Более низкий уровень шума у
1) биполярных транзисторов;
2) полевых транзисторов;
3) уровень шума одинаков.
82. Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор
1) усилительные свойства которого обусловлены потоком неосновных носителей, инжектированных в область базы;
2) усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем;
3) используемый для выпрямления тока.
83. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом состоит из областей
1) сток, затвор, исток, канал;
2) эмиттер, база, коллектор;
3) сток, база, исток, затвор.
84. На затвор полевого транзистора с управляющим p-n переходом подается напряжение
1) открывающее p-n переход между затвором и каналом;
2) запирающее p-n переход между затвором и каналом;
3) двух знаков – отпирающее или запирающее.
85. Ток в цепи стока полевого транзистора с управляющим p-n переходом определяется
1) напряжением на затворе;
2) напряжением на стоке;
3) напряжением на стоке и затворе.
86. Входное сопротивление полевого транзистора с управляющим p-n переходом составляет
1) 102 Ом;
2) 103 Ом;
3) 105 Ом;
4) 1010 Ом.
87. Напряжение отсечки 
полевого транзистора с управляющим p-n переходом – это напряжение при котором
1) 
;
2) 
;
3) 
.
88. Уменьшить ток стока до нуля в полевом транзисторе с управляющим p-n переходом возможно
1) с помощью напряжения 
;
2) с помощью напряжения 
;
3) с помощью напряжений 
и 
.
89. Канал полевого транзистора с управляющим p-n переходом имеет наибольшую ширину
1) при 
;
2) при 
;
3) при 
.
90. Для полевого транзистора с управляющим p-n переходом рассматриваются семейства характеристик
1) 
, 
;
2) 
, 
;
3) 
, 
.
По каналу полевого транзистора протекает ток
1) ток основных носителей;
2) ток неосновных носителей;
3) ток основных и неосновных носителей.
92. Усилительные свойства полевых транзисторов с управляющим p-n переходом определяются параметрами
1) 
, 
, 
;
2) S, 
, 
;
3) , S, ;
4) , , .
93. На затвор МДП со встроенным каналом п-пипа подается напряжение
1) 
;
2) 
;
3) или 
.
Входное сопротивление МДП-транзисторов со встроенным каналом составляет величину
1) 
Ом;
2) 
Ом;
3) 
Ом;
4) 
Ом.
95. Режим работы МДП-транзисторов со встроенным каналом типа р при 
называется
1) режим обогащения;
2) режим обеднения;
3) активный режим.
96. Режим работы МДП-транзисторов со встроенным каналом типа п при 
называется
1) режим обогащения;
2) режим обеднения;
3) активный режим.
Входное сопротивление МДП-транзисторов с индуцированным каналом составляет величину
1) 
Ом;
2) 
Ом;
3) 
Ом;
4) 
Ом.
98. Напряжение, при котором возникает индуцированный канал в подложке р-типа или п-типа называется
1) напряжением отсечки;
2) пороговым напряжением;
3) напряжением смещения.