Для оценки инерционных свойств импульсных диодов используются специфические параметры
1) дифференциальные сопротивления;
2) время восстановления обратного сопротивления 
;
3) максимальная рабочая температура;
4) максимальное значение обратного напряжения.
Диоды с накоплением заряда (ДНЗ) обладают особенностью
1) у них в базе создано тормозящее поле и происходит накопление у границы перехода неосновных носителей;
2) у них малая площадь перехода;
3) имеют малую барьерную емкость;
4) имеют высокое допустимое обратное напряжение.
Диод Шоттки, применяемый в импульсных схемах, это
1) диод, основой которого является выпрямляющий контакт металла с полупроводником;
2) диод с малой площадью перехода;
3) диод с малой барьерной емкостью;
4) диод с низким обратным напряжением.
Импульсные диоды обладают специфическими параметрами
1) время восстановления обратного сопротивления ;
2) время жизни неосновных носителей;
3) время пролета носителей через область базы.
Импульсные диоды обладают специфическими параметрами
1) время жизни неосновных носителей;
2) время пролета носителей через область базы;
3) время рассасывания носителей 
.
Импульсные диоды обладают специфическими параметрами
1) время пролета носителей через область базы;
2) время установления прямого напряжения 
;
3) время жизни неосновных носителей.
21. Туннельный диод – это диод
1) обладающий высокой концентрацией примесей (1018÷1019 
);
2) обладающий малой толщиной запирающего слоя;
3) имеющий малую площадь перехода;
4) имеющий малую барьерную емкость.
22. Что определяет отношение 
?
1) усилительные свойства туннельного диода;
2) переключательные свойства туннельного диода;
3) генераторные свойства туннельного диода.
Использование туннельного диода в качестве генератора объясняется
1) наличием емкости p-n перехода;
2) наличием отрицательного дифференциального сопротивления на участке характеристики;
3) наличием малого постоянного сопротивления перехода.
Туннельные диоды обладают чрезвычайно малой инерционностью, так как
1) имеют малую диффузионную емкость;
2) перенос тока осуществляется основными носителями;
3) имеют малую толщину p-n перехода;
4) имеют малую площадь перехода.
25. Стабилитрон – это
1) полупроводниковый диод, работающий в режиме электрического пробоя;
2) полупроводниковый диод, обладающий высокой концентрацией примесей;
3) полупроводниковый диод, имеющий малое значение барьерной емкости;
4) полупроводниковый диод, обладающий малым дифференциальным сопротивлением.
Стабилитроны изготавливаются из
1) германия;
2) арсенида галлия;
3) кремния;
4) кремния и германия.