор из закрытого положения в открытое при неизменном напряжении на основных электродах. Обратный переход невозможен.
Структура тиристора содержит четыре (p – n— p – n) или пять (p – n— p – n— p) слоев.
,
I0 – обратный ток через переход П2 (n— p);
IК1 – коллекторный ток через транзистор p – n— p;
IК2 – коллекторный ток через транзистор n— p – n.
.