Работа элементов магнитоэлектроники основана на
1) явлении электромагнетизма;
2) действии электродвижущей силы;
3) явлении электромагнитной индукции;
4) явлениях электромагнетизма и электромагнитной индукции.
В радиотехнических системах обработки информации ПЗС используется при разработке
1) устройств спектрального анализа;
2) линий задержек;
3) фильтров различных типов;
4) линий задержек, устройств спектрального анализа, фильтров.
Основными элементами ПЗС являются однотипные
1) МДП-резисторы;
2) МДП-конденсаторы;
3) МДП-транзисторы;
4) МДП-транзисторы и резисторы.
Основными элементами ПЗС являются
1) подложка р-типа из высокоомного кремния;
2) полоска затворов из алюминия;
3) диэлектрик из диоксида кремния;
4) подложка, диэлектрик, полоска затворов, пленочные проводники.
Раздел 10
ПЗС называется трехкратным так как он имеет
1) одну управляемую шину и два зарядовых пакета;
2) две управляющих шины и один зарядовый пакет;
3) три управляющих шины;
4) три зарядовых пакета.
Принцип действия ПЗС основан на
1) накоплении зарядовых пакетов;
2) хранении зарядовых пакетов;
3) накоплении, хранении и перемещении зарядовых пакетов;
4) на перемещении зарядовых пакетов.
Для создания зарядовой связи в ПЗС необходимы
1) сигнальные проводники;
2) не нужны сигнальные проводники;
3) должно быть достаточно малое расстояние между затворами;
4) управляющие шины.
Для нормальной работы ПЗС расстояние между соседними затворами должно быть
1) достаточно малым;
2) равным толщине подложки;
3) большим;
4) зависимым от уровня зарядового пакета.
Устройства ввода и вывода разрядовых пакетов в ПЗС служат для
1) преобразования входного сигнала в зарядовые пакеты;
2) преобразования зарядовых пакетов в сигнал;
3) преобразования выходного сигнала в зарядовые пакеты на входе и обратного преобразования на выходе;
4) согласования ПЗС по входу и выходу.
Основными параметрами ПЗС являются
1) амплитуда управляющих напряжений;
2) величина зарядового пакета;
3) тактовая частота;
4) амплитуда управляющих напряжений, величина зарядового пакета, тактовая частота и рассеиваемая мощность.
Амплитуда управляющих напряжений на затворах ПЗС должна быть
1) достаточно большой;
2) достаточно малой;
3) равной величине зарядового пакета;
4) меньше величины зарядового пакета.
Управляющая способность ПЗС зависит от
1) величины зарядового пакета;
2) емкости диэлектрика;
3) количества затворов;
4) систем согласования ПЗС по входу и выходу.
Время хранения зарядового пакета в одном элементе ПЗС зависит от
1) максимальной тактовой частоты;
2) минимальной тактовой частоты;
3) величины зарядового пакета;
4) амплитуды управляющего напряжения.
Время переноса зарядового пакета в ПЗС зависит от
1) максимальной тактовой частоты;
2) минимальной тактовой частоты;
3) коэффициента потерь;
4) степени согласования ПЗС по входу и выходу.
Для создания магнитных элементов в микроэлектронике применяются
1) ферритовые кольца;
2) ферритовые и аксиферовые сердечники;
3) тонкие магнитные пленки;
4) сердечники из легированной стали.
Важным свойством магнитных пленок является
1) намагничивание;
2) размагничивание;
3) перемагничивание;
4) намагничивание, размагничивание и перемагничивание.
194.Магнитные домены – это
1) крупные области магнитной пленки с упорядоченным намагничиванием;
2) микроскопические области магнитной пленки с самопроизвольным намагничиванием;
3) области магнитостатических ловушек;
4) области, соответствующие элементу памяти.
Цилиндрические магнитные домены (ЦМД) образуются за счет воздействия на магнитную пленку внешнего
1) магнитного поля;
2) электрического поля;
3) электромагнитного поля;
4) электростатического поля.
При воздействии более сильного внешнего магнитного поля домены должны
1) уменьшаются;
2) увеличиваются;
3) не изменяются;
4) исчезают совсем.