ПЕРЕХОДЫ ОДИН ИЛИ ДВА КОМПОНЕНТА – П/П
ГОСТ 15133-77 (СТ СЭВ 2767-80) Физические элементы полупроводниковых приборов
Термины и определения
ПО ТИПУ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ и используемых в переходах материалов
Электрический переход(Переход, Elektrischer Ubergang (Sperrschicht), Junction) – переходный слой в полупроводниковом материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости (одна из областей может быть металлом).
p‑n переход
Электронно-дырочный переход(p‑n переход, pn‑Ubergang, P‑N Junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность n‑типа, а другая p‑типа.
Он создается в кристалле полупроводника путем введения примеси (диффузия, ионное легирование, вплавление) или наращиванием слоев (эпитаксия) на подложку.
Переход металл - п/п
Переход Шоттки (Schottky Ubergang, Schottky junction) –электрический переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником.
Переходдиэлектрик - п/п
Переход металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) представляет собой структуру, в которой между слоем металла и полупроводника располагается тонкий слой диэлектрика (обычно двуокиси кремния SiO2).
Изотипные переходы (или контакт полупроводник- полупроводник)
Если слои одного типа проводимости, но с разной концентрацией примесей, то получается электронно-электронный (n+-n) и дырочно-дырочный (p+-p) переходы. (“+” обозначает повышенную концентрацию).
Электронно-электронный переход(n‑n+ переход, n‑n+‑Ubergang, N‑N+ junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника n‑типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.
Дырочно-дырочный переход (p‑p+ переход, p‑p+‑Ubergang, P‑P+ junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.
Примечание. “+” условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью.
ПО ШИРИНЕ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ
Гомогенный переход (гомопереход,Homogener Ubergang, Homogenous junction) –электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны, созданный в одном полупроводниковом материале (только в германии, только в кремнии, только в арсениде галлия).
Гетерогенный переход (гетеропереход,Heteroubergang, Heterogenous junction) –электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны. создается на границе различных полупроводниковых материалов: германий-кремний, кремний-арсенид галлия.
ПО ВИДУ ВАХ (вольтамперной характеристики)
Выпрямляющий переход(Gleichrichterubergang, Rectifying junction)–электрический переход, электрическое сопротивление которого при одном направлении тока больше, чем при другом.
Омический переход(Ohmischer Ubergang, Ohmic junction)–электрический переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне значений токов.
ПО ГРАДИЕНТУ состава на границе
Резкий переход(Steiler Ubergang, Abrupt junction)–электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда.
Примечание. Под толщиной области понимают ее размер в направлении градиента концентрации примеси.
Плавный переход(Stetiger Ubergang, Graded junction)–электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда.