Процесс включения транзистора
В промежутке времени от 0 до t0 транзистор находится в режиме отсечки. При этом ток коллектора практически равен нулю. Поэтому можно считать, что транзисторный ключ разомкнут, напряжение на коллекторе равно напряжению источника питания Еи.п и режим работы определяется точкой А (рис. 4.37, в). В момент времени t0 напряжение импульсного генератора скачком изменяется от значения Uг0 до Uг1, и в базовой цепи возникает ток 
. В интервале времени от t0 до tt происходит заряд барьерных емкостей эмиттерного и коллекторного переходов.
Интервал времени от t0 до t1 называют временем задержки включения и определяют соотношением
(4.142)
Здесь Сэ и Ск — усредненные барьерные емкости эмиттерного и коллекторного переходов соответственно. Чем больше ток I61 и меньше емкости транзистора, тем меньше время задержки включения.
В момент времени t1 напряжение на эмиттерном переходе достигает порогового значения Uпор ≈ 0,7 В, переход отпирается, транзистор переходит в активный режим, начинается инжекция электронов в базу (рис. 4.38, а и б) и в цепи коллектора появляется ток iк (рис. 4.37, г). Если RK = 0, то напряжение икэ сохраняется неизменным, при этом ток iк в интервале времени от t1, до t3 увеличивается но закону:
(4.143)
Здесь 
.
Если RK ≠ 0, то рост тока iк сопровождается уменьшением напряжения икэ. Рабочая точка перемещается из положения А в положение В (см. рис. 4.37, в). При этом скорость нарастания тока определяется постоянной времени 
. По мере уменьшения напряжения uкэ уменьшается напряжение на коллекторном переходе и в момент, когда станет выполняться условие 
, транзистор перейдет в режим насыщения, в базу начнут инжектироваться электроны из коллектора, а в коллектор — дырки из базы. В момент времени t2 транзистор оказывается в режиме глубокого насыщения и коллекторный ток достигает значения 
. Ток 
является минимальным током базы, при котором наступает глубокое насыщение. Если I61 < Iб.нас, то точка пересечения нагрузочной линии с выходной характеристикой располагается правее и режим глубокого насыщения не наступает. Если же I61 > Iб.нас, то после наступления глубокого насыщения положение точки В не изменяется и дальнейший рост тока коллектора прекращается, а база продолжает заполняться электронами. При этом увеличивается концентрация электронов в сечении x'p при сохранении градиента концентрации в этом сечении (рис. 4.38, б). Поскольку коллекторный переход открыт, то одновременно с накоплением электронов в базе происходит накопление дырок в коллекторе. Процесс накопления избыточных зарядов завершается в момент времени t3.
Интервал времени от t, до t2 называют временем нарастания тока:
(4.144)
Чем больше ток базы, тем быстрее нарастает ток коллектора. Суммарное время 
называют временем включения. Для уменьшения времени включения необходимо увеличивать ток Iб1 и повышать граничную частоту транзистора.