Техническое описание КП301В.
КП301В – полевой транзистор с p-каналом
Таблица 4. Справочные данные КП301В
| Структура | Uси,В | Iси макс, А | Uзи макс, В | Pси макс, Вт | S, мА/В | Корпус |
| P-FET | 0.015 | 5.4 | 0.2 | КТ-114 |
Техническое описание КЦ407А
Рис.18. Условное графическое обозначение диодного моста
Таблица 5. Электрические параметры КЦ407А
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | |
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | |
| Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток, А | 0.5 |
| Максимальный допустимый прямой импульсный ток, А | |
| Максимальный обратный ток, мкА | |
| Рабочая частота, кГц | |
| Максимальное прямое напряжение, В | 2.5 |
| Максимальное время обратного восстановления, мкс | |
| Рабочая температура, С | -60...85 |
| Способ монтажа | В отверст. |
3.7. Техническое описание МС78L15, 78L05
Рис.19. Внешний вид МС78L15, 78L05
Таблица 6. Электрические параметры МС 78L15
| Выходное напряжение, В | |
| Ток нагрузки, А | 0.1 |
| Тип корпуса | TO92 |
| Максимальное входное напряжение, В | |
| Мощность рассеиваемая макс., Вт | 0.5 |
| Температурный диапазон, C | -10…+70 |
Таблица 7. Электрические параметры МС 78L05
| Выходное напряжение, В | |
| Ток нагрузки, А | 0.1 |
| Тип корпуса | TO92 |
| Максимальное входное напряжение, В | |
| Мощность рассеиваемая макс., Вт | 0.5 |
| Температурный диапазон, C | -10…+70 |
3.8. Трансформатор ТПП-223-127/220-50
Рис. 20. Условное графическое обозначение трансформатора
| Сердечник: ШЛ12х16 | |||||||||||||||||||||
| Мощность: 1,65 Вт | |||||||||||||||||||||
| Ток первичной обмотки: 0,03/0,017 А | |||||||||||||||||||||
| Масса: 0,365 кг Таблица 8. Электрические параметры Трансформатора ТПП-223-127/220-50 | |||||||||||||||||||||
|
Заключение
Селектор импульсов по длительности может использоваться в устройствах обработки цифровой информации, например, может быть использовано в устройствах защиты от импульсных помех, а также в импульсной радиолокации и радионавигации (в системе обнаружения, в радиовысотомерах, в морской и воздушной навигации); для обеспечения радиосвязи с высокой помехозащищённостью. Такие схемы находят применение в системах связи для декодирования информационных сигналов, в системах цифровой обработки изображения и звука, в измерителях различных временных и частотных характеристик электрических цепей и т.п.
Полученные параметры незначительно отличаются от параметров задания вследствие не идеальности элементной базы преобразователя.
Список литературы
1. Лачин В. И., Савелов Н. С. Электроника. Ростов-на-Дону, Феникс, 2000 г.
2. Воробьев Н.И. Проектирование электронных устройств. Москва, Высшая школа, 1989 г.
3. Тарабрин Б.В., Лунин Л.Ф. Интегральные микросхемы: Справочник. – Москва: Радио и связь,1984г. – 528с.
4. Шило В.Л. Популярные цифровые микросхемы: Справочник. – Москва: Радио и связь, 1987г. – 352с.
5. Горошков Б.И. Элементы радио-электронных устройств: Справочник. – Москва: Радио и связь, 1989г. – 176с.