Зразок оформлення переліку елементів

Поз. позначення Найменування Кіл. Примітка
  Конденсатори    
С1 К73-11-160 В – 1,0 мкФ ± 10%  
С2, С3 К50-29-63 В – 1000 мкФ ± 20%  
  Аналогові мікросхеми    
DA1 К140УД6  
DA2, DA3 К140УД14  
  Резистори    
R1 МЛТ-0,5 – 300 кОм ± 5%  
R2 С2-33Н-0,25 – 4,7 кОм ± 5%  
R3, R4 МЛТ-0,25 – 2,2 кОм ± 5%  
  Транзистори    
VT1 КТ3102Е  
VT2…VT4 КТ815В  

Елементи записують в перелік групами у алфавітному порядку буквених позиційних позначень. В межах кожної групи, яка має однакові буквені позначення, елементи розташовують у порядку збільшення їх номерів. Елементи одного типу з однаковими електричними параметрами, які мають на схемі послідовні порядкові номера, допускається записувати до переліку в одну строку. В цьому випадку у графі «Поз. позначення» записуються тільки позиційні позначення з найменшим та найбільшим порядковими номерами, наприклад: R3…R5, C8…C12, а у графі «Кіл.» – загальна кількість таких елементів. В табл. 6 наведений зразок оформлення переліку елементів.

БІБЛІОГРАФІЧНИЙ СПИСОК

1. Разработка и оформление конструкторской документации радиоэлектронной аппаратуры [Текст]: справочник / под ред. Э. Т. Романычевой. – М.: Радио и связь, 1989. – 448 с.

2. Каллер, М. Я. Теоретические основы транспортной связи [Текст] / М. Я. Каллер, А. Ф. Фомин. – М.: Транспорт, 1989. – 383 с.

3. Федоров, Н. Е. Современные системы автоблокировки с тональными рельсовыми цепями [Текст] / Н. Е. Федоров. – Самара: СамГАПС, 2004. – 132 с.

4. Лавриненко, В. Ю. Справочник по полупроводниковым приборам [Текст] / В. Ю. Лавриненко. – К.: Техніка, 1984. – 424 с.

5. Транзисторы для аппаратуры широкого применения [Текст]: Справочник / под ред. Б. Л. Перельмана. – М.: Радио и связь, 1981. – 656 с.

6. Терещук, Р. М. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства [Текст]: справочник радиолюбителя / Р. М. Терещук, К. М. Терещук, С. А. Седов. – К.: Наук. думка, 1987. – 800 с.

7. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы [Текст]: справочник / под ред. С. В. Якубовского. – М.: Радио и связь, 1990. – 496 с.

8. Нестеренко, Б. К. Интегральные операционные усилители [Текст] / Б. К. Нестеренко. – М.: Энергоатомиздат, 1982. – 128 с.

9. Джонсон, Д. Справочник по активным фильтрам [Текст]: пер. с англ. / Д. Джонсон, Дж. Джонсон, Г. Мур. – М.: Энергоатомиздат, 1983. – 128 с.

10. Гутников, В. С. Интегральная электроника в измерительных устройствах [Текст] / В. С. Гутников. – Л.: Энергоатомиздат, 1988. – 304 с.

11. Колонтаєвський, Ю. П. Промислова електроніка та мікросхемотехніка [Текст] / Ю. П. Колонтаєвський, А. Г. Сосков. – К.: Каравела, 2003. – 368 с.

12. Шило, В. Л. Популярные цифровые микросхемы [Текст]: справочник / В. Л. Шило. – М.: Радио и связь, 1987. – 352 с.

 


Додаток А

ПАРАМЕТРИ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПРИЛАДІВ

Таблиця А.1

Параметри біполярних транзисторів

Тип транзистора fгр, МГц h21е Uке нас, В Uбе нас, В Uке доп, В Iк доп, мА Pк доп, мВт
  Транзистори n-p-n
КТ312А 10-100 0,8 1,1
КТ312Б 25-100
КТ312В 50-280
КТ315А 20-90 0,4 1,1
КТ315Б 50-350
КТ315В 20-90
КТ315Г 50-350
КТ315Д 20-90
КТ315Е 50-350
КТ3102А 100-250
КТ3102Б 200-500
КТ3102В 200-500
КТ3102Г 400-1000
КТ3102Д 200-500
КТ3102Е 400-1000
КТ815А ³40 0,6 1,5×103 10×103
КТ815Б ³40
КТ815В ³40
КТ815Г ³30
КТ817А ³20 3×103 20×103
КТ817Б ³20
КТ817В ³20
КТ817Г ³15
КТ819А ³15 10×103 60×103
КТ819Б ³20
КТ819В ³15
КТ819Г ³12
  Транзистори p-n-p
КТ209А 20-60 0,4 1,5
КТ209Б 40-120
КТ209В 80-240
КТ209Г 20-60
КТ361А 20-90 0,4
КТ361Б 50-350 0,4
КТ361В 20-90 0,4
КТ361Г 50-350 0,4
КТ361Д 20-90
КТ361Е 50-350
КТ3107А 70-140 0,2 0,8
КТ3107Б 120-220
КТ3107В 70-140
КТ3107Г 120-220
КТ3107Д 180-460
КТ3107Е 120-220
КТ814А ³40 0,6 1,5×103 10×103
КТ814Б ³40
КТ814В ³40
КТ814Г ³30
КТ816А ³20 3×103 20×103
КТ816Б ³20
КТ816В ³20
КТ816Г ³15
КТ818А ³15 10×103 60×103
КТ818Б ³20
КТ818В ³15
КТ818Г ³12

Примітка: fгр – гранична частота коефіцієнту передачі за струмом; h21е – коефіцієнт передачі за струмом в схемі із загальним емітером; Uке нас – напруга насичення колектор-емітер; Uбе нас – напруга насичення база-емітер; Uке доп – допустима напруга колектор-емітер; Iк доп – допустимий струм колектора; Pк доп – допустима потужність розсіювання на колекторі.

Таблиця А.2

Параметри напівпровідникових діодів

Тип діода tвос, нс Сд макс, пФ Uзвор макс, В Iпр макс, мА Iпр і макс, мА
Д220А
Д220Б
КД503А
КД503Б
КД509А
КД510А
КД512А
КД520А
КД522А
КД522Б

Примітка: tвос – час відновлення зворотного опору діода; Сд макс – загальна ємність діода; Uзвор макс – максимально допустима зворотна напруга; Iпр макс – максимально допустимий прямий струм; Iпр і макс – максимально допустимий прямий імпульсний струм.

Таблиця А.3