Порядок выполнения работы. Для исследования выходных вольтамперных характеристик транзисторов в схеме с общим эмиттером необходимо:
Для исследования выходных вольтамперных характеристик транзисторов в схеме с общим эмиттером необходимо:
1) Включить источник питания макета;
2) Переключатель П5 установить в положение 1, подключив транзистор Т1;
3) Переключатель П7 установить в положение ток базы 
;
4) Переключатель П6 установить в положение 0,5 мА;
5) С помощью переключателя П3 (грубо) и переменного резистора 
(плавно) установить ток базы равным 50 мкА;
6) Переключатель П6 установить в положение 10 мА, переключатель П7 в положение ток коллектора 
;
7) Вход осциллографа присоединить к коллектору исследуемого транзистора для измерения постоянного напряжения на коллекторе 
;
| Табл. 1 | |||||||||||
| Положение переключателя | Примеч | ||||||||||
| , мА
| =50мкА
| ||||||||||
| , В
| |||||||||||
| , мА
| =100мкА
| ||||||||||
| , В
| |||||||||||
| , мА
| =150мкА
| ||||||||||
| , В
|
8) Изменяя переключателем П4 резисторы 
и тем самым величину коллекторного напряжения, снять зависимость 
при токе базы равном 50 мкА. Результаты измерений занесите в таблицу 1 вида.
9) Снять зависимости при токе базы равном 100 и 150 мкА. Результаты измерений занесите в таблицу 1.
10) Переключатель П5 установить в положение 2, подключив транзистор Т2 и повторить пункты 3 – 9 для транзистора Т2. Результаты измерений занесите в таблицу 2, аналогичную таблице 1.
11) Переключатель П5 установить в положение 3, подключив тем самым полевой транзистор Т3 с управляющим р-n-переходом и каналом p – типа. Переключатель П7 установить в положение для измерения тока стока 
;
12) Вход осциллографа присоединить к затвору исследуемого транзистора Т3 для измерения постоянного напряжения на затворе 
, а второй вход осциллографа присоединить к стоку транзистора Т3 для измерения постоянного напряжения 
;
13) С помощью переключателей П3 и П8 (грубо) и переменного резистора (плавно) установить напряжение на затворе равное 0. Переключатель П4 установить в положение 10 (установив тем самым высокое напряжение ) измерить напряжение .
14) Снять стокзатворную характеристику транзистора 
, изменяя напряжение на затворе с интервалом 0,5 В и измеряя ток стока , до тех пор пока транзистор не закроется. Результаты измерений занесите в таблицу 3 вида:
| Таблица 3 | |||||||||
| , В
| 0,5 | 1,5 | 2,5 | 3,5 | |||||
| , мА
|
15) Изменяя переключателем П4 резисторы и тем самым величину напряжения , снять зависимость 
при напряжениях на затворе равных 
, 
и 
,. Результаты измерений занесите в таблицу 4.
16) Выключить источник питания макета.
17) Построить выходные вольтамперные характеристики транзисторов Т1 и Т2
18) По построенным графикам для одного из транзисторов определить дифференциальную и интегральную величины коэффициента усиления тока базы 
при напряжении 
.
19) Построить зависимость дифференциального сопротивления коллекторного p-n-перехода 
при токе базы транзистора Т1 
100 мкА. Здесь дифференциальное сопротивление 
при 
.
| Табл. 4 | |||||||||||
| Положение переклю - чателя П4 | Приме - чание | ||||||||||
| , мА
| =0 В
| ||||||||||
| , В
| |||||||||||
| , мА
| =+1 В
| ||||||||||
| , В
| |||||||||||
| , мА
| =+2 В
| ||||||||||
| , В
|
20) Построить выходные и стокзатворную вольтамперные характеристики полевого транзистора Т3. По построенным графикам определить крутизну характеристики при =5 В
и дифференциальное сопротивление транзистора при =+1 В
.
21) Оформить отчет и сделать выводы по работе.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Ицкович В.М. Электроника. Учебное пособие. – Томск: Томский государственный университет, 2006. – 360 с.
2. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов. – 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2001.- 488 с.