Расчет по постоянному току

⇐ Назад

С_э, С_р1, С_р2 – разрывы (для постоянного тока).

1) Е_смещ = I_бR_б+ U_б_э(I_б) + I_э R_э

нелинейная функция

2) I_k= I_kR_k+ U_k_э(I_k) + I_эR_э

3) I_k = bI_б

4) I_э = I_б + I_k Þ I_э @ bI_б (единицей пренебрегаем)

Е_смещ. = I_б (R_б + bR_э) + U_бэ(I_б)

Е_к = I_б_b( R_k+ R_э) + U_кэ(I_k)

Ctga = R_э+R_k Ctgb =R_k || R_н

Подключение нагрузки приводит к ¯ усиления входного сигнала

При переменном тока все конденсаторы – закоротки

Расчет при R_{НАГРУЗКИ} = ¥.

При t^oС Þ I_б Þ A®A^’ Þ I_бэ, I_э Þ I_эR_э = φ_э Þ ¯U_бэ = φ_б – φ_э() Þ A^’®A

R_э приводит к температурной стабилизации и является отрицательной обратной связью по постоянному току. (т.к. φ_б – φ_э)

Расчет каскада по переменному току.

Конденсаторы и источники напряжения – закоротки.

Схема замещения в h-параметрах:

;

Входная цепь.

Выходная цепь.

Усилительный каскад с общим коллектором.

О.Э.

Расчет по переменному току.

Полевые транзисторы.

Транзисторы

Биполярные Полевые

с управляющим p-n переходом металл-диэлектрик-полупроводник (МДП)

металл-окись-полупроводник (МОЛ)

с индуцированием со встроенным каналом

Полевые транзисторы с управляющим переходом

S – площадь поперечного сечения канала r - удельное сопротивление L - длина

I_c = U_cn / R_канала

R_канала = r / S

|U_з_n| Þ D_p-n Þ S¯ Þ R_кан Þ I_c ¯

U_{cи (насыщения)} – напряжение на стоке, при котором происходит перекрытие канала Þ

Þ U_зи – U_{cи (насыщения)} = U₀ Þ ток через канал прекращается.

U_зи=0 U_зи<0

b[(U_з – U₀)U_c – ½ U_c²]; U_c_и< U_з_и–U₀ - для крутой плоскости

I_c =

¹/₂b(U_з – U₀)²; U_cи> U_з_u– U₀- для пологой плоскости

b = [мA / B²] - приведенная крутизна

Эквивалентная схема замещения

- n-канальный

- p-канальный

МДП-транзисторы (МОП)

Металл-диэлектрик-полупроводник

с индуцированным каналом со встроенным каналом

З и П представляют собой плоский конденсатор.

U_зи₄>0 U_зи₃>0 U_зи₂>0 U_зи₁=U_c

МДП-транзисторы со встроенным каналом.

U_зи>0 U_зи=0 U_зи<0

При U_з_u Þ S_канала Þ ¯ R_канала Þ I_c

U_з_u<0 Þ дырки пойдут к каналу Þ ¯ S_канала Þ R Þ I_c ¯

При каком-то U₀ происходит полное перекрытие канала.

Полевые транзисторы – полупроводниковые приборы, управляемые напряжением, в отличие

от биполярных, которые управляются зарядом (током).

b[(U_з – U₀)U_c – ½ U_c²] , U_cu<U_з_u – U₀ крутая область

½ b(U_з – U₀)² , U_cu>U_з_u – U₀ пологая область

Эквивалентная cхема

n-канальный p-канальный

со встроенным каналом.

Усилительные каскады на полевых транзисторах.

Каскад переворачивает фазу

Схема для расчета каскада по постоянному току

увеличение напряжения и изменения фазы.

I_c = I_cА +DI_c (постоянная и переменная составляющие)

U_cи= U_cиА +DU_cи

I_cАDI_e

E_c U_вх_~

U_cАDU_c

⇐ Назад