Оценка абсолютной погрешности косвенных измерений 3 страница

Результаты измерений и вычислений занесите в отчетную таблицу:

Масса отложившейся меди на электроде	Время пропускания тока	Величина силы тока	Электрохимический эквивалент меди	Погрешность
m, кг	t,с	I, A	k, кг/Ас	δ,%

11. Запишите вывод: что вы измеряли и какой получен результат.

ВЫВОД:___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

Контрольные вопросы:

1. Почему молекулы соли, кислоты и щелочи в воде распадаются на ионы?_________

______________________________________________________________________________________________________________________________________________

Почему с повышением температуры сопротивление электролита уменьшается?

_______________________________________________________________________

______________________________________________________________________________________________________________________________________________

3. Сформулируйте первый закон Фарадея для электролиза.

Лабораторная работа №8

Тема: Изучение свойств полупроводникового диода

Цель работы: опытным путем изучить свойства полупроводникового диода

Оборудование: полупроводниковый диод, вольтметр, миллиамперметр, микроамперметр, регулируемый источник постоянного тока, резисторы, ключ, соединительные провода

Описание работы

Принцип действия полупроводникового диода основан на использовании свойства р-п-перехода между областями кристалла с различными типами проводимости. В дырочном полупроводнике проникающие из электронного полупроводника электроны рекомбинируют с дырками, что приводит к появлению в нем избыточного заряда отрицательных ионов акцепторной примеси. В электронном полупроводнике возникает избыточный заряд положительных ионов. Электрическое поле между областями объемного заряда создает запирающие напряжение U_з, противодействующие дальнейшим переходам электронов через р-п-переход. Если положительный полюс источника соединить с электронной областью р-п перехода, а отрицательный полюс – с дырочной областью р-п перехода, то электроны в п - полупроводнике удаляются внешним полем от запирающего слоя, увеличивая его толщину. В результате сопротивление р-п-перехода велико, сила тока через переход мала. Этот способ включения р-п-перехода называется включением в запирающем или в обратном направлении.

Если положительный полюс источника тока соединить с областью дырочной проводимости, а отрицательный - с областью электронной проводимости, то переходы электронов через р-п-переход облегчаются. При напряжениях, превышающих запирающее напряжение U _з, сила тока через р-п-переход в этом случае ограничивается лишь сопротивлением внешней электрической цепи. Этот способ включения называется включением в пропускном или в прямом направлении.

Порядок выполнения работы:

Нарисуйте и соберите (после проверки преподавателем) схему электрической цепи для выполнения измерений прямого тока диода с указанием способа включения (обратите внимание на полярность включения диода).
Замкните ключ и постепенно увеличивайте напряжение на диоде от 0 В до 0,3 В, записывая при этом показания приборов.
Нарисуйте и соберите (после проверки преподавателем) схему электрической цепи для выполнения измерений обратного тока диода с указанием способа включения (обратите внимание на полярность включения диода).
Замкните ключ и постепенно увеличивайте напряжение на диоде от 0 В до 7 В с шагом 1 В, записывая при этом показания приборов.
Результаты измерений занесите в отчетную таблицу:

Напряжение U_пр, В	0,1	0,12	0,15	0,18	0,2	0,23	0,26	0,28
Прямой ток I_пр, мА
Напряжение U_обр, В
Обратный ток I_обр , мА

По числовым данным таблицы постройте вольт-амперную характеристику диода. По оси ординат отложите ток I, мА, а по оси абсцисс – напряжение U, В. Прямой электрический ток и прямое напряжение следует считать положительным, а обратный ток и обратное напряжение – отрицательным.

По анализу характеристики запишите основное свойство диода.__________________________________________________________________
Запишите вывод: что вы измеряли и какой получен результат.

Контрольные вопросы:

Что такое p–n-переход?

__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________Почему р-п-переход обладает односторонней проводимостью?

Почему для исследования зависимости прямого и обратного тока диода от напряжения используются различные схемы включения амперметра и вольтметра в электрическую цепь? __________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
В чем заключаются преимущества полупроводниковых диодов по сравнению с вакуумными диодами? ___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Какими недостатками обладают полупроводниковые диоды? _____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

Лабораторная работа №10

Тема: Определение главного фокусного расстояния и

оптической силы собирающей линзы

Цель работы:определить фокусное расстояние и оптическую силу линзыОборудование: собирающая линза, экран, измерительная линейка, свеча

Описание работы

Одним из оптических приборов является линза - прозрачное тело, ограниченное двумя поверхностями (обычно сферическими, с радиусами кривизны R₁ и R₂), преломляющими световые лучи, способное формировать оптические изображения предметов, светящихся собственным или отраженным светом.

Фокусное расстояние собирающей линзы можно определить с помощью формулы тонкой линзы

где F – фокусное расстояние;

f - расстояние между объектом и линзой;

d - расстояние между изображением (действительным) и линзой.

Для измерения F нужно поместить объект (свечу) на некотором расстоянии от линзы, притом выполнить условие d > F , чтобы получить действительное изображение на экране. Измерив d и f , можно вычислить F.

Величина, обратная фокусному расстоянию линзы, называется оптической силой D (измеряется в диоптриях). .

Порядок выполнения работы:

1. Поставить свечу на край стола, а экран у другого края. Между ними поместить линзу.

2. Передвигать линзу вдоль линейки, пока на экране не будет получено резкое изображение свечи.

3. Измерить расстояние от свечи до линзы и от линзы до экрана.

4. Вычислить фокусное расстояние по формуле:

5. Вычислить оптическую силу линзы по формуле:

Вычислить увеличение линзы по формуле:

7. Результаты измерений и вычислений занесите в отчетную таблицу:

№ опыта	Расстояние между объектом и линзой	Расстояние между изображением и линзой	Фокусное расстояние	Оптическая сила линзы	Увеличение линзы
f , м	d,м	F,м	D,м	k
1.

Построить изображение предмета в линзе.

Запишите вывод, что вы измеряли и какой получен результат.

⇐ Назад

Далее ⇒