Статические характеристики транзистора с общей базой
Статические характеристики транзистора отражают зависимость между
токами, проходящими в его цепях и напряжениями на электродах транзистора. За независимые переменные обычно принимают входной ток Iвх, выходное напряжение Uвых, а за зависимые – выходной ток Iвых и входное напряжение Uвх:
В схеме с ОБ транзистор имеет следующие характеристики:
- семейство входных (эмиттерных) характеристик.
- семейство выходных (коллекторных) характеристик.
- семейство характеристик прямой передачи.
- семейство характеристик обратной связи.
Входные характеристики:
Выходные характеристики:
Характеристика прямой передачи (близка к линейной зависимости):
Характеристика обратной связи:
Дополнение к выходной характеристики:
При 
и 
характеристика подобна обратной ветви p-n-перехода:
27. Статические характеристики транзистора с общим эмиттером. 
- Семейство входных характеристик
- Семейство выходных характеристик.
- Семейство характеристик прямой передачи
- Семейство характеристик обратной связи
Эквивалентные схемы биполярного транзистора для включения с ОБ и ОЭ.
Физическая Т-образная эквивалентная схема БТнаряду с h-параметрами также достаточно полно отражает свойства реального транзистора на низких частотах и широко используется для анализа малосигнальных транзисторных усилителей. Физические Т-образные эквивалентные схемы БТ с ОБ и ОЭ представлены на рис. 4.6, а, б соответственно. Значения параметров эквивалентных схем БТ могут быть найдены с использованием известных h-параметров для включения БТ:
Поскольку коэффициенты обратной связи по напряжению 
и 
для обеих схем включения БТ имеют очень малую величину, точность их вычисления с использованием статических ВАХ оказывается низкой. В связи с этим расчет параметров эквивалентной схемы необходимо начинать с расчета дифференциального сопротивления эмиттерного перехода:
где– 
тепловой потенциал, равный 26 мВ при Т=300 К; 
– ток эмиттера БТ в рабочей точке. С учетом этого в (4.11) объемное сопротивление базы БТ необходимо рассчитывать согласно выражению
Параметры эквивалентных схем маломощных БТ принимают следующие типовые значения: дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода 
– единицы – десятки ом; объемное сопротивление базы 
– сотни ом 
– единицы ки-лоом; выходное сопротивление в схеме с ОБ – сотни килоом – единицы мегаом; выходное сопротивление в схеме с ОЭ 
– десятки – сотни килоом.