Запоминающий элемент динамической памяти.

Далее ⇒

ЛЕКЦИЯ 16

Тема: Оперативная и постоянная память.

Знать:

Элементную базу и организацию ОЗУ и ПЗУ;

Виды ОЗУ и ПЗУ.

Уметь:

Выбирать ИМС ОЗУ и ПЗУ с нужными характеристиками.

Оперативное ЗУ.

Элементная база ОЗУ

полупроводниковые Ферритовые сердечники

элементы

Полупроводниковая память является энергозависимой.

Элемент памяти на ферритовом сердечнике.

H_c Н

Используется свойство магнитного материала сохранять остаточную

намагниченность

+ Br - лог 1

–Br - лог 0.

В элементе памяти имеются три обмотки: обмотка записи, обмотка считывание,обмотка адреса.

Чтобы записатьединицу суммарное токовое воздействие должно иметь положительную полярность и быть примерно равно H_с .

При записи логического «0» полярность тока должна измениться. Полупроводниковые ОЗУ.

Полупроводниковые ОЗУ строятся на базе разных элементов памяти:

- статических;

- динамических.

Элемент статической памяти.

+Е

R1 R2

VT1 VT2

э1 э1

Разрядная

шина Зп/Сч э3 э3

х_iАдресные

у_iшины

УзnО УСч0 Узn1 УСч1

Разрядные шины Зп/СчO и Зп/Cч1 служат для записи и считывания кода «0»и «1» соответствено

К каждой разрядной шине подключены усилители записи (УзпОиУЗп1) и усилители очитывание (УсчО и Усч1).

Адресные шины Хi и Уi служат для выборки информации из запоминающего элемента ОЗУ .

В режиме хранения информации на адресные шины Хi и Уi подается уровень логического «0» (U>=2,4B).

Состояние логического «0»: VT 1открыт, VT2 закрыт.

Состояние логической «1»: VT1 закрыта, VT2 открыта.

1) Режим хранения статического триггера.

На адресные шины – низкий уровень .

Если хранится лог .0,то VT1- открыт ,VT2-закрыт ,по цепи К-Э2, Э3 VT1 проходит ток, а в транзисторе VT2т. к .он закрыт, тока нет.

На Э1 VT1,VT2 должно быть состояние высокого импеданса (выходы УЗп и входы Усч). При этом на коллекторе VT1 низкий уровень, т. к. по цепи К-Э проходит ток, на базе VT2 тоже низкий уровень, т. е . сохраняется состояние логического 0.

Внимание! В режиме хранения элемент памяти потребляет ток , равный коллекторному току Ik открытого транзистора!

2) Режим записи.

На адресных шинах –высокие уровни , на входах Усч - высокий импеданс.

Запись «0».

А) Элемент памяти хранил лог. «0», т. е. VT1-открыт, VT2-закрыт.

На выходе УзпО -формируется низкий уровень

на выходе УЗп1- высокий уровень.

Транзистор VT1 также остается в открытом состоянии , а VT2- в закрытом.

Б) Элемент памяти хранил лог. 1.VT2-открыт,VT1-закрыт

На выходе УзпОдолжен быть сформирован низкий уровень, на выходе УЗ1 - высокий уровень.

Ток в цепи К-Э1 VT2 прекращается (т. к .на Э1-высокий уровень), потенциал коллектора VT2 повышается, VT1 открывается (по цепи К-Э1 проходит ток).

Режим считывания

На адресные шины подается высокий уровень,

на выходах УЗп- высокий импеданс,

на входных схемах Усч- низкие уровни.

Ток проходит по цепи К-Э открытого в данный момент времени транзистора.

Наличие тока на входе Усч0 или Усч1 фиксируется как считывание лог. 0 или лог.1

Далее из этого тока можно создать падение напряжения , т.е. уровень логического 0 или 1 ,которые передаются на последующие схемы.

Запоминающий элемент динамической памяти.

D Информационная шина У

УСч

VT₁ VT₃

Адресная шина Х

А VT₂

С_n

УСч - усилитель считывания.

VT1, VT2, VT3 - полевые ( МОП , МДП ) транзисторы.

Сп - паразитная емкость МОП – транзистора, хранящая 1 бит

информации.

В динамической памяти элементом хранения бита информации является паразитная емкость полевого транзистора.

Далее ⇒