Снятие импульсной характеристики диода
папка: “_lab\diode”
имя: “diode_04.ewb”
Описание схемы
Генератор GEN вырабатывает последовательность импульсов амплитудой 5 В и частотой 1, 10, 50 МГц. Частота задается на генераторе GEN. Через ограничительный резистор и ключ (управляется [пробелом]) напряжение прикладывается к диоду. Генератор напряжения управляемый током включен в основную цепь для снятия тока через диод. Схема имеет 3 точки для снятия осциллограмм U_in, U_dioda, I_полн.
U_in – напряжение на выходе генератора.
U_dioda – напряжение на диоде.
I_полн – ток в цепи.
Порядок выполнения работы
1. Открыть файл со схемой рис.1.4.
Для этого в меню программы выбрать File \ Open, в каталоге “_lab\diode” найти файл “diode_04.ewb”, выделив его, нажать “ОК”.
2. Если требуется меняем вид/марку/температуру диодов.
Все операции производятся в параметрах компонента.
3. Произвести снятие импульсной характеристики Ge диода.
Ключ должен быть в основном положении, подключая Ge диод к генератору GEN. Выставить частоту генератора GEN Frequency 1 MHz, снять характеристику с осциллографа.
Для этого использовать Display Graph.
Эксперимент повторить с частотой генератора GEN Frequency 10 MHz, снять характеристику с осциллографа.
Установить частоту GEN Frequency 50 MHz, снять характеристику при этой частоте.
4. Выполнить те же операции для Si диода.
Развертка осциллографа задается параметром TimeBase.
Полученные осциллограммы с учетом масштаба по каналам А и В перерисовать в отчет.
Однополупериодный выпрямитель
папка:_lab\diode
имя: diode_05.ewb
Описание схемы
Ключ служит для подключения/отключения конденсатора. В схеме 5 точек для снятия осциллограмм:
U – напряжение источника ЭДС, I – ток источника “LC, U_н – напряжение на нагрузке Rн, I_н – ток через нагрузку Rн, I_C – ток через конденсатор C
Необходимо снять осциллограммы со всех указанных точек схемы при подключенном конденсаторе, свести их на один график и провести полный анализ работы выпрямителя, сравнить напряжения на нагрузке при подключенном и отключенном конденсаторе.
Обработка материалов измерений и содержание отчета
1. По данным измерений таблицы 1.1 и 1.2 построить ВАх исследуемых диодов. Определить прямое 
и обратное 
динамические сопротивления диодов. Приращения брать на линейных участках характеристик. Рассчитать прямое динамическое сопротивление для тех же точек используя соотношение 
,
где т=1,1 для Ge и т = 1,7 Si; 
В.
Результаты сравнить.
В выбранных точках определить статические сопротивления диода (отношение координат).
2. Рассчитать статические и динамические сопротивления диодов по ВАХ полученным на экране характериографа. Результаты сравнить с полученными в предыдущем разделе.
3. Оценить влияние температуры на ВАХ диодов.
4. Проанализировать импульсные характеристики диодов.
5. Проанализировать осциллограммы токов и напряжений в схеме однополупериодного выпрямителя.
6. Отчет должен содержать:
- цель работы;
- схемы измерений;
- таблицы, графики, результаты расчетов;
- выводы.
Контрольные вопросы
1. Влияние примесей на электропроводимость полупроводников.
2. Что такое донорные и акцепторные примеси?
3. Уровень Ферми и его расположение в примесных полупроводниках.
4. Токи в полупроводниках.
5. Условия равновесия p-n перехода.
6. Запорный слой в p-n переходах и его зависимость от приложенного напряжения.
7. Процессы в p-n переходе при прямом и обратном смещениях.
8. Вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n перехода.
9. Отличия ВАХ реального и идеального диодов.
10. Отличия ВАХ кремниевого и германиевого диодов.
11. Влияние температуры на работы полупроводниковых приборов.
12. Параметры полупроводниковых приборов.
13. Условные обозначения диодов и их разновидностей.