Схема с общим коллектором

Входное сопротивление схемы очень велико (десятки и сотни кОм). Поэтому каскад имеет коэффициент усиления по напряжению меньше единицы (Кu=0.9-0.95) и применяется для согласования сопротивлений между каскадами усилителя или между выходом усилителя и низкоомной нагрузкой (Его часто называют коллекторным повторителем).

Сравнительные свойства различных схем включения транзистора приведены в таблице 1.2

9. Характеристики биполярных транзисторов.

Характеристики биполярных транзисторов.

В транзисторах всегда взаимосвязаны четыре величины: входные и выходные токи и напряжения.

Используются два семейства статистических характеристик транзистора.

Входные статические характеристики Выходные статические характеристики

Iвх=f (Uвх), при Uвых=const Iвых=f (Uвых), при Iвх=const

Эти зависимости для различных схем включения будут разные.

Схема с общей базой.

 

Входные характеристики Iэ=f (Uэ-Б),при Uк-Б=const,

Выходные характеристики Iк=f (Uк-Б) , при Iэ=const.

 

 

Рис. 1.12 Статические характеристики транзисторов в схеме с 0Б:

а) – входное, б) – выходные.

Схема с общим эмиттером.

Входные характеристики IБ=f (UБэ), при Uкэ=const

Выходные характеристики Iк=f (Uкэ), при UБ=const

 

 

 

Рис. 1.13 Статические характеристики транзисторов в схеме с 0Э:

а) – входные, б) – выходные.

Достоинства и недостатки транзисторов

по сравнению с электровакуумными приборами.

10. Устройство и принцип работы полевого транзистора.

 

Полевой транзистор – трехэлектродный полупроводниковый прибор, в котором ток создают основные носители заряда под действием продольного электрического поля, а управление величиной тока осуществляется поперечным электрическим полем, создаваемым напряжением, приложенным к управляющему электроду.

В устройствах промышленной электроники применяются две разновидности полевых транзисторов с рn-переходом (канальные или полярные транзисторы),

с изолированным затвором (МДП или МОП транзисторы).

Принцип работы, характеристики и параметры обоих разновидностей аналогичны.

Название и назначение электродов в транзисторах приведены в таблице 1.3.

Таблица 1.3.

    Биполярный транзистор Полевой транзистор Назначение электродов
Название электродов Эмиттер Коллектор База Исток Сток Затвор Испускающий заряды Собирающий заряды Управляющий электрод

 

Принцип работы.

Полевые транзисторы с рn – переходом.

11. Схемы включения полевого транзистора.

 

 

Рис. 1.14 Схематическое изображение конструкции и схема включения полевого транзистора с рn – переходом.

Слой полупроводника n-типа (р-типа) между истоком и стоком, ограниченный с двух сторон электронно-дырочным переходом называется каналом.

Принцип работы транзисторов n и р – каналов аналогичен и отличается полярностью подводимых напряжений.

При неизмененном значении Ес и сопротивлении нагрузки Rн выходной ток стока (Ic) зависит от эффективной площади поперечного сечения канала, которая определяется величиной и полярностью напряжения управления, поданного между затвором и истоком (Ез-и).

При увеличении отрицательного потенциала на затворе увеличивается толщина рn – перехода и уменьшается сечение токопроводящего канала.

Сопротивление между истоком и стоком увеличивается, ток стока (Ic) уменьшается. Подключив последовательно с источником Ез-и источник переменного напряжения Uвх, можно менять ток (Ic) в канале по закону изменения входного напряжения. При определенной величине нагрузки Rн можно добиться повышения уровня выходного напряжения по сравнению со входным напряжением т.е. усилить сигнал.

Эти транзисторы работают при одной полярности входного напряжения:
n-канал при минусе на затворе, р-канал при плюсе на затворе.