Диодты сипаттамалы кедергілері

Есептеме-сызба жмыса тапсырма

№1 есеп

Донорлы оспаны шоыры N_д атом/см³ райды, ал акцепторлы оспа – N_а атом/см³ (мндері 2.1 кестеде берілген), жартылай ткізгіштегі заряд тасымалдаушыларды меншікті шоыры - n_i. Берілген температурада Т (мндері 2.2 кестеде берілген) р-n ауысу шін потенциалдарды тйіспелік айырмасын табу керек.

2.1 кесте

Сына кітапшасы нміріні соы саны
Нса
N_д	210¹⁵	310¹⁵	610¹⁵	410¹⁶	510¹⁶	710¹⁶	510¹⁶	310¹⁶	310¹⁵	410¹⁶ 410¹⁶410¹⁶
N_a	210¹⁸	210¹⁸	210¹⁷	210¹⁸	310¹⁹	810¹⁷	610¹⁷	210¹⁸	510¹⁷	210¹⁸

2.2 кесте

Сына кітапшасы нміріні соысыны алдындаы саны
Нса
Т, ^оС
n_i	210¹⁴	210¹³	310¹⁴	510¹³	410¹⁴	310¹⁴	410¹³	510¹⁵	310¹³	410¹³

№2 есеп

Т=300 К боланда диодты кері аныу тогы I₀ те (мні 2.3 кестеде берілген). Жартылай ткізгіш диодты траты ток бойынша кедергісін жне тура лау кернеуі U_тура (мні 2.4 кестеде берілген) боланда оны дифференциалды кедергісін анытаыз.

2.3 кесте

Сына кітапшасы нміріні соы саны
Нса
I₀, мкА	1,5	1,5	1,5	3,5	2,5	2,5	1,8

2.4 кесте

Сына кітапшасы нміріні соысыны алдындаы саны
Нса
U_тура,мВ

№3 есеп

Жартылай ткізгіш диодты тура тогы I_тура, тура лау кернеуі U_тура жне температурасы берілген. Кернеу мндері U = U₁ жне U = 0 (мндері 2.5, 2.6 кестелерінде берілген) болан кезде, диодты кері аныу тогын I₀, дифференциалды кедергісін r_диф анытаыз.

2.5 кесте

Сына кітапшасы нміріні соы саны
Нса
I_тура,А	0,07	0,08	0,5	0,8	0,8	0,09	0,6	0,7	0.09	0.4
U_тура,В	0.4	0.4	0,2	0,3	0,3	0,2	0,4	0,2	0,3	0,2

2.6 кесте

Сына кітапшасы нміріні соысыны алдындаы саны
Нса
Т,^оС
U₁,В	0,2	0,2	0,1	0,4	0,2	0,1	0,2	0,1	0,2	0.4

№4 есеп

Параметрлік кернеу тратандырышыны слбасында жктеме кедергісі R_ж берілген. Стабилитронны крсеткіштері: U_тр – тратандыру кернеуі, I_{тр.макс} – тратандырылан максимал ток, I_тр.мин – тратандырылан минимал ток (мндері 2.7 кестеде берілген). Кіріс кернеуі U_{кір.мин}_. нен U_{кір.макс} дейінгі аралыта згереді (2.8 кесте). Тратандырышты осылу слбасын келтірііз, стабилитронны ВАС келтіріп, оан жктеме сызыын трызыыз. Балласты кедергісін R_б табыыз. U_кір кіріс кернеуді барлы згеріс аумаында тратылы амтамасыз етіле ме, соны анытаыз.

2.7 кесте

Сына кітапшасы нміріні соы саны
Нса
R_ж,кОм	0,6			0,8	1,5	1,5				2,5
U_тр,В				6,5			6,8
I_тр.мин._,мА	0,4	0,5	0,6	0,7	0,8	0,5	0,5	0,6	0,8	0.5
I_тр._макс_.,мА	2,5	1,5		3,2	3,1	2,5		2,8	2,9	3.2

2.8 кесте

Сына кітапшасы нміріні соысыны алдындаы саны
Нса
U_кір_._мин.,В
U_{кір.макс.},В

№5 есеп

Стабилитронны тратандыру кернеуіні температуралы коэффициенті _н, %/ ^оС, 20⁰С – U_тр.,В (2.9 кестені араыз) тратандыру кернеуі берілген. Егер температурасы Т,⁰С (2.10 кестені араыз) болса, оны тратандыру кернеуі андай болады.

2.9 кесте

Сына кітапшасы нміріні соы саны
Нса
_н, %/ ^оС	0,02	0,03	0,01	0,05	0,04	0,04	0,05	0,03	0,02	0,03
U_тр,В					6,2	5,6				5,6

2.10 кесте

Сына кітапшасы нміріні соысыны алдындаы саны
Нса
Т,⁰С

P-n ауысуды тйіспелік потенциалдар айырымы

Температурасы Т = 293 K боланда p-n ауысуды тйіспелік потенциалдар айырымын табыыз, егер донорлы оспаны шоыры N_д = 210¹⁵атом/см³ раса, акцепторлы оспа – N_a = 210¹⁸атом/см³, жартылай ткізгіштегі заряд тасымалдаушыларды меншікті шоыры - n_i = 310¹³

Есепті шыарылуы.

Электронны заряды q = 1,6·10^-19Кл, Больцман тратысы k = 1,38·10^-23 Дж/К.

;

Диодты сипаттамалы кедергілері

Жартылай ткізгіш диодты траты ток бойынша кедергісін R₀ жне тура лау кернеуі U_тура (мні 2.4 кестеде берілген) боланда оны дифференциалды кедергісін анытаыз.

Т=300 К боланда диодты кері аныу тогы I₀ = 1,5 мкА те (мні 2.3 кестеде берілген).

Есепті шыарылуы.

Тура лау кернеуі U=0,14 B те боланда, диодты тзетілген тура тогын келесі формула бойынша табамыз

Диодты траты ток бойынша кедергісі

Дифференциалды кедергісін анытаймыз r_диф

I>>I₀, боландытан: