Порядок проведения экспериментов. Эксперимент 1. Определение статического коэффициента передачи транзистора по постоянному току βDC в схеме с ОЭ

Эксперимент 1. Определение статического коэффициента передачи транзистора по постоянному току βDC в схеме с ОЭ.

Построить и включить схему, изображенную на рисунке 3.4.

Рисунок3. 4 - Схема включения биполярного транзистора с ОЭ

 

Записать результаты измерения тока коллектора IK, тока базы IБ и напря­жения коллектор-эмиттер UKЭ в таблицу 3.1 раздела "Результаты эксперимен­тов". По полученным результатам подсчитать статический коэффициент пере­дачи тока βDC транзистора. Повторить измерения и расчет коэффициента пере­дачи для значений Eb = 2,68В; 5В. Результаты занести в таблицу.

Эксперимент 2. Измерение обратного тока коллектора.

На схеме рисунок 3.4 изменить номинал источника ЭДС Eb = 0 В. Вклю­чить схему. Записать результаты измерения тока коллектора IK для данных зна­чений тока базы IБ и напряжения коллектор-эмиттер UKЭ в раздел "Результаты экспериментов".

Эксперимент 3. Получение выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

а) В схеме (рисунок 3.4) провести измерения тока коллектора Ik для каж­дого значения Ек и Еb и заполнить таблицу 3.2 в разделе "Результаты экспери­ментов". По данным таблицы построить семейство выходных характеристик транзистора с ОЭ, график зависимости Ik от Ек, при различных значениях тока базы IБ.

б) Собрать схему, изображенную на рисунке 3.5. Отобразить осциллограмму выходной характеристики, соблюдая мас­штаб, в разделе "Результаты экспериментов". Повторить измерения для каждо­го значения Еb из таблицы 3.2. Осциллограммы выходных характеристик для разных токов базы отобразить в разделе "Результаты экспериментов" на одном графике.

в) По выходной характеристике найти коэффициент передачи транзисто­ра по переменному току βAC при изменении базового тока с 10 мА до 30 мА, Ек = 10 В. Результат записать в раздел "Результаты экспериментов".

Рисунок 3. 5 - Схема для получения выходных характеристик транзистора с ОЭ

 

Эксперимент 4. Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

а) Собрать схему (рисунок 3.4). Установить значение напря­жения источника Ек равным 10 В и провести измерения тока базы IБ, напряже­ния база-эмиттер UБЭ тока эмиттера IЭ для различных значений напряжения ис­точника Еb в соответствии с таблицей 3.3 в разделе "Результаты эксперимен­тов". Обратить внимание, что коллекторный ток примерно равен току в цепи эмиттера.

б) В разделе "Результаты экспериментов" по данным таблицы 3.3 постро­ить график зависимости тока базы от напряжения база-эмиттер.

в) Собрать схему, изображенную на рис. 3.6. Вклю­чить схему. Отобразить входную характеристику транзистора, соблюдая мас­штаб, в разделе "Результаты экспериментов".

Рисунок 3.6 - Схема для получения входных характеристик транзистора с ОЭ

 

г) По входной характеристике найти дифференциальное сопротивление Rbx при изменении базового тока с 10мА до 30 мА. Результат записать в раздел "Результаты экс­периментов".

Результаты экспериментов

Эксперимент 1. Определение коэффициента передачи транзистора по постоянному току.

Таблица 3.1

Еb (В) IБ (мкА) UКЭ (В) Ik (мА) βDC
2.68        
5.00        
5.70        

 

Эксперимент 2. Измерение обратного тока коллектора. Обратный ток коллектора Iko=

Ток базы транзистора Iб=

Напряжение коллектор-эмитер UКЭ=

Эксперимент 3 Получение выходной характеристики транзистора в схе­ме с ОЭ.

Таблица 3.2 - Данные для выходных характеристик

  Ек(В)
Еb (В) IБ (мкА) 0.1 0.5
1.66              
2.68              
3.68              
4.68              
5.7              

 

График выходной характеристики транзистора.

Осциллограммы выходных характеристик транзистора для разных токов базы.

Коэффициент передачи транзистора по переменному току βAC при изме­нении базового тока с 10 мА до 30 мА, Ек = 10 В. Выполнить расчет по резуль­татам измерений.

Эксперимент 4. Получение входной характеристики транзистора в схе­ме ОЭ.

Таблица 3.3 - Данные для входных характеристики транзистора

 

Еb (В) IБ (мкА) UБЭ (мВ) Ik (мА)
1.66      
2.68      
3.68      
4.68      
5.7      

 

График входной характеристики транзистора.

Осциллограмма входной характеристики транзистора.

Сопротивление Rbx при изменении базового тока с 10м А до 30 мА.

Контрольные вопросы

1. Чем объяснить название биполярного транзистора? Как биполярные транзисторы обозначаются в схемах? Какие основные физические про­цессы лежат в основе принципа действия биполярного транзистора?

2. Какие вы знаете режимы работы биполярного транзистора? Показать на схемах, назвать области применения.

3. Какие существуют схемы включения биполярного транзистора? Назо­вите основные параметры биполярных транзисторов.

4. Какие зависимости называются статическими характеристиками тран­зисторов? Назовите их разновидности, назначение.

5. Поясните работу схемы включения биполярного транзистора с общей базой. Статические вольтамперные характеристики для этой схемы включения (входные и выходные). Чему равны коэффициенты усиле­ния?

6. Поясните работу схемы включения биполярного транзистора с общим эмиттером. Выходные и входные статические характеристики. Чему равны коэффициенты усиления?

7. Поясните работу схемы включения биполярного транзистора с общим коллектором. Выходные и входные статические характеристики. Чему равны коэффициенты усиления?

Лабораторная работа №4.

«Исследование работы транзи­сторных каскадов»

 

Цель:

1. Исследование коэффициента усиления по напряжению в усилителях с общим эмиттером и общим коллектором.

2. Определение фазового сдвига сигналов в усилителях.

3. Измерение входного и выходного сопротивлений усилителей и иссле­дование их влияния на коэффициент усиления по напряжению.

4. Анализ влияния нагрузки на коэффициент усиления по напряжению.

5. Исследование влияния разделительного конденсатора на усиление пе­ременного сигнала.