Другие типы выпрямительных диодов
Длительное время находились в эксплуатации и в некоторых случаях еще находят применение селеновые выпрямители, представляющие собой параллельно-последовательное соединение выпрямительных диодов. Переходы этих диодов изготовляются на основе селена, к которому для уменьшения сопротивления добавляют йод и хлор. Из старых типов следует упомянуть меднозакисные, которые отличаются линейностью ВАХ в прямом направлении, что является важным свойством при применении их в ряде выпрямительных схем.
К современным приборам можно отнести титановые диоды. Они могут долговременно работать при температуре до +250 градусов Цельсия и допускают кратковременную работу при +400 градусах Цельсия.
Разновидностью выпрямительных диодов являются лавинные диоды.Эти приборы на обратной ветви ВАХ имеют лавинную характеристику, подобную стабилитрону.
В качестве выпрямительных диодов используются и диоды Шотки.Важная особенность этих диодов - меньшее прямое падение напряжения – 0,2В. Применение таких диодов уменьшает потери на 10-15%
Для выпрямления напряжений свыше нескольких кВ разработаны выпрямительные столбы, которые представляют собой совокупность выпрямительных диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструкцию с двумя выводами.
Превосходство: диапазон рабочих температур до 250 градусов Цельсия; лучшие частотные свойства; работают до частоты 1МГц и выше.
Основные параметры выпрямительных диодов
1) постоянное прямое напряжение на диоде при заданном значении прямого тока через диод
2) постоянный прямой ток
3) величина обратного тока при заданном значении обратного напряжения
4) максимальное обратное напряжение
5) рабочий диапазон температур
6) максимальная частота, на которой еще не происходит ухудшение основных параметров
7) тепловое сопротивление переход-корпус, переход-среда
8) максимальная емкость диода
9) внутреннее или диф-ное сопротивление диода в рабочей точке 
10) сопротивление постоянного тока
коэффициент выпрямления 
ВОПРОС 15
Стабилитрон– это прибор, предназначенный для стабилизации напряжения на присоединенной параллельно ему нагрузке в случае изменения ее сопротивления или величины напряжения питания
При работе стабилитрона используется участок пробоя на обратной ветви ВАХ, где значительному изменению тока соответствует очень малое изменение напряжения.
Напряжение стабилизации зависит от толщины p-n перехода, а толщина от величины удельного сопротивления материала
Рис 28 ВАХ стабилитрона
Рис 29 параметрический стабилизатор напряжения; 1 – нагрузка; 2 – для уменьшения пульсации вешается конденсатор.
При изменении температуры напряжение стабилизации изменяется неоднозначно. В слаболегированных полупроводниках (используются в высоковольтных стабилитронах) с ростом температуры длина свободного пробега носителей уменьшается. Для того, чтобы при меньшей длине свободного пробега носители могли приобрести энергию, достаточную для ионизации валентных связей, требуется большая величина напряженности электрического поля.
Напряжение пробоя с ростом температуры должно увеличиваться. В сильнолегированных полупроводниках при росте температуры ширина запрещенной зоны падает, вероятность тунеллирования носителей увеличивается, а напряжение пробоя уменьшается. Следовательно, высоковольтные и низковольтные стабилитроны должны иметь противоположные изменения величины стабилизации при изменении температуры
Основные параметры стабилитрона:
1) напряжение стабилизации
2) минимальный и максимальный токи стабилизации
3) температурный коэффициент напряжения стабилизации 
4) дифференциальное сопротивление в рабочей точке 
5) статическое сопротивление в рабочей точке 
6) коэффициент качества 
Стабисторы
Для стабилизации небольших напряжений (меньше 1В) используют прямую ветвь ВАХ. Предназначенные для этого полупроводниковые диоды называют стабисторами.
Кремниевые стабисторы имеют напряжение стабилизации около 0,7В. Для получения малого сопротивления базы диода и меньшего прямого дифф. сопротивления используют кремний с повышенной концентрацией примеси. Стабисторы могут выполняться на основе других полупроводниковых материалов.