Краткие теоретические сведения. Усилителем называют устройство, предназначенное для увеличения параметров электрического сигнала (напряжения

 

Усилителем называют устройство, предназначенное для увеличения параметров электрического сигнала (напряжения, тока, мощности).

Основными параметрами усилителя яв­ляются коэффициент усиле­ния по напряжению Ku = Uвых / Uвх, коэффициент усиления по току Кi = Iвых / Iвх и коэффициент усиления по мощности

 

Кр = Рвых / Рвх = Ku Кi.

 

Для усилителя возможны различные значения коэффициентов усиления, но в любом случае коэффициент усиления по мощности Кр больше (обычно существенно больше) единицы.

Коэффициенты усиления Ku, Ki, Kр являются взаимосвязанными параметрами. Вместе с тем при расчете или выборе усилителя для кон­кретного случая применения предпочтение может отдаваться одному из указанных параметров. Это зависит от того, какой параметр сигна­ла на выходе усилителя (напряжение, ток или мощность) является определяющим. Наиболее часто им служит напряжение выходного сигнала.

Все усилители можно подразделить на два класса — с линейным и нелинейным режимами работы.

К усилителям с линейным режимом работы (или усилителям мгновенных значений) предъявляется требова­ние получения выходного сигнала, близкого по форме к входному. Искажения формы сигнала, вносимые усилителем, должны быть ми­нимальными.

Коэффициенты усиления рассчиты­вают по амплитудным или действующим значениям (в случае синусо­идального сигнала) напряжения и тока.

Важнейшим показателем усилителей с линейным режимом работы является амплитудно-частотная характеристика (АЧХ), отражающая зависимость модуля коэффициента усиле­ния Ku, определенного для синусоидального входного сигнала, от частоты.

В зависимости от вида АЧХ усилители с линейным режимом работы подразделяют на усилители медленно изменяющегося сигнала (усилители постоянного тока — УПТ), усилители звуковых частот (УЗЧ), усилители высокой частоты (УВЧ), широкополосные усилители (ШПУ) и узкополосные усилители (УПУ).

Характерная особенность УПТ — способность усиливать сигналы с нижней частотой, приближающейся к нулю.

Граница верхней частоты в УПТ может составлять в зависимости от назна­чения 103—108 Гц. УЗЧ характеризуются частотным диапазоном от десятков герц (ƒн – нижняя граничная частота) до 15—20 кГц (ƒв – верхняя граничная частота). УВЧ имеют полосу пропускания от десятков килогерц до десятков и сотен мегагерц. ШПУ имеют ниж­нюю границу частоты примерно такую же, как УЗЧ, и верхнюю — как УВЧ. На основе ШПУ выполняются линейные импульсные усилители. УПУ характеризуются пропусканием узкой полосы частот.

В зависимости от выполняемых функций усилительные каскады подразделяют на каскады предварительно­го усиления и выходные каскады. Каскады пред­варительного усиления предназначены для повышения уровня сигна­ла по напряжению, а выходные каскады — для получения требуемых значений тока или мощности сигнала в нагрузке.

Основными элементами каскада являются управляемый элемент УЭ (функцию которого может выполнять биполярный или полевой тран­зистор) и балластный резистор (рис. 2.1).

Выходной сигнал Uвых снимается с выхода УЭ или с резистора R. Он создается в результате изменения сопротив­ления УЭ и, следовательно, тока в выходной цепи под воздействием входного напряжения. Процесс усиления основывается на преобразовании энергии источника постоянного напряжения в энергию переменного напряжения в выходной цепи за счет изменения сопротивления УЭ по закону, задаваемому входным сигналом.

 

Рис. 2.1. Принцип построения усилительного каскада

 

Переменный ток и напряжение выходной цепи (пропорциональные току и напряжению входного сигнала) следует рассматривать как переменные составляющие сум­марных тока и напряжения, накладывающиеся на их постоянные составляющие, установленные в режиме покоя.

Связь между постоянными и пере­менными составляющими должна быть такой, чтобы амплитудные значения переменных составляющих не превышали постоянных сос­тавляющих. Если эти условия не будут выполняться, то ток в выходной цепи на отдельных интервалах будет равен нулю, что приведет к искажению формы выходного сигнала. Таким образом, для обеспечения работы усилительного каскада при переменном входном сигнале в его выходной цепи должны быть созданы постоянные составляющие тока Iп и напряжения Uп.

Постоянные составляющие тока и напряжения определяют так называемый режим покоя усилительного каскада. Параметры режима покоя по входной цепи (Iвх.п., Uвх.п) и по выходной цепи (Iвых.п, Uвых.п) характеризуют электрическое состояние схемы в отсутствие вход­ного сигнала.

Показатели усилительных каскадов зависят от способа включения транзистора, выполняющего роль управляемого элемента. По этому принципу различают три типа усилительных каскадов на биполярных транзисторах: с общим эмит­тером (ОЭ), общим коллектором (ОК) и общей базой (ОБ).

Существует множество вариантов выполнения схемы усилитель­ного каскада на транзисторе ОЭ. Это обусловлено главным образом особенностями задания режима покоя каскада. Особенности усили­тельных каскадов ОЭ рассмотрим на примере схемы рис. 2.2, полу­чившей наибольшее применение.

 

 

Рис. 2.2. Принципиальная схема усилительного каскада

на основе биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером

 

Основными элементами схемы являются источник питания Uип, управляемый элемент — транзис­тор VТ и резистор Rк. Эти эле­менты образуют главную цепь усилительного каскада, в которой за счет протекания уп­равляемого по цепи базы коллек­торного тока создается усиленное переменное напряжение на выходе схемы. Остальные элементы каскада выполняют вспомогательную роль. Конден­саторы С1, С2 являются разделительными. Конденсатор С1 исключает шунтирование входной цепи каскада цепью источ­ника входного сигнала по постоянному току, что позволяет, во-первых, исключить протекание постоянного тока через источник входного сигнала по цепи Uип –R1 – Rи и, во-вторых, обеспечить независимость от внутреннего сопротивления этого источника Rи напряжения на базе Uбп в режиме покоя. Функция конденсатора С2 сводится к пропусканию в цепь нагрузки переменной составля­ющей напряжения и задержанию постоянной составляющей.

Резисторы R1, R2 используются для задания режима покоя кас­када. Поскольку биполярный транзистор управляется током, ток покоя управляемого элемента (в данном случае ток Iкп) создается заданием соответствующей величины тока базы покоя Iбп.

Резистор Rэ является элементом отрицательной обратной связи, предназначенным для стабилизации режима покоя каскада при изме­нении температуры. Конденсатор Сэ шунтирует резистор Rэ по пе­ременному току, исключая тем самым проявление отрицательной обратной связи в каскаде по переменным составляющим. Отсутствие конденсатора Сэ приводит к уменьшению коэффициента усиления по напряжению схемы.

Принцип действия каскада ОЭ заключается в следующем. При наличии постоянных составляющих токов и напряжений в схеме по­дача на вход каскада переменного напряжения приводит к появле­нию переменной составляющей тока базы транзистора, а следовательно, переменной составляющей тока в выходной цепи каскада (в коллекторном токе транзистора). За счет падения напряжения на резисторе Rк создается переменная составляющая напряжения на коллекторе, которая через конденсатор С2 передается на выход каскада – в цепь нагрузки.

 

 

2.5. Рекомендуемая последовательность выполнения расчета усилительного

каскада

1. В соответствии с номером варианта задания из таблицы 2.1 выписать исходные данные: Uвых, fн, Rг, Rн, Мн.

 

2. Выбор транзистора по справочнику:

Для того чтобы транзистор не выходил за пределы области безопасных режимов работы (ОБРР) необходимо соблюдение следующих условий:

 

Uкэ доп ³Uкэ макс ; Iк доп ³Iк макс ; Uкэ макс ³ Uип; Iк доп ³ 2. Iн m.

 

 

При известном значении Uвых определим Uип:

 

Uип = 2Uвых m + D Uкэ мин ,

 

где Uвых m – амплитудное значение выходного напряжения каскада;

D Uкэ мин – напряжение, соответствующее начальному, существенно нелинейному

участку выходных вольт-амперных характеристик транзистора.

 

Обычно выбирают D Uкэ мин = 2 В.

 

По справочнику выбрать маломощный низкочастотный или высокочастотный транзистор с указанием его типа и допустимых параметров: Uкэ доп , Iк доп, Рк.доп, fгр , h21Э , h11Э.

Величину h11Э принять равной 600 Ом для любых типов транзисторов. Величину h21Э принять равной среднему значению из диапазона по справочным данным.

 

3. Рассчитать сопротивления резисторов Rк и Rэ.

В режиме покоя Iк п выбирают не более Iк доп / 2 , однако из практических соображений не рекомендуется выбирать Iк п более 10 мА для усилительных каскадов на маломощных транзисторах. Выбрать Iк п из диапазона от 2 до 10 мА .

Потенциал коллектора транзистора в схемах каскадов с ОЭ в режиме покоя принимают равным половине напряжения источника питания, а падение напряжения на Rэ 10…15% Uип . Тогда Rк = URк / Iк п , Rэ = URэ / Iк п .

Выбрать стандартные значения номинальных сопротивлений резисторов в соответствии с параметрическим рядом Е24 (см. Приложение 4).

Рассчитать рассеиваемую мощность на корпусе резисторов и выбрать ближайшее большее ее значение по параметрическому ряду мощностей для выбранного типа резистора (см. Приложение 4).

 

 

4. Рассчитать сопротивления входного делителя R1 и R2.

Для обеспечения достаточной температурной стабильности каскада исходя из практических рекомендаций ток делителя должен быть в 2…5 раз больше тока базы покоя транзистора Iб п. При этом Iб п = Iк п / h21Э .

Для определения Uбэ п воспользуемся уравнениями, приблизительно описывающими начальный рабочий участок входной вольт-амперной характеристики биполярного транзистора (при токе базы покоя не более 0,5 мА).

 

Для германиевых транзисторов Uбэ п = 0,2 + h11Э. Iб п .

 

Для кремниевых транзисторов Uбэ п = 0,4 + h11Э. Iб п .

 

R2 = (Uбэ п + URэ )/ Iдел ; UR2 = Iдел .R2 ; R1 = (Uи п - UR2 )/ (Iдел + Iб п) .

 

Выбрать стандартные значений сопротивлений.

Рассчитать рассеиваемую мощность резисторов и выбрать ближайшее большее значение по параметрическому ряду мощностей для выбранных типов резисторов:

 

РR1 = (Iдел + Iб п) 2 R1; РR2 = Iдел 2 R2 .

 

 

5. Рассчитать емкости разделительных конденсаторов С1 , С2 и блокировочного конденсатора СЭ.

 

 

С1 = 1/(2pfн(Rг + Rвх).н2 – 1)1/2, где Rвх = R1 || R2 || h11э ,

 

Rвх = (1/R1 + 1/ R2 + 1/ h11э)-1,

 

С2 = 1/(2p.fн.(Rк + Rн) н2 – 1)1/2 ,

 

СЭ = (1 + h21э) /(2p.fн.(Rг' + h11э) н2 – 1)1/2 , где Rг' = Rг || R1 || R2 ,

 

Rг' = (1/Rг + 1/ R1 + 1/ R2)-1 .

 

6. Входное и выходное сопротивление переменному току.

 

 

Для расчета входного и выходного сопротивлений используем схему замещения (рис.2.3).

 

 

Рис. 2.3. Схема замещения усилительного каскада на биполярном транзисторе

 

Rвых = (1/h22Э) || Rк , т.к. rk* >> Rк (где rk* =1/h22Э), то Rвых » Rк .

 

7. Определить коэффициент усиления каскада по напряжению:

КU = (Rк || Rн). h21Э /h11Э .

 

 

Расчетно-графическая работа №3 (РГР-3).

 

Расчёт импульсных устройств на биполярных транзисторах

Задание на выполнение расчета импульсного устройства на биполярных

Транзисторах

 

1. Произвести расчёт импульсного устройства в соответствии с номером

варианта задания по типовой методике.

2. Выбрать по справочнику элементы схемы со стандартными номинальными

параметрами и занести в таблицу типовой формы.

3. Оформить отчет по РГР в соответствии с существующими требованиями.

 

 

Исходные данные

 

Таблица 3.1

 

№ вар. Тип устройства Uвых.и., В tи., мкс T, мкс Rн., кОм tокр., +0C tф £, мкс tс £, мкс
2,5
0,5 1,2
2,5 0,3 0,7
1,5 3,3
3,5 4,7
0,5
8,5
6,5
0,5 2,5
1,5 7,5
5,5
2,5
0,2 0,6
3,5 0,5 1,2
0,6 1,5
3,5 0,8
1,2 2,7
2,5 1,3 2,5
2,3
1,5 3,5
4,3
0,5 5,6 1,2
0,1 0,3
1,5 0,2 0,5
0,3 0,7
2,5 0,7 0,9
1,1 2,5
3,5 1,6 3,2
2,3
3,5 2,4 6,3
4,5 9,2
0,5 5,7
6,2
1,5 8,3
0,1 0,2
2,5 0,2 0,3
0,3 0,6
3,5 0,2 0,5
0,5 1,2

 

Продолжение табл. 3.1

3,5 0,6 1,5
2,5 0,8 1,7
0,9 1,9
1,5 1,1 2,3
1,3 2,7
0,5 1,4 2,9
2,4
1,5 4,2 8,3
1,4 2,2 5,5
1,1 1,1 2,2
1,2 1,2 2,3
1,3 1,3 2,4
1,4 2,5
2,2 1,5 3,6
2,4 1,6 3,4
2,6 1,7 3,2
2,8 1,8 4,2
1,9 5,2
3,1 2,0
3,2 2,1 6,1
3,3 2,2 6,2
3,5 0,9 6,3
3,6 0,8 6,4
0,7 1,8
4,2 0,6 1,9
4,6 0,5
0,4 1,2
3,2 0,3 1,1
3,1 0,2 0,8
2,9 0,1 0,9
2,8 0,6 0,9
2,7 0,7 2,1
0,8 2,4
1,7 3,2
3,5 1,8 4,2
1,9 5,2
2,5 2,0
2,1 6,1
1,5 2,2 6,2
0,9 6,3
0,5 0,8 6,4
0,7 1,8
1,5 0,6 1,9
0,5
2,5 0,4 1,2
0,3 1,1
3,5 0,2 0,8

 

 

Окончание табл. 3.1

0,1 0,9
3,5 0,6 0,9
0,7 2,1
0,5 0,8 2,4
1,7 3,2
1,5 1,8 4,2
1,9 5,2
2,5 2,0
2,1 6,1
2,2 6,2
3,5 0,5

 

Примечание: в таблице указаны следующие типы импульсных устройств:

1) несимметричный мультивибратор;

2) ждущий мультивибратор;

3) триггер Шмитта.

 

3.3. Расчет типовых импульсных устройств

 

3.3.1. Расчет автогенераторного мультивибратора на биполярных транзисторах

(рис. 3.1)

 

 

Исходные данные:
Uвых.m – амплитуда выходных импульсов;

tи – длительность импульса;

tф – длительность фронта;

tс – длительность среза;

Т – период следования импульсов;

Rн – сопротивление нагрузки;

tокро – температура окружающей среды.

 

 

Рис. 3.1. Автогенераторный мультивибратор на биполярных транзисторах

 

Последовательность расчета автогенераторного мультивибратора на биполярных транзисторах:

 

1. Выбрать тип транзистора по следующим параметрам:

 

fh21б – граничная частота транзистора в схеме с общей базой;

UКБмакс – максимальное допустимое напряжение между базой и коллектором;

h21э – минимальное значение коэффициента усиления по току.

 

По частотным свойствам к транзисторам мультивибратора предъявляются следующее требование

fh21б ≥ 5(Q - 1)/ tи,

 

где Q – скважность импульсов.

 

По коэффициенту усиления: h21э = (Q - 1)Кнас/ 0,23

 

Кнас – коэффициент насыщения транзистора в схеме мультивибратора.

 

Для мультивибраторов рекомендуется выбирать Кнас в пределах 2…3

 

Требование по UКБмакс : UКБмакс ≥ 2Uип; Uип = (1,1 - 1,2) Uвых.m.

 

 

2. Рассчитать сопротивления в цепи коллекторов транзисторов.

Принять Rк1 = Rк2 = Rк.

 

Rк = К Uвых.m / Iк.нас

 

где К – коэффициент запаса (К = 3…4)

 

Iк.нас – ток насыщения коллектора транзистора при указанной в исходных

данных температуре окружающей среды;

 

Iк.нас ≤ Iки ;

Iки – импульсный ток коллектора транзистора.

 

3. Рассчитать сопротивления в базовых цепях транзисторов. Примем Rб1 = Rб2 = Rб

 

Rб = h21э Rк / Кнас

 

4. Проверить условие температурной стабильности схемы

 

IКБОмакс = IКБО 2(tокр-20)/10

 

Если выполняется условие IКБОмакс Rб / Uип – значительно меньше единицы, то температурным влиянием обратного тока коллектора транзистора на величины tи и Т можно пренебречь. В противном случае необходимо скорректировать расчет.

 

5. Рассчитать емкости конденсаторов времязадающих цепей.

 

Сб2 = tи / 0,7Rб ; Сб1 = (Т - tи) / 0,7Rб .

 

6. Проверить длительности фронта и среза

 

tф = 2τα ; τα = 0,16/ fh21б ; tс = 2,3 RкCб2 .

 

Если полученные значения не превышают заданных, то рассчитанные значения емкостей оставить.

 

 

3.3.2. Расчет ждущего мультивибратора (рис.3.2.)

 

Исходные данные: Uвых.m ; tи ; tф ; tс ; Т ; Rн ; tокро .

 

 

 

Рис. 3.2. Ждущий мультивибратор на биполярных транзисторах

 

Рекомендуемая последовательность расчета ждущего мультивибратора:

 

1. Выбрать тип транзистора по следующим параметрам:

 

fh21б – граничная частота транзистора в схеме с общей базой;

UКБмакс – максимальное допустимое напряжение между базой и коллектором;

h21э – минимальное значение коэффициента усиления по току.

 

По частотным свойствам к транзисторам мультивибратора предъявляются следующее требование

fh21б ≥ 5(Q - 1)/ tи

 

где Q – скважность импульсов

 

по коэффициенту усиления: h21э = (Q - 1)Кнас/ 0,23

 

Кнас – коэффициент насыщения транзистора в схеме ждущего мультивибратора.

 

Для ждущего мультивибратора рекомендуется выбирать Кнас в пределах 1,2 – 1,4

 

Требование по UКБмакс : UКБмакс ≥ 2Uип; Uип = (1,1 - 1,2) (Uвых.m + U1)

 

Где U1 – падение напряжения на резисторе Rэ в режиме ожидания

 

Обычно выбирают U1 = (0,2…0,3) Uип

 

2. Рассчитать сопротивление резистора в цепи коллектора транзистора VT2.

 

Rк2 = Кзап Uвых.m / Iк2.нас,

 

Iк2.нас – ток насыщения коллектора транзистора VT2 при указанной в исходных данных температуре окружающей среды

 

Iк2.нас ≤ Iки

Iки – импульсный ток коллектора транзистора

 

Кзап – коэффициент запаса. Обычно, в целях экономичности работы схемы принимают Кзап = 6…8.

 

3. Рассчитать сопротивление резистора Rэ.

 

Rэ = U1 Rк2 h21э / (h21э + Кнас)( Uип – U1 )

 

4. Рассчитать сопротивление резистора коллекторной цепи транзистора VT1.

 

Rк1 = (2…3)Rк2

 

5. Рассчитать сопротивления резисторов входного делителя.

 

R1 = h21э (Rк1 – Rк2) / Кнас,

 

R2 = h21э •R1 •Rэ / (h21э •Rк1 – Кнас •R1).

 

6. Рассчитать сопротивление резистора и емкость конденсатора времязадающей цепи.

 

R = h21э Rк2 / Кнас ; C = tи / 0,7R.

 

7. Проверить длительности tф и tс.

tф = tс = 3τα τα = 0,16/ fh21б .

 

Если полученные значения не превышают заданных, то рассчитанные значения емкостей оставляем.

 

8. Рассчитать время восстановления, т.е. время заряда емкости С после окончания обратного переброса:

 

tв = 4 Rк1 С ; tп = Т – tв.

 

Если tв значительно меньше tп , то схема будет возвращаться в исходное состояние задолго до прихода следующего управляющего импульса.

 

 

9. Рассчитать емкость разделительного конденсатора

 

Ср = Т / 6 (R1 + Rи)

 

Rи – сопротивление источника входного сигнала (принять Rи = 1 кОм)

 

3.3.3. Расчет триггера Шмита (рис. 3.3.):

Исходные данные: Uвых.m ; tи ; tф ; tс ; Т ; Rн ; tокро .

 

 

 

Рис. 13. Триггер Шмитта на биполярных транзисторах

 

 

Последовательность расчета:

 

1. Выбрать тип транзистора по следующим параметрам:

 

fh21б – граничная частота транзистора в схеме с общей базой;

UКБмакс – максимальное допустимое напряжение между базой и коллектором;

h21э – минимальное значение коэффициента усиления по току.

 

По частотным свойствам к транзисторам триггера Шмитта предъявляются следующие требования:

– по частоте: fh21б ≥ fвх / 0,7 ;

 

– по коэффициенту усиления: h21э = (Q - 1)Кнас/ 0,23;

 

Кнас – коэффициент насыщения транзистора в схеме триггера Шмитта.

 

Для триггера Шмитта рекомендуется выбирать Кнас в пределах 1,2…1,4.

 

Требование по UКБмакс : UКБмакс ≥ 2Uипp>1 ,

 

где U1 – падение напряжения на резисторе Rэ при открытом транзисторе VT2.

 

Обычно выбирают U1 = 1,5…3,0 В.

 

2. Рассчитать сопротивление резистора в цепи коллектора транзистора VT2

 

Rк2 = Кзап Uвых.m / Iк2.нас ,

 

где Iк2.нас – ток насыщения коллектора транзистора VT2 при указанной в исходных данных температуре окружающей среды.

 

Iк.нас ≤ Iки ,

 

Кзап – коэффициент запаса. Обычно, в целях экономичности работы схемы принимают Кзап = 6…8.

 

3. Рассчитать сопротивление резистора Rэ.

 

Rэ = U1 Rк2 h21э / (h21э + Кнас)( Uип – U1 ).

 

4. Рассчитать сопротивление резистора коллекторной цепи транзистора VT1.

 

Rк1 = (2…3)Rк2.

 

5. Рассчитать сопротивления резисторов входного делителя

 

R2 = Uип Rэ / (Rэ + Rк1) IКБОмакс; IКБОмакс = IКБО 2(tокр - 20)/10;

 

R1 = h21э R2 Rк2 / (h21э Rэ + R2 ).

 

6. Рассчитать сопротивления резисторов выходного делителя транзистора VT1.

 

R4 = h21э Uип Rэ Rк1 / (Uип Rк2 +h21э Rк1 (Rэ + Rк2 ) IКБОмакс ),

 

 

R3 = h21э R4 Rк1 / ( R4 +h21э Rэ ).

 

7. Рассчитать емкость форсирующего конденсатора

 

С = tф (R3 + Rк1) / 2,3 R3 Rк1.

 

Рассчитать емкость разделительного конденсатора.

 

Ср = Т / 6 (R1 + Rи),

 

Rи – сопротивление источника входного сигнала (принять Rи = 1 кОм)

 

8. Проверить длительности tф и tс.

 

tф = tс = 2τα ; τα = 1/ (2π fh21б).

 

Если получим значения, меньше заданных, то принимаем расчетные.

 

9. Рассчитать амплитуду выходных импульсов Uвых.m = Uип Rк2 / (Rэ + Rк2 ).

 

Список литературы

 

1. Бочаров Л.Н., Расчет электронных устройств на транзисторах./Л.Н.Бочаров [и др.].

– М.: Энергия, 1978. – 288 с., ил.

2. Изъюрова Г.И., Расчет электронных схем./Г.И.Изъюрова[и др.]. – М.: Высшая

школа, 1987. – 335с., ил.

3. Справочная книга радиолюбителя-конструктора /под ред. Н. И. Чистякова.

М.: Радио и связь, 1990. 624 с., ил.

Приложения

Приложение 1

 

Пример оформления титульного листа расчетно-графической работы

 

 



/li>