Вопрос №6. Сегнетоэлектрики
Опыты показывают, что диэлектрическая восприимчивость χтвердых кристаллических диэлектриков (полярных и неполярных) практически не зависит от температуры (т.е. χ = f(T) ).
Восприимчивость полярных веществ в кристаллическом состоянии меньше, чем в жидком.
Например: Вода: t = 18˚С, χ = 80.
Лед: χ= const (χ =2,1 при t = -18˚С)
Однако существует группа кристаллических диэлектриков, для которых характерно резкое повышение восприимчивости χ в некоторой области температур (значение χ достигает нескольких тысяч). Впервые такое поведение вещества в электрическом поле было обнаружено сотрудниками И.В. Курчатова (1903-1960) при изучении свойств сегнетовой соли (NaKС4Н4О6 · 4Н2О — двойная соль винной кислоты).
Это и послужило в дальнейшем основанием для выделения специального класса диэлектриков — сегнетоэлектриков, обладающих уникальным свойством, которое получило название гистерезиса(от греч. hyste'resis— отставание, запаздывание).
В сегнетоэлектриках, как и в полярных диэлектриках (рис. 3, а), наблюдается явление насыщения для поляризованности Р. Однако если при повышении напряженности Еувеличение поляризованности Р определяется кривой 1 (рис. 3, б), то при снижении Е имеет место «запаздывание» в уменьшении поляризованности Р (кривая 2).
|
Если Е=0, то Р ≠ 0, что указывает на наличие остаточной поляризации у сегнетоэлектрического образца (после выключения поля). Для снятия остаточной поляризации нужно создать электрическое поле противоположного направления Е = -Ек, (Ек — коэрцитивная сила, от лат. coercitio — удерживание).
Дальнейшее уменьшение значения напряженности E<0 приводит к возникновению поляризации противоположного направления (Р < 0, см. продолжение кривой 2 при отрицательных значениях Р).
Последующее уменьшение модуля Е вновь характеризуется «запаздыванием» в изменении значения Р (кривая 3). В результате периодического изменения электрического поля Е (от -Е* до Е*) кривые 2,3 для поляризованности Р образуют характерную петлю гистерезиса. Кривая 1 называется основной кривой поляризации сегнетоэлектрика. Из рис. 3,б видно, что зависимость поляризованности Р от Е является неоднозначной функцией напряженности.
Для заданного значения Е1(см. рис. 3б) образец может иметь одно из трех значений поляризованности Р (Р1, Р2 или Рз).
Экспериментальные и теоретические исследования показали, что поляризация сегнетоэлектриков является следствием взаимодействия всех молекул сегнетоэлектрика, в связи с чем диполи элементарных ячеек кристалла выстраиваются в определенном направлении под действием внутреннего электрического поля, созданного соседними молекулами сегнетоэлектрика.
При этом образуются самопроизвольно поляризованные области — домены(рис. 4, а), в пределах которых все упомянутые диполи ориентированы в одном направлении. Эта спонтанная (самопроизвольная) поляризация соответствует минимуму энергии домена.
|
При отсутствии внешнего поля дипольные моменты доменов расположены хаотически и макроскопический образец сегнетоэлектрика не поляризован (Р = 0). Если такой сегнетоэлектрик поместить во все возрастающее по модулю внешнее электрическое поле Е (рис. 4, б), то происходит переориентация доменов, отмечается преимущественное увеличение тех доменов, дипольные моменты которых ориентированы в направлении поля Е, а также уменьшаются размеры доменов с противоположной ориентацией дипольных моментов. В достаточно сильных полях наступает явление насыщения (весь образец будет представлять собой один макродомен, рис. 4, в).
Область сегнетоэлектрического состояния вещества находится между нижней и верхней температурами Кюри (для сегнетовой соли Тк ниж =255 К, а Тк верх =297К). Превращение сегнетоэлектрика в обычный полярный диэлектрик может сопровождаться скачкообразным изменением термодинамических функций — фазовый переход первого рода, например у титаната бария (ВаТiOз), или плавным — фазовый переход второго рода, например у сегнетовой соли NaKС4Н4О6 · 4Н2О.